Содержательный модуль 3. Перечень вопросов Уровень 1.
Что называется внешним фотоэффектом?
А. Внешний фотоэффект – перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых и жидких полупроводниках, происходящее под действием света;
Б. Внешний фотоэффект – возникновение под действием света ЭДС в системе, состоящей из контактирующих полупроводника и металла;
В. Внешний фотоэффект – испускание электронов веществом под действием света;
Г. Внешний фотоэффект – испускание электронов под действием теплового излучения;
Д. Внешний фотоэффект – испускание светом заряженных частиц.
Что показывает площадь под кривой зависимости спектральной плотности энергетической светимости от длины волны?
А.
; Б.
;
В.
Ф; Г.
;
Д.
dW.
Релятивистская масса микрочастиц
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Чему равна поглощательная способность абсолютно черного тела для всех частот?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Физический смысл коэффициента поглощения (поглощательной способности)
А.
- энергия электромагнитных волн
всевозможных частот (или длин волн),
излучаемых за единицу времени с единицы
площади поверхности тела;
Б.
- энергия, излучаемая телом с единицы
площади поверхности тела в единицу
времени в единичном интервале длин волн
при данной температуре;
В.
- отношение потока излучения, поглощенного
данным телом, к потоку излучения, упавшего
на него;
Г.
- энергия, излучаемая телом в единицу
времени;
Д.
- полная мощность, переносимая
электромагнитным излучением через
какую либо поверхность при данной
температуре.
Чему равна энергия кванта электромагнитного излучения?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Каков физический смысл энергетической светимости (интегральной испускательной способности) тела (
)?
А.
– числено
равна энергии электромагнитных волн
всевозможных частот или длин волн,
излучаемых за единицу времени с единицы
площади поверхности тела;
Б.
– энергия,
излучаемая телом с единицы площади
поверхности тела в единицу времени в
единичном интервале длин волн при данной
температуре;
В.
– отношение
потока излучения, поглощенного данным
телом, к потоку излучения, упавшего на
него;
Г.
– отношение
потоков монохроматического излучения;
Д.
– энергия,
излучаемая телом в единицу времени.
Как связана энергетическая светимость тела со спектральной плотностью энергетической светимости?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Указать единицу измерения постоянной Планка.
А.
Дж; Б. Н/с; В.
;
Г.
;
Д. А/м.
Каков физический смысл потока излучения Ф?
А. Ф – численно равен энергии электромагнитных волн частот (или длин волн), излучаемых за единицу времени с единицы площади поверхности тела;
Б. Ф – полная мощность, переносимая электромагнитным излучением через какую-либо поверхность при данной температуре;
В. Ф – отношение потоков монохроматического излучения;
Г. Ф – отношение потока излучения, поглощенного данным телом, к потоку излучения, упавшего на него;
Д. Ф – энергия, излучаемая телом с единицы площади поверхности тела в единицу времени в единичном интервале частот при данной температуре.
Какой вид имеют спектры теплового излучения?
А. линейные; Б. спектральные; В. радужные;
Г. сплошные; Д. полосатые.
Как записывается закон Стефана – Больцмана?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Как зависит энергетическая светимость абсолютно черного тела от его термодинамической температуры?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Что называется спектральной плотностью энергетической светимости?
А.
численно
равна энергии электромагнитных волн
всевозможных частот (или длин волн),
излучаемых за единицу времени с единицы
площади поверхности тела;
Б.
энергия,
излучаемая телом с единицы площади
поверхности тела в единицу времени в
единичном интервале длин волн (частот)при
данной температуре;
В.
отношение
потока излучения, поглощенного данным
телом, к потоку излучения, упавшего на
него;
Г.
отношение потока монохроматического
излучения;
Д.
энергия,
излучаемая телом в единицу времени.
