За счёт неподвижных ионов химической примеси

От внешнего напряжения

За счёт ударной ионизации

За счёт температуры

За счёт внешних воздействий

За счёт добавления легирующих примесей

$$$Зачем ограничивают обратное напряжение диода?

Чтобы не допустить пробоя

Чтобы диод не вышел из строя

Не допустить перегрева

Во избежание короткого замыкания

Чтобы ограничить ток

$$$Обозначение резистора 7Е5 означает величину в:

семь целых пять десятых Ома

7, 5 Ома

емкость в семь целых пять десятых микрофарады

емкость в семь целых пять десятых пикофарады

емкость в семь целых пять десятых нанофарады

пять целых семь десятых

705 Ом

$$$К недостаткам полупроводниковых приборов относится:

Ограниченный температурный режим

Работа полупроводниковых приборов резко ухудшается под действием

радиоактивного излучения.

Высокая стоимость

Работа не с основными носителями

Необходимость низкого напряжения

Необходимость вакуума

Зависимость электропроводности кристалла

$$$К полупроводникам р-типа относятся

Полупроводник с избытком концентрации дырок

Полупроводник с положительной проводимостью

Кристалл обладающий избытком концентрации электронов

Рекомбинированные полупроводники

Кристаллическая решетка с избытком электронов

Полупроводник с зоной свободной проводимости

Полупроводник с зоной ограниченной проводимости

$$$К полупроводникам п—типа относятся

кристаллическая решетка с избыткам электронов

Полупроводник с отрицательной проводимостью

кристалл обладающий избытком концентрации электронов

рекомбинированный переход

полупроводник с зоной проводимостью

полупроводник с избытком концентрации дырок

Полупроводник с зоной малой проводимости

$$$При включения полупроводникового р-п перехода в прямом направлении:

положительный полюс источника соединяют с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от п-области;

напряженность результирующего поля падает , снижается потенциальный барьер;

полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную;

положительный полюс питания соединяют с выводом от п-области, а отрицательный - с р—областью;

изменить структуру кристаллической решетки полупроводника;

изменить полярность внутреннего источника питания;

$$$При включения полупроводникового р-п перехода в обратном направлении

положительный полюс питания соединяют с выводом от п-области, а отрицательный с р-областью;

напряженность результирующего поля падает, растет потенциальный барьер;

полярность внешнего источника питания изменить на противоположную;

положительный понос источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от п-области;

изменить структуру кристаллической решетки полупроводника;

изменить полярность внутреннего источника питания;

$$$Основное свойство полупроводникового выпрямительного диода:

пропускать ток в прямом направлении;

непропускать ток в обратном направлении;

пропускать ток в обратном направлении;

преобразовать постоянный ток в пульсирующий;

не пропускать большие напряжения;

ни один из ответов не правилен;

пропускать ток в обоих направлениях;

пропускать ток больших значений

$$$Основной недостаток полупроводникового диода заключается в:

в наличии малого обратного тока;

Ограниченный температурный режим

в наличии резкого увеличения прямого тока;

в зависимости выпрямленного тока от напряжения;

отсутствие в характеристике плавно изменяющейся кривизны;

в наличии большого прямого тока

$$$Стабилитронами и стабисторами называются кремниевые полупроводниковые диоды, вольтамперные характеристики которых имеют: