лабы / электроника / электр~2 / моилаб~1 / фом / микроэ~1 / транзи~1 / транзи~1

ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Автоматики и телемеханики

Лабораторная работа №2

Тема: Исследование полупроводниковых триодов.

выполнил: студент группы АТ-01-2

Лузин М.М.

проверил: Третьяков Н.В.

Пермь 2002

Цель работы: получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем ОЭ и ОБ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным данным.

1. Схема ОЭ.

Выходные статические характеристики схемы ОЭ. Таблица 1

Uкэ, В	Iк, мА
	Iб=0 мА	Iб=0,05 мА	Iб=0,1 мА	Iб=0,15 мА	Iб=0,2 мА
0	0	0,038	0,038	0,038	0,038
0,5	0,046	3,108	6,667	9,922	13,02
2	0,054	3,457	7,674	11,32	15,19
4	0,062	3,659	8,139	11,93	16,05
6	0,069	3,899	8,364	12,48	17,13
8	0,077	4,186	8,914	13,33	18,53
10	0,085	4,341	9,457	14,34	19,99

Входные статические характеристики схемы ОЭ. Таблица 2

Uк=0 В		Uк= -5 В
Iб, мА	Uбэ, В	Iб, мА	Uбэ, В
0	0	0	0,06
0,05	0,13	0,05	0,19
0,1	0,16	0,1	0,23
0,15	0,18	0,15	0,25
0,2	0,2	0,2	0,26

По полученным данным построим вольтамперные характеристики:

Входные Вольт-Амперные характеристики транзистора с общим эмиттером

2. Схема ОБ

Выходные статические характеристики схемы ОБ. Таблица 3

Uкб, В	Iк, мА
	Iэ=0 мА	Iэ=2 мА	Iэ=4 мА	Iэ=6 мА	Iэ=8 мА	Iэ=10 мА
0	0,00	1,28	2,46	3,40	4,25	5,06
0,5	0,03	1,60	3,51	5,39	7,20	9,06
2	0,06	1,62	3,53	5,41	7,22	9,09
4	0,07	1,63	3,54	5,42	7,25	9,15
6	0,08	1,63	3,57	5,44	7,27	9,16
8	0,09	1,65	3,58	5,44	7,31	9,18
10	0,10	1,66	3,59	5,45	7,33	9,19

Входные статические характеристики схемы ОБ. Таблица 4

Uкб=0 В		Uкб= 5 В
Iэ, мА	Uэб, В	Iэ, мА	Uэб, В
0	0,06	0	0,00
0,5	0,13	0,5	0,10
2	0,18	2	0,15
4	0,22	4	0,17
6	0,25	6	0,19
8	0,28	8	0,21
10	0,31	10	0,22

Рассчитаем H-параметры для транзистора, включенного по схеме с общей базой в точке: Iэ=8 мА, Uкб=5 В.

(Ом) – Входное дифференциальное сопротивление транзистора включенного по схеме «общая база»

- Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

- Коэффициент усиления по току транзистора, включенного по схеме «общая база»

(Сим) – Выходная проводимость транзистора включенного по схеме «общая база»

По полученным данным построим вольтамперные характеристики:

Вывод по лабораторной:

Исследованный нами транзистор используется для усиления низкочастотных сигналов (коэффициент усиления по напряжению довольно высокий - 9450).

При включении транзистора по схеме «общая база» коэффициент усиления по току меньше единицы, что является отрицательной чертой данной схемы включения (очень малое входное сопротивление, которое требует большую входную мощность, нежели схема «общий эмиттер»).

Список использованной литературы:

1. Бобров И.И., Кропачев Г.В. «Физические основы микроэлектроники». – Пермь: ПГТУ, 1995;

2. Бобров И.И. «Управляемые и неуправляемые преобразователи». – Пермь: ППИ, 1973;

3. Бобров И.И. «Основы промышленной электроники». – Пермь: ППИ, 1971;

4. Забродин Ю.С. «Промышленная электроника». – Москва: Высшая школа, 1982;