- •Структура и симметрия кристаллов. Индексы Миллера.
- •Биполярные транзисторы.
- •Механизмы и кинетика роста кристаллов.
- •Дефекты в кристаллах.
- •Принцип работы оптического квантового генератора.
- •Оптические методы измерения параметров полупроводников.
- •3 Апреля 2015г.
- •Колебания кристаллической решетки. Акустические и оптические фононы.
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом, принцип работы. Основные характеристики.
- •Ионное легирование.
- •3 Апреля 2015г.
- •Люминесценция твердых тел.
- •Светодиоды. Принцип работы и основные характеристики.
- •Электронная эмиссия: термо-, авто- и фотоэлектронная эмиссия.
- •3 Апреля 2015г.
- •Основные механизмы генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках.
- •Принцип действия и характеристики мдп-транзистора.
- •Классификация фазовых переходов. Фазовые переходы в твердом состоянии.
- •3 Апреля 2015г.
- •Сверхпроводимость. Основные идеи теории Бардина-Купера-Шриффера.
- •Фоторезисторы, фотодиоды: принцип действия и их основные параметры.
- •Эпитаксия. Механизмы и методы эпитаксии.
- •3 Апреля 2015г.
- •Дифракционные методы исследования структуры твердых тел.
- •Вах идеализированного и реального диода.
- •Литография.
- •3 Апреля 2015г.
- •Генерация и рекомбинация в полупроводниках.Уравнение непрерывности для полупроводников.
- •Соединения типа а111вv и твердые растворы на их основе.
- •3 Апреля 2015г.
- •Излучательная рекомбинация в прямозонных и непрямозонных полупроводниках
- •Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник.
- •Методы травления в технологии интегральных микросхем (имс).
- •3 Апреля 2015г.
- •Плотность квантовых состояний в разрешенных зонах. Случай 2d,1d –и нульмерного электронного газа.
- •Стабилитроны и варикапы: принцип действия, свойства, применение.
- •Емкостные методы измерения параметров полупроводников.
- •3 Апреля 2015г.
- •Природа и типы связей в твердых телах.
- •Движение электрона в периодическом поле кристалла под действием внешнего электрического поля. Эффективная масса электрона.
- •Основные логические элементы.
- •3 Апреля 2015г.
- •Теплоемкость твердых тел.
- •Структура, принцип действия и вах триодного тиристора.
- •Приборы с зарядовой связью.
- •3 Апреля 2015г.
- •Аморфные полупроводники.
- •Примеси и примесные уровни. Статистика примесных состояний в полупроводниках.
- •Элементы магнетоэлектроники. Запоминающие и логические элементы на цмд.
- •3 Апреля 2015г.
- •Гетеропереходы.
- •Технологии получения монокристаллических материалов.
- •Логические элементы на мдп-транзисторах в ис.
- •3 Апреля 2015г.
- •Уравнение Шредингера для электронов в кристалле.
- •Операционный усилитель.
- •Методы измерения удельного сопротивления полупроводников.
- •3 Апреля 2015г.
- •Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике.
- •Пассивные элементы полупроводниковых ис: методы получения и их характеристики.
- •Холловский метод измерения концентрации носителей заряда в полупроводниках.
- •3 Апреля 2015г.
- •Дрейфовые и диффузионные токи. Соотношение Эйнштейна.
- •Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи.
- •Правило фаз Гиббса.
- •3 Апреля 2015г.
- •Поляризация диэлектриков.
- •Полупроводниковые инжекционные лазеры.
- •Метод магнетронного распыления и осаждения тонких пленок.
- •3 Апреля 2015г.
- •Квантовая статистика Ферми-Дирака.
- •Тиристоры.
- •Магнитные материалы и компоненты.
- •Полупроводниковые р-п переходы.
- •Теплопроводность твердых тел.
- •Технология получения керамических материалов.
- •3 Апреля 2015г.
-
Сверхпроводимость. Основные идеи теории Бардина-Купера-Шриффера.
-
Фоторезисторы, фотодиоды: принцип действия и их основные параметры.
-
Эпитаксия. Механизмы и методы эпитаксии.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
3 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков
Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности
«Микроэлектроника и твердотельная электроника»
БИЛЕТ №7
-
Дифракционные методы исследования структуры твердых тел.
-
Вах идеализированного и реального диода.
-
Литография.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
3 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков
Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности
«Микроэлектроника и твердотельная электроника»
БИЛЕТ №8
-
Генерация и рекомбинация в полупроводниках.Уравнение непрерывности для полупроводников.
-
МЕП-транзисторы в ИС на основе GaAs.
-
Соединения типа а111вv и твердые растворы на их основе.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
3 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков
Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности
«Микроэлектроника и твердотельная электроника»
БИЛЕТ №9
-
Излучательная рекомбинация в прямозонных и непрямозонных полупроводниках
-
Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник.
-
Методы травления в технологии интегральных микросхем (имс).
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.
3 Апреля 2015г.
Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков
Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Дагестанский государственный университет»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН
по специальности
«Микроэлектроника и твердотельная электроника»
БИЛЕТ №10
-
Плотность квантовых состояний в разрешенных зонах. Случай 2d,1d –и нульмерного электронного газа.
-
Стабилитроны и варикапы: принцип действия, свойства, применение.
-
Емкостные методы измерения параметров полупроводников.
Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.