
- •Электротехника, электроника
- •Микропроцессорная техника
- •Содержание
- •Введение
- •Тематический план
- •Часть 1. Электротехника
- •1 Основные понятия и определения
- •1.1 Общие сведения
- •1.2 Резистивные элементы
- •1.3 Индуктивный и емкостный элементы
- •1.4 Источники постоянного напряжения
- •2 Электрические цепи постоянного тока
- •2.1 Общие сведения
- •2.2 Законы Кирхгофа
- •2.2.1 Первый закон Кирхгофа
- •2.2.2 Второй закон Кирхгофа
- •2.3 Методы расчета линейных электрических цепей
- •2.3.1 Расчет цепей с использованием законов Кирхгофа
- •2.3.2 Метод контурных токов
- •2.4 Распределение потенциалов вдоль электрической цепи
- •2.5 Последовательное и параллельное соединения резистивных элементов
- •2.5.1 Последовательное соединение
- •2.5.2 Параллельное соединение
- •2.6 Электрическая энергия и мощность
- •2.7 Номинальные величины источников и приемников. Режимы работы электрических цепей
- •3 Линейные однофазные электрические цепи синусоидального тока
- •3.1 Основные величины, характеризующие синусоидальные ток, напряжение и эдс
- •3.1.1 Мгновенное значение
- •3.1.2 Действующее и среднее значения синусоидальных токов и напряжений
- •3.1.3 Изображение синусоидальных токов, напряжений и эдс комплексными числами и векторами
- •3.2 Элементы электрических цепей синусоидального тока
- •3.2.1 Резистивный элемент (рэ)
- •3.2.2 Индуктивный элемент
- •3.2.3 Емкостный элемент
- •3.3 Расчет неразветвленной электрической цепи синусоидального тока
- •3.4 Мощность в линейных цепях синусоидального тока
- •4 Трехфазные линейные электрические цепи синусоидального тока
- •4.1 Трехфазный источник электрической энергии
- •4.2 Анализ электрических цепей при соединении трехфазного источника и приемника по схеме «звезда» с нулевым проводом
- •4.3 Соединение приемника по схеме «треугольник»
- •4.4 Мощность трехфазной цепи
- •4.4.1 Трехфазная электрическая цепь с симметричным приемником
- •5 Электрические трансформаторы
- •5.1 Общие сведения
- •5.2 Принцип действия электрического трансформатора
- •5.3 Работа электрического трансформатора в режиме холостого хода
- •5.4 Опыт короткого замыкания
- •5.5 Мощность потерь в трансформаторе
- •5.6 Автотрансформаторы
- •6 Электрические машины
- •6.1 Общие сведения
- •6.2 Вращающееся магнитное поле
- •6.3 Асинхронные машины
- •6.3.1 Принцип действия асинхронного двигателя (ад)
- •6.3.2 Устройство асинхронного двигателя
- •6.3.3 Характеристики асинхронного двигателя
- •6.4 Машины постоянного тока
- •6.4.1 Общие понятия об устройстве машин постоянного тока и принципе их действия
- •6.4.2 Эдс обмотки якоря и электромагнитный момент
- •6.4.3 Электрические двигатели постоянного тока
- •6.4.4 Способы регулирования скорости двигателя постоянного тока
- •6.4.5 Пуск электродвигателей постоянного тока
- •Часть 2 электроника
- •1 Пассивные элементы электронных схем
- •1.1 Резисторы
- •Резисторы постоянного сопротивления. Углеродистые резисторы (блп) – резистивный элемент которых представляет собой тонкую пленку углерода, осажденную на основание из керамики.
- •1.2 Конденсаторы
- •1.3 Катушки индуктивности
- •1.4 Трансформаторы
- •2 Физические основы полупроводниковых приборов
- •2.1 Зонная теория твердого тела
- •2.2 Собственная электропроводность полупроводников
- •2.3 Примесные полупроводники
- •2.4 Полупроводниковые резисторы
- •2.5 Электронно-дырочный переход
- •2.5.1 Полупроводниковый p-n-переход в отсутствие внешних напряжений
- •2.5.2 Прямое смещение p-n-перехода
- •2.5.3 Обратное смещение p-n-перехода
- •3 Полупроводниковые приборы
- •3.1 Диоды
- •3.1.1 Выпрямительные диоды
- •3.1.2 Кремниевые стабилитроны
- •Обозначения полупроводниковых диодов состоят из пяти элементов.
- •3.2 Транзисторы
- •3.2.1 Полевые транзисторы
- •3.2.1.1 Полевые транзисторы с p-n-переходом
- •Внутреннее (выходное)сопротивление полевого транзистора
- •3.2.2 Биполярные транзисторы
- •3.3 Тиристоры
- •3.3.1 Устройство и принцип действия
- •3.3.2 Основные параметры тиристоров
- •3.3.3 Симистор
- •4 Операционный усилитель
- •4.1 Основные параметры и характеристики
- •4.2 Устройства на базе операционных усилителей
- •4.3 Импульсные устройства на операционных усилителях
- •5 Выпрямительные устройства
- •5.1 Однофазные выпрямители на полупроводниковых диодах
- •Цифровые устройства
- •6 Логические функции и устройства
- •6.1 Основные логические операции и их реализация
- •6.2 Триггеры
- •6.3 Цифровые счетчики импульсов
- •6.4 Регистры
- •6.5 Дешифраторы
- •6.6 Мультиплексоры
- •6.7 Постоянные запоминающие устройства (пзу)
- •7 Микропроцессоры
- •Список использованной литературы
- •Электротехника, электроника и микропроцессорная техника
- •98309 Г. Керчь, Орджоникидзе, 82.
