- •ГЛАВА 1. ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
- •1.1.ВВЕДЕНИЕ. ЭТАПЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
- •1.2. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕЩЕСТВОМ
- •1.2.1. Форма и ширина спектральной линии
- •1.3. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ ЛАЗЕРОВ
- •1.3.1. Рабочее вещество
- •1.3.2. Создание инверсии
- •1.3.3. Условия создания инверсной населенности
- •1.3.4. Двухуровневая система
- •1.3.5. Трехуровневые системы
- •1.3.6. Четырехуровневая система
- •1.3.7. Оптические резонаторы
- •1.3.8. Условия самовозбуждения и насыщения усиления
- •1.3.9. Импульсная генерация, модуляция добротности и синхронизация мод
- •1.4. СВОЙСТВА ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
- •1.4.1. Монохроматичность
- •1.4.2. Когерентность
- •1.4.3. Поляризация излучения
- •1.4.4. Направленность и возможность фокусирования излучения
- •1.4.5. Яркость и мощность излучения
- •1.5. ТИПЫ ЛАЗЕРОВ
- •1.5.1. Твердотельные лазеры
- •1.5.2. Рубиновый лазер
- •1.5.3. Неодимовый стеклянный лазер
- •1.5.4. Nd – ИАГ – лазеры
- •1.5.5. Газовые лазеры
- •1.5.6. Атомные лазеры
- •1.5.7. Лазеры на парах металлов
- •1.5.8. Ионные лазеры
- •1.5.9. Молекулярные лазеры
- •1.5.10. Эксимерные лазеры
- •1.5.11. Газовые лазеры в инфракрасной области спектра
- •1.5.13. Газодинамические лазеры
- •1.5.14. Электроионизационные лазеры
- •1.5.15. Полупроводниковые лазеры
- •1.5.16. Жидкостные лазеры
- •КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
- •ЗАДАЧИ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ И САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ
- •ГЛАВА 2. ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
- •2.1.ВВЕДЕНИЕ. ЭТАПЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
- •2.2. ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
- •2.2.1. Светодиоды
- •2.3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ
- •2.3.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
- •2.3.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
- •2.3.3. Фотоэлектрический эффект в n-р-переходе
- •2.3.4. Фотоэлектронные приборы в вентильном режиме
- •2.3.5. Фотодиоды
- •2.3.6. Фототранзисторы и фототиристоры
- •2.3.7. Оптоэлектронные пары
- •2.4. МОДУЛЯЦИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
- •2.4.1. Физические основы модуляции лазерного излучения
- •2.4.2. Оптические модуляторы
- •2.4.3. Дефлекторы
- •2.5.1. Элементная база ВОЛС
- •2.5.2. Классификация ВОЛС
- •2.6. ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ ХРАНЕНИЯ И ОБРАБОТКИ ИНФОРМАЦИИ
- •2.6.1. Принцип голографии
- •2.6.2. Голографическое запоминающее устройство
- •2.6.3. Голографические схемы записи и считывания информации
- •2.7. СИСТЕМЫ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
- •2.7.1. Особенности зрительного восприятия информации
- •2.7.2. Физические эффекты, используемые для отображения информации
- •2.7.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •2.7.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
- •2.8. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИНДИКАТОРЫ
- •КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
- •ЗАДАЧИ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ И САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ
- •РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
Световой поток генерирует неравновесные носители в области затвора и n-р перехода канал-затвор. В цепи затвора в результате разделения зарядов появляется фототок, и ток через канал возрастает. При этом уменьшается напряжение на стоке, которое и является выходным сигналом прибора. В
общем случае фототранзистор можно представить себе как сочетание фотодиода с усилительным транзистором в одном приборе.
2.3.7. Оптоэлектронные пары
Оптоэлектронная пара содержит светоизлучатель и фотоприемник, связь между которыми осуществляется оптически, а элементы ее гальванически полностью развязаны. Оптопары используются как элемент электрической развязки в цифровых и импульсных устройствах, системах передачи аналоговой информации, системах автоматики. Они являются составным элементом оптических микросхем. Устройство оптопары показано на рис 2.8.
5
4
3 1
2
Рис.2.8. Схема оптопары 1 - металлические электроды; 2 – светоизлучатель; 3 - прозрачные электроды
(оксид олова); 4 - оптическая среда (стекло или полимер); 5 – фотоприемник
В качестве светоизлучателей в оптопаре могут быть использованы светодиоды или лазерные диоды, а в качестве фотоприемников - фотодиоды, фототранзисторы и другие приборы.
Оптоэлектрические пары обеспечивают почти идеальную гальва- ническую развязку, невосприимчивы к воздействию электрических помех,
хорошо совместимы с интегральными микросхемами и имеют широкие функциональные возможности.
Имеется ряд пар источник-фотоприемник, достаточно хорошо согласующихся друг с другом. В качестве примера можно привести следующие пары:
77