gotovo

Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:

У кристалах замість однакового для всіх N атомів рівня виникають N дуже близьких рівнів, які не співпадають (утворюється енергетична смуга - енергетична зона).

1.

Заборонена енергетична зона в ТТ - це:

Енергетична зона в ТТ, в якій електрони перебувати не можуть.

Валентна зона - це енергетична зона в ТТ:

Яка при Т=0К максимально заповнена валентними електронами.

Зона провідності - це енергетична зона в ТТ:

Яка при Т=0К повністю заповнена валентними електронами.

Носіями зарядів у власних напівпровідниках є:

Електрони і дірки.

Основними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:

Дірки.

Основними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:

Електрони.

Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:

Позитивно і негативно заряджені іони.

Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:

Позитивно і негативно заряджені іони.

Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику n-типу:

Який вираз відноситься до концентрації електронів у напівпровіднику р-типу:

Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику ?

Який вираз відноситься до концентрації електронів у металах:

Домішки , які є джерелом електронів, називаються:

Донорами.

Домішки , які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторами.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторними.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:

Донорними.

Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:

р- типу.

Напівпровідники з електронною провідністю називаються:

n- типу.

Метал (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина з відсутньою забороненою зоною.

Напівпровідник (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Діелектрик (при 0К) за зонною теорією – це:

Речовина із шириною забороненої зони .

Що таке зона провідності для металів одновалентних металів (при 0 К)?

Зона заповнена на половину

Що таке зона провідності для металів двовалентних металів (при 0 К)?

Повністю пуста зона.

Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:

У ізольованих N атомів є однакові N енергетичних рівнів.

За зонною теорією тверде тіло є провідником струму, коли є:

Вільні енергетичні рівні.

Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику при Т=0К?

Посередині забороненої зони.

Де згідно рисунку розташовуються дозволені енергетичні зони ?

1.

2.

3.

Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується рівень Фермі при 0 К?

.

2.

Яка зонна діаграма відповідає одновалентному металу:

Яка зонна діаграма відповідає напівпровіднику?:

Яка зонна діаграма відповідає діелектрику:

За зонною теорією тверде тіло є провідником струму, коли є:

Вільні носії заряду.

Вільні енергетичні рівні.

Носії заряду та вільні енергетичні рівні.

Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику при Т=0К?

Поблизу нижнього рівня зони провідності.

Поблизу верхнього рівня валентної зони.

Посередині забороненої зони.

Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується валентна енергетична зона ?:

3.

Зонна діаграма для напівпровідника p – типу :

Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:

На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.

Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:

На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.

Домішки , які є джерелом електронів, називаються:

Донорами.

Домішки , які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторами.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:

Акцепторними.

Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:

Донорними.

Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:

р- типу.

Напівпровідники з електронною провідністю називаються:

n- типу.

Які носії заряду називаються неосновними

Електрони в напівпровіднику p – типу.

Що таке робота виходу електронів із металу - це:

Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на сусідній енергетичний рівень.

Яка домішка призводить до виникнення електронної провідності в Ge

Ga.

In.

Яка домішка призводить до виникнення діркової провідності в Si

P.

При контакті метал-напівпровідник p – типу з А_м>А_н/п утворюється:

Контактний шар збіднений дірками (запірний шар)

Контактний шар збагачений електронами (антизапірний шар).

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі. Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 А₁ < А₂?

1 – нагріватимес.

.2 – охолоджуватимесь.

Надання металу надлишкового позитивного заряду:

Збільшує потенціальну енергію

Робота виходу із речовини у вакуум описується виразом:

Термоелектрорушійна сила описується виразом:

На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі.

Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 при А₁ > А₂ і заданому напрямі струму:

1 – охолоджуватимесь.

2 – нагріватимесь.

Вольт-амперна характеристика p – n переходу має вигляд:

Надання металу надлишкового негативного заряду:

Зменшує потенціальну енергію.

Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:

Зворотним.

Напрям зовнішнього електричного поля, який збільшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:

Пропускним.

Внутрішня контактна різниця потенціалів проявляється у:

р-n переходах.

Від чого залежить внутрішня контактна різниця потенціалів:

Від різниці робіт виходу електрона.

Від чого залежить зовнішня контактна різниця потенціалів:

Від різниці енергій Фермі.

Що таке ЗБАГАЧЕННЯ в контактних явищах:

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж неосновних.

Що таке ВИСНАЖЕННЯ в контактних явищах:

Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду менше, ніж неосновних.

В чому суть ефекту Зеєбека:

У виникненні електрорушійної сили в колі, складеному з різних речовин, коли контакти мають різну температуру.

В чому суть ефекту Пельтьє:

У поглинанні теплоти при проходженні струму через контакт в колі складеному з різних речовин.

Нагрівання чи охолодження контакту у випадку прояву ефекту Пельтьє залежить від:

Різниці робіт виходу.

За зонною теорією тверде тіло є провідником струму тоді, коли є:

Вільні енергетичні рівні.

Є два метали з різними термодинамічними роботами виходу. При цьому . Як метали зарядяться, коли їх привести в контакт:

Перший позитивно, другий негативно.

Контакт двох металів добре проводить струм, тому що:

Метали мають велику концентрацію носіїв заряду.

Товщина контакту дуже мала.

Рівень Фермі установлюється на одному рівні.

Різна робота виду.

Вказати, в яких речовинах область приповерхневого просторового заряду максимальна (по довжині) при утворенні контакту з металом:

Метал.

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 10¹⁹м^-3.

Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається.

Зворотним.

Термоелектрорушійна сила описується виразом:

Кількість теплоти, яка виділяється у спаї при явищі Пельтьє є:

При контакті метал-напівпровідник n – типу з А_м<А_н/п утворюється контактний шар:

Збагачений дірками (антизапірний шар).

При контакті метал-напівпровідник р – типу з А_м<А_н/п утворюється контактний шар:

Збіднений електронами (запірний шар)

Як визначається рухливість електронів

Питома електропровідність металів за класичною теорією визначається:

Питома електропровідність металів за квантовою теорією визначається:

Що таке α у виразі ?:

Термічний коефіцієнт опору.

Що таке у виразі ?

Опір при t=0⁰С.

Що таке R у виразі ?

Опір при t⁰С

Що таке t у виразі ?

Температура.

Опір у власному напівпровіднику при зростанні температури

Спадає за лінійним законом.

Опір у напівпровіднику р-типу при зростанні температури:

Спадає за експоненціальним законом.

Провідність при зростанні температури у напівпровіднику р-типу:

Зростає за лінійним законом.

Провідність при зростанні температури у напівпровіднику n-типу:

Зростає за експоненціальним законом.

Провідність при зростанні температури у власному напівпровіднику:

Зростає за лінійним законом.

Зростання провідності у власному напівпровіднику при зростанні температури пояснюється:

Збільшенням кількості електронів.

Зростання провідності у напівпровіднику n-типу при зростанні температури пояснюється:

Збільшенням кількості дірок.

Зростання провідності у напівпровіднику р-типу при зростанні температури пояснюється:

Зменшенням кількості дірок.

Надпровідність це явище:

Падіння опору речовини до нуля при критичній температурі.

Критична температура в температурній залежності електропровідності речовини– це температура при якій:

Зменшується провідність.

Що таке дрейфовий струм у напівпровіднику:

Струм, який виникає в результаті хаотичного руху електричних зарядів.

Густина дрейфового струму у напівпровіднику в загальному випадку описується виразом

Електронна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони на домішковий рівень.

Діркова провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Домішкових рівнів в зону провідності.

Власна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони в зону провідності.

Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідників р-типу:

Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.

Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідників n-типу:

Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.

Яку енергію можна визначити із залежності для власних напівпровідників:

Ширину забороненої зони власного напівпровідника.

Провідність напівпровідника називається власною, коли провідність здійснюється за рахунок:

Електронів в зоні провідності.

Внутрішній фотоефект – це явище:

Зміни енергетичного положення носіїв заряду речовини під дією світла.

Вказати, в яких речовинах область приповерхневого просторового заряду максимальна (по довжині) при утворенні контакту з металом:

Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 10¹⁹м^-3.

