ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Автоматики и Телемеханики
Отчёт по лабораторной работе № 1
Исследование полупроводниковых диодов
Выполнил: ст. гр. АСУ 99-1 Марьин Д.В.
Проверил: Заневский Э.С.
Пермь, 2001
Цель работы: Экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода.
Схема включения диода:
А
V
Опытные данные:
Плоскостной диод:
|
U, B |
0,45 |
0,57 |
0,61 |
0,65 |
0,70 |
0,75 |
|
I, mA |
0,05 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
R=U/ I = 0,70 / 5 = 0, 14 kOm - статическое сопротивление
R=U/ I=0.09/ 4 = 0.023 kOm – дифференциальное сопротивление
|
U,B |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
|
I,mA |
0,9 |
1,4 |
1,9 |
2,3 |
2,7 |
3,1 |
R=U/ I = 6 / 2,3 = 2, 61 kOm - статическое сопротивление
R=U/ I=6/ 1,3 = 4,62 kOm – дифференциальное сопротивление
Точечный диод:
|
U, B |
0,05 |
0,088 |
0,1 |
0,12 |
0,16 |
0,19 |
0,22 |
0,276 |
0,332 |
|
I, mA |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
R=U/ I = 0,19 / 1 = 0,19 kOm - статическое сопротивление
R=U/ I=0,09/ 0,9 = 0,1 kOm – дифференциальное сопротивление
|
U, B |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
|
I, mkA |
3,5 |
4,2 |
5 |
5,7 |
6,4 |
7,1 |
7,8 |
R=U/ I = 4 / 5,7 = 0,7 MOm - статическое сопротивление
R=U/ I=4/ 1,4 = 2,86 MOm – дифференциальное сопротивление
Кремниевый стабилитрон:
|
U, B |
0,30 |
0,34 |
0,40 |
0,50 |
0,55 |
0,58 |
0,61 |
0,64 |
0,66 |
|
I, mA |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
R=U/ I = 0,5 / 0,2 = 2,5 kOm - статическое сопротивление
R=U/ I=0,3/ 4,95 = 0,6 kOm – дифференциальное сопротивление
|
U, B |
1 |
2 |
2,3 |
2,5 |
2,6 |
2,76 |
2,89 |
|
I, mA |
0,12 |
0,89 |
1,94 |
3,14 |
4 |
6 |
8 |
R=U/ I = 2,5 / 3,14 = 0, 80 kOm - статическое сопротивление
R=U/ I=0,3/ 3,06 = 0,098 kOm – дифференциальное сопротивление
Вывод: Плоскостной диод обладает большой площадью р-n перехода, следовательно, он может пропускать большие токи, но у него большая паразитная емкость, ограничивающая его способность работать на высоких частотах.
Точечный диод способен работать на высоких частотах из-за малой паразитной емкости.
Кремниевый стабилитрон отличается тем, что у него в обратной цепи имеется участок с электрическим пробоем. При незначительном изменении напряжения (0,4В) ток меняется значительно (5 mA).