3 Полупроводниковые приборы
3.1 Диоды
Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя слоями проводимости, заключенный в корпус и снабженный двумя выводами для присоединения во внешнюю цепь.
По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные, импульсные, туннельные, кремниевые стабилитроны, варикапы, магнитодиоды, светоизлучающие диоды, фотодиоды.
Общим для всех типов диодов является то, что они выполнены на основе полупроводникового p-n-перехода. В зависимости от типа диода в качестве рабочего участка используется прямая или обратная ветвь вольт-амперной характеристикиp-n-перехода. На рис. 3.1 показана вольт-амперная характеристика диода.
Наиболее общими для всех диодов считаются четыре параметра:
-предельно
допустимый прямой ток Iпр
max,
-прямое падение напряжения ∆Uа(на прямой ветви вольт-амперной характеристики),
-предельно допустимое обратное напряжение Uобр max,
-обратный ток Iобрпри заданной температуре кристалла (на обратной ветви вольт-амперной характеристики).
Обратная ветвь ВАХ диода показана на рис. 3.1. На участке 0-1 происходит увеличение обратного тока за счет уменьшения тока диффузии до нуля, поэтому составляющей обратного тока остается только ток дрейфа. На участке 1-2 у идеальных диодов обратный ток не изменяется, так как при неизменной температуре количество неосновных носителей заряда, создающих обратный ток, при изменении обратного напряжения не меняется. Однако в реальных диодах существует ток утечки по поверхности полупроводника, поэтому на самом деле участок 1-2 имеет наклон. На участке 2-3 проявляется влияние явления генерации носителей заряда, которое на участке 3-4 приводит к электрическому пробою – резкому возрастанию обратного тока.
Электрический пробой является обратимым процессом. Это означает, что он не приводит к повреждению диода, и при снижении напряжения свойства диода сохраняются.
Участок 4-5 вольт-амперной характеристики диода соответствует тепловому пробою, который возникает при недопустимом повышении температуры. Процесс развивается лавинообразно, так как увеличение числа носителей заряда за счет увеличения температуры вызывает увеличение обратного тока и, следовательно, еще больший разогрев p-n-перехода. Процесс заканчивается расплавлениемp-n-перехода и выходом прибора из строя.
3.1.1 Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды, как следует из названия, предназначены для выпрямления переменного тока. Условное обозначение и структура выпрямительных диодов показаны на рис. 3.2. Диод имеет два вывода: анод(А) икатод(К).
Основные справочные параметры выпрямительных диодов:
- допустимый выпрямленный ток Iпр ср(среднее значение прямого тока);
- прямое падение напряжения Uпр ≈ ∆Uпр при номинальном значении прямого тока;
- максимально допустимое обратное напряжение Uобр max;
- обратный ток Iобр при заданном значении температуры кристалла.
Выпрямительные диоды можно условно разделить на выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. К выпрямительным диодам малой мощности относятся диоды с допустимым выпрямленным током до 300 мА. Такие диоды выпускаются на максимальные напряжения от десятков вольт до 1200 В. На более высокие напряжения выпускаются выпрямительные столбы, содержащие последовательно соединенные диоды. Обратные токи не превышают 300 мкА для германиевых и 10 мкА для кремниевых диодов. По частотным свойствам диоды этого типа подразделяют на низкочастотные (до 400 Гц) и высокочастотные (10-20 кГц).
Конструкция и
вольт-амперные характеристики сплавного
германиевого диода Д7Ж (Ia
ср доп =300 мА,Uобр
max =
700 В) показаны на рис. 3.3.
К выпрямительным диодам средней мощности относятся диоды, допустимое среднее значение прямого тока которых лежит в диапазоне 300 мА - 10 А. Больший прямой ток этих диодов по сравнению с маломощными достигается увеличением рабочей площади p-n-перехода. Диоды средней мощности выпускаются преимущественно кремниевыми, поэтому обратный ток у них достаточно мал (несколько десятков микроампер) при сравнительно большой площадиp-n-перехода.
Теплота, выделяемая в кристалле от протекания прямого и обратного токов в диодах средней мощности, уже не может быть рассеяна корпусом прибора. Для улучшения условий теплоотвода применяют дополнительные охладители-радиаторы. Для крепления на радиатор корпус диода имеет стержень с винтовой нарезкой. Диоды с плоским основанием крепят (прижимают) к радиатору с помощью фланцевого соединения.
Пример возможной конструкции выпрямительных диодов средней мощности показан на рис. 3.4.
К выпрямительным диодам большой мощности (силовым диодам, вентилям) относятся диоды на токи от 10 А и выше (рис. 3.5). Выпускаются силовые диоды на токи 10, 16, 25, 40 и т.д. до 1000 А и обратные напряжения до 3500 В.
Работа силовых вентилей при больших токах и высоких обратных напряжениях связана с выделением большой мощности в p-n-переходе. Поэтому предусматриваются методы эффективного отвода теплоты, выделяемой вp-n-переходе. В установках с мощными вентилями применяют воздушное и жидкостное охлаждение. При воздушном охлаждении отвод теплоты производится с помощью радиатора и проходящего вдоль его ребер потока воздуха. При этом охлаждение может быть естественным или принудительным, когда используется принудительный обдув радиатора с помощью вентилятора. При жидкостном охлаждении в радиатор по специальным каналам пропускается теплоотводящая жидкость, например, вода, антифриз, трансформаторное масло, синтетические диэлектрические жидкости.