Как зависит длина волны
,
соответствующая максимальному значению
спектральной плотности энергетической
светимости абсолютно черного тела от
абсолютной температуры?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Как записывается формула потока излучения?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Чему соответствует максимум графика зависимости спектральной плотности энергетической светимости от длины волны?
А. Длина волны, на которую приходится максимум излучения;
Б. Частота, на которую приходится максимум излучения;
В. Полной мощности излучения;
Г. Длина волны, на которую приходится минимум излучения;
Д. Длина волны видимого участка спектра.
Какое излучение называется тепловым излучением?
А. Ультрафиолетовое излучение атомов и молекул;
Б. Рентгеновское излучение атомов и молекул;
В. Инфракрасное излучение атомов и молекул;
Г. Видимое излучение атомов и молекул;
Д. Электромагнитное излучение, возникающее при тепловом движении атомов и молекул.
Чему равна энергия фотона?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
; Д.
.
Как записывается формула, определяющая коэффициент поглощения?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Как связан поток энергии, излучаемой абсолютно черным телом, с энергетической светимостью?
А.
;
Б.
; В.
;
Г.
;
Д.
.
Выбрать единицу измерения коэффициента поглощения для абсолютно черного тела
А. Дж/с; Б. Н/м2; В. Безразмерная величина; Г. Па . с; Д. А . В.
Как записывается закон Кирхгофа для теплового излучения?
А.
;
Б.
;
В.
Г.
Д.
.
Выбрать единицу измерения энергетической светимости
А.
; Б.
; В.
; Г.
; Д.
.
Какова формула закона смещения Вина?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Формула Планка для спектральной плоскости энергетической светимости абсолютно черного тела.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Формула кинетической энергии для фотоэффекта
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Третий закон внешнего фотоэффекта.
А.Максимальная начальная скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности падающего света, а определяется только его частотой;
Б.При фиксированной частоте падающего света число фотоэлектронов, вырываемых из катода в единицу времени, пропорционально интенсивности света;
В.Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта, т.е. минимальная частота света, ниже которой фотоэффект невозможен;
Г.Сила фототока насыщения обратно пропорциональна энергетической освещенности катода.
Д. Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта, т.е. минимальная длина волны, меньше которой фотоэффект невозможен.
Выбрать уравнение Эйнштейна для фотоэффекта
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
; Д.
.
Как записывается уравнение Эйнштейна для красной границы фотоэффекта
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Укажите уравнение Эйнштейна для фотоэффекта через задерживающую разность потенциалов.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Указать условие наблюдения фотоэффекта
А.
; Б.
; В.
; Г.
; Д.
.
Выбрать правильную формулу уравнения Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Чему равна максимальная скорость нерелятивистских электронов при фотоэффекте?
А.
;
Б.
;
В.
Г.
;
Д.
.
В
ыбрать
график вольт - амперной характеристики
фотоэффекта
Формулировка первого закона фотоэффекта (закона Столетова)?
А. Сила фототока насыщения обратно пропорциональна энергетической освещенности катода;
Б. Максимальная начальная скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности падающего света, а определяется только его частотой;
В. Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта, т.е. минимальная частота света, ниже которой фотоэффект невозможен;
Г. При фиксированной частоте падающего света число фотоэлектронов, вырываемых из катода в единицу времени, пропорционально интенсивности света;
Д. Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта, т.е. минимальная длина волны, меньше которой фотоэффект невозможен.
Как импульс фотона связан с частотой?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Второй закон внешнего фотоэффекта.
А.Максимальная начальная скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности падающего света, а определяется только его частотой;
Б.При фиксированной частоте падающего света число фотоэлектронов, вырываемых из катода в единицу времени, пропорционально интенсивности света;
В.Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекты, т.е. максимальная частота света, ниже которой фотоэффект невозможен;
Г.Сила тока насыщения обратно пропорциональна энергетической освещенности катода;
Д. Для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта, т.е. минимальная длина волны, меньше которой фотоэффект невозможен.
Укажите формулу изменения длины волны в эффекте Комптона
А.
; Б.
; В.
;
Г.
; Д.
.
Как определяется комптоновская длина волны электрона?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
; Д.
.
Чему равна кинетическая энергия электрона отдачи при эффекте Комптона?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Какова природа света с корпускулярной точки зрения?
А. Поток нейтральных частиц; Б. Поток позитронов;
В. Поток фотонов; Г. Поток протонов;
Д. Поток электронов.
В чем суть гипотезы де Бройля?
А. Все движущиеся материальные микрочастицы обладают свойством корпускулярно – волновой двойственности;
Б. Все материальные микрочастицы обладают свойством корпускулярно – волновой двойственности;
В. Все движущиеся материальные тела обладают свойством корпускулярно - волновой двойственности;
Г. Все материальные тела обладают свойством корпускулярно – волновой двойственности;
Д. С движением материальных тел связан некоторый волновой процесс.
В каких явлениях проявляются волновые свойства микрочастиц?
А. Интерференция, дифракция; Б. Дифракция; В. Поляризация;
Г. Интерференция; Д. Дифракция, поляризация.
Формула длины волны де Бройля для релятивистских частиц
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Соотношение неопределенностей для энергии и времени
А.
;
Б.
; В.
;
Г.
;
Д.
.
Определите правильное выражение соотношения неопределенностей Гейзенберга
А.
;h
– постоянная Планка; Δx,
Δy,
Δz
– неопределенность
координат локализации частицы;
Б.
;h
– постоянная Планка; Δx,
Δy,
Δz
– неопределенность
координат локализации частицы;
В.
;
- элемент объема пространства локализации
частицы;
- интервал импульса частицы;
Г.
;
- элемент объема пространства локализации
частицы;
- интервал импульса частицы;
Д.
;
- интервалы, в которых заключены проекции
импульса частицы на осиX,
Y,
Z.
Формула частоты кванта ультрафиолетового света, излучаемого атомами водорода.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Как формулируется соотношение неопределенностей Гейзенберга для энергии и времени?
А. произведение неопределенности энергии на неопределенность времени не меньше постоянной Планка;
Б. произведение неопределенности импульса на неопределенности координаты не меньше постоянной Планка;
В. произведение неопределенности импульса на неопределенность координаты больше или равно постоянной Планка;
Г. произведение неопределенности энергии на неопределенность времени больше постоянной Планка;
Д. произведение неопределенности импульса на неопределенность координаты превышает постоянную Планка.
Второй постулат Бора.
А.
при переходе электрона с одной орбиты
на другую излучается (или поглощается)
фотон с энергией
;
Б.
в атоме существуют стационарные (не
изменяющиеся со временем) состояния, в
которых он не излучает энергию.
Стационарными являются состояния, для
которых момент импульса электрона
кратен постоянной Планка:
(n
= 1, 2, 3,…);
В. при фиксированной частоте падающего света число электронов, вырываемых из катода за единицу времени пропорционально интенсивности света;
Г. сила фототока насыщения пропорциональна энергетической освещенности катода;
Д.
при переходе электрона с одной стационарной
орбиты на другую совершается работа,
равная
.
Что представляет собой классическая модель нейтрального атома?
А.
В центре атома находится ядро с
электрическим зарядом
,
вокруг которого вращаютсяZ
электронов с суммарным зарядом
;
Б.
В положительно заряженную сферу зарядом
внедрены отрицательные электроны;
В. Вокруг заряженного ядра вращаются заряженные электроны с компенсирующим зарядом;
Г. Сфера, имеющая размер атома, заполнена движущимися электронами, протонами и нейтронами;
Д. Заряженное ядро окружено электронным облаком, состоящим из Z электронов.
Определите правильную формулу постулата Бора при излучении кванта энергии электроном в атоме водорода (n – номер орбиты).
А.
- излучение, если
;
Б.
- излучение, если
;
В.
- излучение, при
;
Г.
-
излучение, при
;
Д.
