9 Классификация биполярных транзисторов

Классификация биполярных транзисторов проводится по следующим признакам:

1. По роду исходного материала – германиевые, кремниевые, арсенидогаллиевые.

2. По типу полярности – р-п-р и п-р-п транзисторы.

3. По технологическим особенностям – сплавные, планарные, эпитаксиально-планарные, диффузионно-сплавные, меза-планарные, меза-эпитаксиально-планарные и т.п.

4. По рассеиваемой мощности – маломощные (до 300 мВт), средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) и большой мощности (более 1,5 Вт).

5. По граничной частоте – низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 МГц до 30 МГц), высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (более 300 МГц).

6. По функциональному назначению. По этому признаку биполярные транзисторы подразделяются на 13 групп:

   0. Усилительные низкочастотные (менее 30 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   1. Усилительные низкочастотные (менее 30 МГц) с ненормированным коэффициентом шума.

   2. Усилительные высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   3. Усилительные высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   4. Усилительные сверхвысокочастотные (более 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   5. Усилительные сверхвысокочастотные (более 300 МГц) с ненормированным коэффициентом шума.

   6. Усилительные мощные высоковольтные.

   7. Высокочастотные генераторные.

   8. Сверхвысокочастотные генераторные.

   9. Переключающие маломощные.

   10. Переключающие мощные высоковольтные.

   11. Импульсные мощные высоковольтные.

10 Система обозначений биполярных транзисторов

В основу системы обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов (для биполярных транзисторов буква Т), третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов единой технологии.

Для обозначения материала (первый элемент) используют: Г или 1 – германий и его соединения; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 – фосфид индия.

Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются букву Т – биполярный транзистор.

Значение третьего элемента (цифра), характеризующего основной признак прибора, для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту:

1 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

2,3 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

4,5 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

6,7 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

8 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

9 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

Примеры обозначений:

КТ3107Е – кремниевый среднечастотный маломощный транзистор, номер разработки 107, группа Е. 2Т922В – кремниевый высокочастотный мощный транзистор, номер разработки 15, группа В.