Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лабы / по диодам / лаба по фоэ

.doc
Скачиваний:
24
Добавлен:
12.12.2013
Размер:
55.81 Кб
Скачать

Министерство образования РФ

Пермский государственный

технический университет

Кафедра автоматики и телемеханики

Лабораторная работа №1

Выполнили:

Студенты группы КТЭИ-03-2

Архипов Алексей

Крапчатова Анастасия

Кутюхин Михаил

Проверил преподаватель:

Пермь 2004 г

Лабораторная работа №1

Исследование полупроводниковых диодов

Цель работы: Экспериментальное исследование статических параметров диодов

Схемы для снятия характеристик:

Схема прямого включения Схема обратного включения

Плоскостной диод:

1.прямое включение

Прямая ветвь

Ua, V

0

0,64

0,68

0,7

0,72

0,73

0,74

0,75

Ia, mA

0

2

4

6

8

10

12

15

2.обратное включение

Обратная ветвь

Ua, V

0

2

4

6

8

10

12

15

Ia, µA

0

0,5

1,01

1,68

2,72

3,45

4,63

6,3

Точечный диод:

1.прямое включение

Прямая ветвь

Ua, V

0

0,23

0,27

0,3

0,32

0,34

0,35

0,38

Ia, mA

0

2

4

6

8

10

12

15

2.обратное включение

Обратная ветвь

Ua, V

0

2

4

6

8

10

12

15

Ia, µA

0

3,7

4,83

5,93

7,04

8,2

9,25

11,1

Стабилитрон:

1.прямое включение

Прямая ветвь

Ua, V

0

0,67

0,68

0,69

0,7

0,71

0,71

0,72

Ia, mA

0

2

4

6

8

10

12

15

2.обратное включение

Обратная ветвь

Ua, V

0,005

6,9

7,01

7,04

7,07

7,09

7,12

Ia, mA

0,002

2,5

6,1

12,3

20,3

24,4

30

Выводы: ВАХ полученные экспериментально, практически совпадают со справочными ВАХ.