- •Глава 3. Электроразведка
- •7. Основы теории электроразведки
- •7.1. Электромагнитные поля, используемые в электроразведке
- •7.1.1. Естественные переменные электромагнитные поля.
- •7.1.2. Естественные постоянные электрические поля.
- •7.1.3. Искусственные постоянные электрические поля.
- •7.1.4. Искусственные переменные гармонические электромагнитные поля.
- •7.1.5. Искусственные импульсные (неустановившиеся) электромагнитные поля.
- •7.1.6. Сверхвысокочастотные поля.
- •7.1.7. Биогеофизические поля.
- •7.2. Электромагнитные свойства горных пород
- •7.2.1. Удельное электрическое сопротивление
- •7.2.2. Электрохимическая активность и поляризуемость горных пород.
- •7.2.3. Диэлектрическая и магнитная проницаемости.
- •7.3. Принципы решения прямых и обратных задач электроразведки
- •7.3.1. Общие подходы к решению прямых задач электроразведки.
- •7.3.2. О нормальных полях в электроразведке.
- •7.3.3. Электрическое поле точечного источника постоянного тока над двухслойной средой.
- •7.3.4. Принципы решения обратных задач электроразведки.
- •8. Аппаратура, методика и сущность разных методов электроразведки
- •8.1. Принципы устройства и назначение аппаратуры для электроразведки
- •8.1.1. Общая характеристика и назначение аппаратуры и оборудования для электроразведки
- •8.1.2. Переносная аппаратура.
- •8.1.3. Электроразведочные станции.
- •8.1.4. Аэроэлектроразведочные станции.
- •8.2. Электромагнитные зондирования
- •8.2.1. Общая характеристика электромагнитных зондирований.
- •8.2.2. Электрическое зондирование.
- •8.2.3. Зондирование методом вызванной поляризации.
- •8.2.4. Магнитотеллурические методы.
- •8.2.5. Зондирование методом становления поля.
- •8.2.6. Частотное электромагнитное зондирование.
- •8.2.7. Высокочастотные зондирования.
- •8.3. Электромагнитные профилирования
- •8.3.1. Общая характеристика электромагнитных профилирований.
- •8.3.2. Метод естественного электрического поля.
- •8.3.3. Электропрофилирование методом сопротивлений.
- •8.3.4. Электропрофилирование методом вызванной поляризации.
- •8.3.5. Метод переменного естественного электромагнитного поля.
- •8.3.6. Низкочастотное гармоническое профилирование.
- •8.3.7. Методы переходных процессов.
- •8.3.8. Аэроэлектроразведка.
- •8.3.9. Радиоволновое профилирование.
- •8.3.10. Сверхвысокочастотные методы профилирования.
- •8.4. Подземно-скважинные методы электроразведки
- •8.4.1. Общая характеристика подземно-скважинных или объемных методов электроразведки.
- •8.4.2. Поляризационные объемные методы.
- •8.4.3. Метод заряженного тела.
- •8.4.4. Индукционное просвечивание.
- •8.4.5. Метод радиоволнового просвечивания.
- •9. Интерпретация и области применения электроразведки
- •9.1. Интерпретация электромагнитных зондирований и особенности их геологического применения
- •9.1.1. Качественная интерпретация электромагнитных зондирований.
- •9.1.2. Физико-математическая количественная интерпретация электромагнитных зондирований.
- •9.1.3. Геолого-геофизическая количественная интерпретация электромагнитных зондирований.
- •9.1.4. Особенности геологического применения электромагнитных зондирований.
- •9.2. Интерпретация и области применения электромагнитных профилирований и объемных методов электроразведки
- •9.2.1. Интерпретация данных электромагнитных профилирований.
- •9.2.2. Интерпретация данных объемной электроразведки.
- •9.2.3. Особенности геологического применения электромагнитных профилирований и объемных методов.
7.3.2. О нормальных полях в электроразведке.
Как отмечалось выше, под нормальным полeм понимается электромагнитное поле того или иного источника над однородным изотропным полупространством с неизменными электромагнитными свойствами.
Из простейшей прямой задачи о поле точечного источника постоянного тока на земной поверхности (см. 7.1.3) можно получить нормальные поля постоянных электрических токов для разных установок или разных комбинаций питающих ( АВ) и приемных ( МN) электродов (см. рис. 3.2).
В практике электроразведки часто применяются четырехэлектродные установки АМNВ (см. рис. 3.2).
|
|
|
Рис. 3.2. План расположения питающих (А и В) и приемных ( М и N) электродов в разных установках метода сопротивлений: а - четырехэлектродной, б - срединного градиента, в - симметричной четырехэлектродной, г - трехэлектродной, д - двухэлектродной, е - дипольной радиальной, ж - дипольной азимутальной |
К одному питающему электроду (например, А) подключается положительный полюс источника тока, к другому ( В) - отрицательный. Разность потенциалов на приемных электродах ( МN) от электрода А, определенная по полученной выше формуле (3.1), равна:
|
|
Аналогичным
образом можно получить разность
потенциалов от отрицательного полюса
В, но величину тока следует принять
равной (
).
Разность
потенциалов от обоих электродов АВ
равна суперпозиции
и
:
|
|
(3.6) |
Если
МN установить в центре АВ так, чтобы АМ
= BN, АN = ВМ, то получим формулу для расчета
симметричной
четырехэлектродной установки (см. рис.
3.2):
|
|
(3.7) |
Потенциал
двухэлектродной установки АМ ( А и N
удалены в бесконечность) можно получить
из (3.6), приняв
,
т.е.
.
В
методах сопротивлений применяется и
ряд других установок. Так, например, для
глубинных исследований используются
различные дипольные установки (рис.
3.2). Если приемный диполь ( МN) перпендикулярен
радиусу (
)
между его центром и центром питающего
диполя ( АВ), а угол между радиусом и
питающей линией АВ (
)
находится в пределах
,
то такая установка называется азимутальной.
Частным случаем азимутальной является
экваториальная установка (
).
Если приемный диполь (МN) направлен вдоль
,
а
,
то такая установка называется радиальной.
Частным случаем радиальной установки
является осевая (
).
Для
каждой установки можно получить формулы,
по которым рассчитывается коэффициент
установки. Так, для азимутальной установки
,
для радиальной
,
где
и
-
коэффициенты, мало отличающиеся от
единицы и определяемые по специальным
номограммам.
Таким
образом, при работах любой установкой
рассчитывается
по формуле для нормального поля
|
|
(3.8) |
где
-
разность потенциалов на МN,
-
ток в АВ, а
-
коэффициент устaновки, зависящий лишь
от расстояний между электродами.
Как
отмечалось выше, по этим же формулам
можно рассчитать некоторое \rho над
реальным, неизвестным и практически
всегда неоднородным полупространством.
Тогда оно называется кажущимся (КС или
).
Расчет нормальных полей для других источников (гармонических, импульсных) очень сложен, но в любом случае принято получать КС (см. 7.1.3 - 7.1.5).

