- •Статистика примесных состояний в полупроводниках
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом.
- •Технология ионного легирования полупроводников.
- •Колебания кристаллической решетки. Акустические и оптические фононы.
- •Биполярные транзисторы.
- •Электрически активные диэлектрики.
- •23 Апреля 2015г.
- •Дефекты в кристаллах.
- •Элементы спинотронтки
- •Пассивные элементы полупроводниковых ис: методы получения и их характеристики.
- •23 Апреля 2015г.
- •Электропроводность полупроводников.
- •Фотодиоды.
- •Литография в микро- и наноэлектронике.
- •23 Апреля 2015г.
- •Люминесценция.
- •Микропроцессоры.
- •Эпитаксия.
- •23 Апреля 2015г.
- •Фотопроводимость полупроводников.
- •Полупроводниковый инжекционный лазер.
- •Методы получения чистых веществ.
- •23 Апреля 2015г.
- •Зонная структура п/п-в.
- •Квантово–размерные эффекты в наноструктурах.
- •Термодинамический потенциал.
- •23 Апреля 2015г.
- •Генерация и рекомбинация в полупроводниках
- •Светодиоды.
- •23 Апреля 2015г.
- •Дифракционные методы исследования структуры твердых тел.
- •Принцип работы квантовых генераторов и усилителей.
- •Операционные усилители.
- •23 Апреля 2015г.
- •Концентрация электронов и дырок в собственных полупроводниках.
- •Прямые и непрямые переходы в полупроводниках.
- •Сверхпроводники.
- •23 Апреля 2015г.
- •Гетеропереходы. Механизмы инжекции и рекомбинации.
- •Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник.
- •Методы травления веществ.
- •23 Апреля 2015г.
- •Электронная микроскопия
- •Механизмы и кинетика роста кристаллов.
- •23 Апреля 2015г.
- •Контактные явления в полупроводниках
- •Определение концентрации и подвижности носителей методом эффекта Холла.
- •Методы легирования монокристаллов.
- •23 Апреля 2015г.
- •Твердотельные лазеры.
- •Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи.
- •Электронные пушки. Методы управления электронными потоками.
- •23 Апреля 2015г.
- •Электронная эмиссия.
- •Типы связей в твердых телах.
- •Основные методы измерения электрофизических параметровполупроводников.
- •23 Апреля 2015г.
- •Основные механизмы поглощения света в полупроводниках.
- •Сверхрешетки
- •Магнитные материалы.
- •23 Апреля 2015г.
-
Фотопроводимость полупроводников.
-
Полупроводниковый инжекционный лазер.
-
Методы получения чистых веществ.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
23 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А. Садыков
Декан физ. факультета _________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавриат)
БИЛЕТ №7
-
Зонная структура п/п-в.
-
Квантово–размерные эффекты в наноструктурах.
-
Термодинамический потенциал.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
23 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А. Садыков
Декан физ. факультета ________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавриат)
БИЛЕТ №8
-
Генерация и рекомбинация в полупроводниках
-
Светодиоды.
-
МДП -транзисторы.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
23 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков
Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавриат)
БИЛЕТ №9
-
Дифракционные методы исследования структуры твердых тел.
-
Принцип работы квантовых генераторов и усилителей.
-
Операционные усилители.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
23 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А. Садыков
Декан физ. факультета ________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавриат)
БИЛЕТ №10
-
Концентрация электронов и дырок в собственных полупроводниках.
-
Прямые и непрямые переходы в полупроводниках.
-
Сверхпроводники.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
23 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А. Садыков
Декан физ. факультета ________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по направлению 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавриат)
БИЛЕТ №11