- излучение, при
.
Какова формула постулата Бора о стационарности орбиты электрона в атоме водорода?
А.
;
- момент импульса электрона наn
– ной орбите;
Б.
;
- импульс электрона наn
– ной орбите;
В.
;
- момент импульса электрона на орбите;
Г.
;
- импульс электрона на орбите;
Д.
;
- момент импульса электрона наn
– ной орбите.
Частота излучения кванта электромагнитной волны водородоподобным атомом
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
; Д.
.
Энергия кванта света, излучаемого атомом водорода, выраженная через энергию ионизации атома водорода
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Что определяет главное квантовое число и какие значения оно принимает?
А. Полную энергию электрона в атоме, n = 0, 1, 2, …
Б. Полную энергию электрона в атоме, n = 1, 2, 3, …
В. Кинетическую энергию электрона в атоме, n = 1, 2, 3, …
Г. Определяет номер орбиты электрона в атоме, n = 1, 2, 3, …
Д. Кинетическую энергию электрона в атоме, n = 0, 1, 2, …
Частота видимого света, излучаемого атомом водорода.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Чему равна полная энергия электрона в атоме водорода (n – главное квантовое число)?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Как формулируется первый постулат Бора?
А.
при переходе электрона с одной стационарной
орбиты на другую излучается (или
поглощается) фотон с энергией:
;
Б.
в атоме существуют стационарные (не
изменяющиеся во времени) состояния, в
которых он не излучает энергию.
Стационарными являются состояния, для
которых момент импульса электрона
кратен постоянной Планка:
(n
= 1, 2, 3,…);
В. при фиксированной частоте падающего света число электронов, вырываемых из катода в единицу времени, пропорционально интенсивности света;
Г. сила фототока насыщения пропорциональна энергетической освещенности катода.
Д.
при переходе электрона с одной стационарной
орбиты на другую совершается работа,
равная
.
Частота кванта света, излучаемого водородоподобным атомом, определяется выражением
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Какова величина энергии Ферми для полупроводника?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Что называется энергией и уровнем Ферми?
А. Максимальное значение энергии электронов при абсолютном нуле называется энергией Ферми, а соответствующий ей уровень – уровнем Ферми;
Б. Максимальное значение энергии электронов на уровне Ферми при данной температуре;
В. Максимальное значение энергетического уровня с данной энергией электронов;
Г. Наименьшее значение энергии электронов при данной температуре называется энергией Ферми, а соответствующий ей уровень – уровнем Ферми;
Д. Минимальное значение энергии электронов на уровне Ферми при данной температуре.
Какие квантовые состояния электрона называются вырожденными?
А. Различные квантовые состояния, соответствующие одному и тому же значению энергии электрона;
Б. Единственное квантовое состояние, соответствующее значению энергии электрона;
В. Разные значения энергии электрона, соответствующее одному квантовому состоянию;
Г. Различные значения энергии в различных состояниях электрона;
Д. Одинаковое значение энергии электрона для разных квантовых состояний.
От чего зависит энергия Ферми?
А.
от концентрации свободных электронов
в кристалле
;
Б.
от концентрации электронов в кристалле
;
В.
от концентрации атомов в кристалле
;
Г.
от температуры кристалла
;
Д.
от температуры кристалла и концентрации
электронов
.
Какому принципу подчиняется распределение электронов по энергетическим уровням?
А. По принципу Паули: на каждом энергетическом уровне может находиться не более двух электронов с противоположно направленными спинами;
Б. По принципу Паули: на каждом энергетическом уровне может находиться только один электрон;
В. По принципу Паули: электроны занимают энергетические уровни по два в каждом состоянии;
Г. По принципу Паули: электроны, имеющие данное значение энергии, занимают энергетический уровень, соответствующий этому значению;
Д. По принципу Паули: на данном энергетическом уровне находятся электроны с одинаковым значением энергии, в одинаковых состояниях.
Какова формула распределения Ферми – Дирака?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Какие квантовые состояния электрона называются невырожденными?
А. Единственное квантовое состояние, соответствующее значению энергии электрона;
Б. Различные квантовые состояния, соответствующие одному и тому же значению энергии электрона;
В. Разные значения энергии электрона, соответствующие одному квантовому состоянию;
Г. Различные значения энергии в различных состояниях электрона;
Д. Одинаковое значение энергии электрона для разных квантовых состояний.
В
ыбрать
правильную схему энергетических зон
изоляторов (диэлектриков).
А. Б. В. Г. Д.
Что называется собственной проводимостью полупроводника?
А. проводимость химически чистого полупроводника;
Б. проводимость полупроводника n – типа;
В. проводимость полупроводника р – типа;
Г. проводимость примесного полупроводника.
Д. примесная проводимость полупроводника.
Чем обусловлена собственная электропроводимость полупроводников?
А. Преимущественно свободными электронами;
Б. Только положительными зарядами – «дырками»;
В. Отрицательно заряженными электронами;
Г. Свободными электронами и «дырками» в равной степени;
Д. Отрицательными и положительными зарядами, имеющимися в кристалле полупроводника.
Зависимость удельной проводимости полупроводников от температуры
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Что называется примесной электропроводимостью полупроводников?
А. Проводимость полупроводников с искусственно вводимой в них примесью;
Б. Проводимость примесных полупроводников;
В. Проводимость примесей, вводимых в полупроводник;
Г. Проводимость электронов, вводимых в полупроводник;
Д. Проводимость «дырок», вводимых в полупроводник.
Каково назначение транзистора в электронных схемах?
А. Усилитель напряжения и мощности;
Б. Усилитель силы тока;
В. Выпрямитель напряжения и силы тока;
Г. Выпрямитель переменного тока;
Д. Усилитель напряжения и силы тока.
В
ыбрать
правильную схему энергетических зон
полупроводников
А Б В Г Д
Каково назначение полупроводникового диода в электронных схемах?
А. Выпрямитель переменного тока;
Б. Усилитель переменного тока;
В. Усилитель напряжения;
Г. Выпрямитель переменного напряжения;
Д. Усилитель мощности.
Какова электропроводимость полупроводников р- типа и чем она обусловлена?
А. Электронная, обусловленная атомами примеси, валентность которых на единицу больше валентности атомов чистого полупроводника;
Б. Электронная. Обусловлена атомами примеси, валентность которых на единицу меньше валентности основных атомов;
В. Дырочная. Обусловлена атомами примеси, валентность которых на единицу больше валентности атомов чистого проводника;
Г. Электронно –дырочная. Обусловлена примесными атомами, валентность которых отлична от валентности атомов чистого проводника;
Д. Дырочная. Обусловлена атомами примеси, валентность которых на единицу меньше валентности атомов чистого полупроводника.
Какая электропроводимость и как у полупроводников зависит от температуры?
А. собственная – увеличивается с увеличением температуры;
Б. собственная и примесная – увеличивается с повышением температуры;
В. собственная – уменьшается с повышением температуры;
Г. примесная – уменьшается с повышением температуры;
Д. собственная и примесная – уменьшаются с повышением температуры.
Вентильным фотоэффектом называется…
А. испускание электронов веществом под действием света;
Б. перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых и жидких полупроводниках под действием света;
В. возникновение ЭДС под действием света в системе, состоящей из контактирующих полупроводника и металла или двух разнородных полупроводников;
Г. испускание электронов при нагревании тела;
Д. испускание света под действием электрического поля.
Что называется р-п - переходом?
А. Двойной электрический слой, возникающий в месте контакта двух полупроводников п-типа и р-типа;
Б. Тонкий электронный слой на границе раздела двух полупроводников р-типа и п-типа;
В. Тонкий электрический слой, возникающий между двумя полупроводниками разного типа;
Г. Двойной электрический слой, возникающий на границе раздела чистого и примесного полупроводников;
Д. Тонкий дырочно-электронный слой между полупроводниками различного типа проводимости.
Что называется примесной электропроводимостью полупроводников?
А. Проводимость полупроводников с искусственно вводимой в них примесью;
Б. Проводимость примесных полупроводников;
В. Проводимость примесей, вводимых в полупроводник;
Г. Проводимость электронов, вводимых в полупроводник;
Д. Проводимость «дырок», вводимых в полупроводник.
Формула для измерения температурного коэффициента сопротивления полупроводника.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Каким является электронный газ в полупроводнике? Какой статистике он подчиняется?
А. Вырожденным – статистика Ферми-Дирака;
Б. Вырожденным – статистика Больцмана;
В. Невырожденным – статистика Ферми-Дирака;
Г. Вырожденным – статистика Максвелла-Больцмана;
Д
.
Невырожденным – статистика
Максвелла-Больцмана.
В
I
ольт – амперная характеристика полупроводникового диода?Что называется термоэлектродвижущей силой
?
А. Это ЭДС, возникающая за счет развития внутренних контактных разностей потенциалов в спаях двух разнородных металлов, если спаи находятся при разных температурах;
Б. Это ЭДС, возникающая в спаях двух разнородных металлов при разных температурах;
В. Это ЭДС, возникающая при контакте двух разнородных металлов в результате его нагрева;
Г. Это ЭДС, возникающая при контакте двух разнородных металлов в результате изменения его температуры;
Д. Это ЭДС, возникающая в спае двух разнородных металлов за счет различия работ выхода электронов при повышении температуры.
Единица измерения термоэлектродвижущей силы в СИ
А. Ампер; Б. Ньютон; В. Паскаль; Г. Вебер; Д. Вольт.
Что называется работой выхода электрона из металла?
А. Это наименьшая работа, которую должен совершить электрон проводимости для выхода из металла в вакуум;
Б. Это наибольшая работа, которую совершает электрон проводимости для выхода из металла в вакуум;
В. Это наименьшая полная энергия электрона проводимости, необходимая для выхода из металла в вакуум;
Г. Это работа, которую необходимо совершить, чтобы удалить электрон проводимости из металла в бесконечность;
Д. Это средняя энергия теплового движения электрона, которую он получает при переходе из металла в вакуум.
Какая из приведенных формул определяет внешнюю контактную разность потенциалов?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Какая из приведенных формул определяет внутреннюю контактную разность потенциалов?
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Формула термоэлектродвижущей силы, возникающей в цепи из разнородных проводников, имеющих различную температуру.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Уровень 2.
Вывести формулу для экспериментального определения ширины запрещенной зоны полупроводника
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
Эффект Комптона. Вывод формулы изменения длины волны.
А.
; Б.
; В.
;
Г.
; Д.
.
Вывести формулу для экспериментального определения температурного коэффициента сопротивления полупроводников.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Вывести формулу максимальной скорости нерелятивистских фотоэлектронов для фотоэффекта.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Функция распределения Ферми – Дирака. Графики функции при Т = 0 и
.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Собственная проводимость полупроводников и ее зависимость от температуры.
А.
;
Б.
; В.
;
Г.
;
Д.
.
Электрические явления в контактах: термоэлектрический эффект (явление Зеебека). Записать формулу термоэлектродвижущей силы.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Излучение и поглощение света атомами. Энергетические уровни электрона в атоме. Обобщенная формула Бальмера.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Третий закон фотоэффекта и его объяснение по теории Эйнштейна. Выбрать формулу красной границы фотоэффекта.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Эффект Комптона Вывод формулы кинетической энергии электрона отдачи
А.
; Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Вывести соотношение неопределенностей Гейзенберга для импульса и координаты микрочастицы.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.
Вывести формулу энергии электрона для атома водорода по теории Бора.
А.
;
Б.
;
В.
;
Г.
;
Д.
.