3. Ескізний розрахунок структурної схеми
Рисунок 3.1. Загальна структурна схема ПНЧ
3.1 Розраховуємо напругу живлення:
Ez=(1.1…1.2)2Un
Ez=(26.4…28.8) В
З стандартного ряду вибираємо Еж=27 В.
3.2 Розраховуємо необхідний коефіцієнт підсилення підсилювача:
Ku=
Ku==2666,66
3.3 Вибираємо необхідну кількість каскадів, щоб забезпечити необхідний коефіцієнт підсилення:
N=, де Ku1=50
N=
Отже вибираємо N=3 каскади проміжного підсилення.
Намалюємо структурну схему підсилювача, яка складається з 3-ох проміжних каскадів, що забезпечує дане підсилення:
Рисунок 3.2. Структурна схема підсилювача
3.4 Розраховуємо напругу живлення для схеми підсилювача низької частоти:
З стандартного ряду вибираємо джерело живлення, що входить в дані межі Еж=27В
Напруга живлення 3-го підсилювального каскаду:
→24 В.
Напруга живлення 2-го підсилювального каскаду:
→18 В.
Напруга живлення 1-го підсилювального каскаду:
→15 В.
Розраховуємо напругу живлення вхідного каскаду:
→24 В.
3.5 Розбиваємо частотні спотворення в ділянці НЧ між каскадами:
Каскади |
Частотні спотворення в ділянці НЧ, дБ |
Частотні спотворення в ділянці НЧ, раз |
Мн1 |
0,4 |
1.05 |
Мн2 |
0,5 |
1.08 |
Мн3 |
0,5 |
1.08 |
Мн4 |
0,5 |
1.06 |
Мн5 |
1,1 |
1.15 |
М∑ |
3 |
1.41 |
2.Розрахунок підсилювача нч на дискретних елементах
2.1 Розрахунок вихідного еп
Рис. 2.1.1 Схема двотактного
емітерного повторювача
Вихідні дані:
Uн= 12 B
Rн= 65Oм
Cн= 50×10-12 Ф
Eж=+27 B
Fн=20 Гц
Fв=130×103 Гц
Для вихідного каскаду використовуємо транзистори типу 2SC3298B і 2SA1306B з наступними параметрами: UКД = 200 В; ІКД= 1.5А; РКД = 20 Вт; h21E = 130; CK = 25 пФ; = 250 пс; FГР = 100 МГц.
Принципова схема вхідного емітерного повторювача наведена на рис. 2.1.1.
2.1.1 Розраховуємо амплітуду струму, яку повинен забезпечити каскад в навантаженні:
Iн=12В/65Ом=185мА
2.1.2 Вибираємо струм спокою транзисторів ІК0 з умови:
.
=(9.23 …28)мА
Вибираємо IК0 = 18 мА.
2.1.3 Розраховуємо максимальне значення струму бази транзисторів вихідного емітерного повторювача:
.
=(20мА +185мА)/60=1,56 мА
2.1.4 Вибираємо струм дільника базового зміщення:
.
=(3,12…4,68)мА
Вибираємо = 3,89 мА.
2.1.5 Розраховуємо номінальні значення опорів дільника базового зміщення:
.
R17 = R20 = (27 - 0.7) / 0.0038 = 3,285 кОм
Вибираємо R17= R20=3,3кОм
R18= R19=0.7 / 0.0038 = 179,651 Ом
Вибираємо R18 = R19=180 Ом
2.1.6 Визначаємо вхідний опір транзистора вихідного емітерного повторювача :
= 250/ 25= 10 Ом
= 26/
= 26/ 18= 1,44 Ом
,
= 10 + (1,44+65)(1 + 130) = 8,714 кОм
2.1.7 Розраховуємо вхідний опір каскаду.
.
= 87143465= 1,448 кОм
2.1.8 Розраховуємо верхню граничну частоту вихідного емітерного повторювача:
,
= 10034653465 = 94,54 Ом
.
= 2∙25пФ = 50 пФ
,
Fвк=1/(2π∙1448∙50∙10-12)= 33,66 МГц
2.1.9 Розраховуємо частотні спотворення каскаду на верхній граничній частоті:
.
2.1.10 Розраховуємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою:
.
= 130/(1+130) = 0,992
Але реальний коефіцієнт підсилення на цьому каскаді: 0.935 тому далі будемо використовувати саме це число.
2.1.11 Визначаємо необхідну амплітуду вхідного сигналу:
= 12/0,935 = 12,834 В
2.1.12 Розраховуємо вихідний опір каскаду:
.
= 1,44+(1,44+94,54)/131 = 2,177 Ом
2.1.13 Розраховуємо потужність, яка розсіюється на колекторі одного транзистора в режимі максимального сигналу:
= 27*0.018 + 0.318*0.185*27 – 0.25 * *65 = 1,55 Вт
Умова РК < РКД справджується:
=1,57 Вт, = 12,5Вт
2.1.14 Розраховуємо потужність, яка споживається від одного джерела живлення:
Вт