Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Программа Государственного экзамена (бак)2012.doc
Скачиваний:
23
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
845 Кб
Скачать
☆

1.4. Квантовая и оптическая электроника

Взаимодействие электромагнитного излучения с атомами и молекулами. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Свойства, распространение и преобразование лазерных пучков. Линейная кристаллооптика. Нелинейная оптика. Оптические явления в однородных полупроводниках и гетероструктурах. Мазеры. Газовые лазеры. Твердотельные и жидкостные лазеры. Светодиоды и полупроводниковые лазеры. Фотоприемники и приборы управления оптическим излучением. Оптические методы передачи и обработки информации.

1.5. Вакуумная и плазменная электроника

Электронная эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная, вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссия. Электронный поток, его формирование и транспортировка: интенсивные и неинтенсивные, релятивистские и нерелятивистские электронные потоки. Способы формирования электронных потоков различной интенсивности (электронные пушки и прожекторы), транспортировка электронного потока и способы ограничения его поперечных размеров. Управление электронными потоками: электрические и магнитные способы управления плотностью и скоростью электронов. Катодолюминисценция, катодоусиление, рентгеновское излучение, нагрев Ионизованный газ и плазма. Элементарные процессы в плазме и на пограничных поверхностях. Основные методы генерации плазмы. Типы газовых разрядов. Общие свойства плазмы: явления переноса, плазма в магнитном поле, колебания, неустойчивости и эмиссионные свойства плазмы, излучение плазмы, методы ускорения плазменных потоков. При-менение плазмы в электронике.

Раздел 2. Программа государственного экзамена по дисциплинам специальной подготовки

2.1. Физика твердого тела

Структура и симметрия кристаллов. Прямая и обратная решетка. Тензорное описание физических свойств кристаллов. Электронные состояния в кристаллах. Классификация твердых тел. Энергия связи. Зонная структура полупроводников. Колебания кристаллической решетки. Фононы. Дефекты в кристаллах. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Кинетические явления в полупроводниках и металлах. Оптические свойства кристаллов. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Свойства диэлектриков. Некристаллические твердые тела. Магнитные свойства кристаллов. Сверхпроводимость.

2.2. Технология материалов электронной техники

Основные процессы в гетерогенных химико-технологических системах. Технология процессов переработки сырьевых материалов. Физико-химические основы процессов затвердевания. Технология получения монокристаллических материалов. Физико-химические основы процессов легирования монокристаллов. Технология получения некристаллических материалов. Технология получения композиционных материалов. Организация технологических процессов производства мате риалов электронной техники

2.3. Процессы микро- и нанотехнологии

Системный подход к процессам микро- и нанотехнологии. Производственная чистота, гигиена и безопасность. Оборудование и методы нанесения вещества: газофазное осаждение, жидко-фазная эпитаксия; аатомно-молекулярная сборка.Оборудование и методы удаления вещества:газовое, жидкостное, ионно-плазменное травление; ориентационно-чувствительные процессы травления. Оборудование и методы модифицирования вещества:процессы окисления, диффузии, ионного легирования, термического и корпускулярно-лучевого отжига; имплантография. Оборудование и методы литографии: фото-, электроно- и рентгенолитография; стереолитография; нанолитография. Сборка и герметизация. Интенсификация и интеграция процессов микро- и нанотехнологии.