Генерацією носіїв заряду у власному напівпровіднику називається процес:

Приєднання діркою електрона і утворення нейтрального атома.

Утворення пари електрон – дірка.

Утворення електронів

Утворення дірок.

Рекомбінацією носіїв заряду у власному напівпровіднику називається процес:

Утворення електронів

Утворення дірок.

Який механізм електропровідності у власних напівпровідниках ?:

Електронний.

Дірковий.

Електронний і дірковий

Що таке дифузійний струм у напівпровіднику:

Струм обумовлений зовнішнім електричним полем.

Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.

Залежність електропровідності у власному напівпровіднику від температури зображена на рисунку:

Надпровідність це явище:

Падіння опору речовини до нуля при критичній температурі.

Який з графіків відповідає явищу надпровідності?:

Який з графіків відповідає залежності опору металів від температури (при не дуже низьких температурах)?:

В чому полягає явище дифузії

Це зростання провідності власному напівпровіднику при нагріванні.

Що таке дрейфовий струм у напівпровіднику:

Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.

Густина струму у напівпровіднику загальному випадку описується виразом:

_?

Чому діелектрики не проводять струм при звичайних умовах ?

У них велика ширина забороненої зони.

Чим пояснюється збільшення сили струму через напівпровідник при збільшенні температури:

Зменшенням концентрації носіїв заряду.

Який процес називається генерацією носіїв заряду у власному напівпровіднику?:

Процес утворення пари електрон – дірка.

Співвідношення між рухливістю і коефіцієнтом дифузії для дірок є:

Електронна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони на домішковий рівень.

Діркова провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Домішкових рівнів в зону провідності.

Власна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:

Валентної зони в зону провідності.

Провідність напівпровідника називається власною, коли провідність здійснюється за рахунок:

Дірок у валентній зоні .

Внутрішній фотоефект – це явище:

Зміни енергетичного положення носіїв заряду речовини під дією світла.

Квантова статистика – це:

Розділ статистичної фізики, що досліджує системи, які складаються з великої кількості частинок.

.

В чому принципова відмінність квантової статистики від класичної ?

Квантова статистика застосовується для будь-яких тотожних частинок.

Розподіл Фермі-Дірака для ферміонів за енергіями має вигляд :

Розподіл Бозе-Ейнштейна для бозонів за енергіями має вигляд :

При яких умовах до електронів в металах можна застосовувати класичну статистику 

При високих температурах.

При яких умовах до електронів в металах можна застосовувати лише квантову статистику:

При дуже низьких температурах.

Електронний газ -

Сукупність електронів в атомах твердого тіла.

Куперовська пара – це:

Пара електрон-дірка.

Яка статистика застосовується для мікрочастинок з цілим спіном?:

Бозе – Ейнштейна.

Яка статистика застосовується для мікрочастинок з пів цілим спіном?:

Фермі-Дірака.

Фотон – це квазічастинка, яка є

Квантом звукових коливань.

Яка точка на графіку відповідає енергії Фермі:

D.

Рівень Фермі – це енергетичний рівень:

Імовірність, заповнення якого 0 .

Енергія Фермі – це:

Найменша енергія, яку може мати електрон при 0⁰С.

Які мікрочастинки відносяться до квазічастинок:

Фонони.

Плазмони.

Ферміони – це мікрочастинки, які описуються статистикою

Фермі-Дірака.

Бозони – це мікрочастинки, які описуються статистикою:

Бозе – Ейнштейна.

Які мікрочастинки відносяться до бозонів:

Фотони.

Які мікрочастинки відносяться до ферміонів:

Протони.

Рівень Фермі – це енергетичний рівень:

Імовірність, заповнення якого 0,5.

Валентна енергетична зона у н/п - це:

Сама верхня зона, в якій при Т=0 К всі рівні зайняті електронами.

Густина дифузійного струму у напівпровіднику в загальному випадку описується виразом

Як записується вираз для червоної межі при дірковій фотопровідності ?

Як записується вираз для червоної межі при електронній фотопровідності ?

Як записується вираз для червоної межі при власній фотопровідності ?

Зовнішня контактна різниця потенціалів визначається:

Внутрішня контактна різниця потенціалів визначається: