ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Автоматики и Телемеханики
Отчёт по лабораторной работе № 1
Исследование полупроводниковых диодов
Выполнил: ст. гр. Ат 99-1 Васильев М.А.
Проверил: Заневский Э.С.
Пермь, 2001
Цель работы: Экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода.
Схема включения диода:
АV
Опытные данные:
Плоскостной диод:
U, B |
0,45 |
0,57 |
0,61 |
0,65 |
0,70 |
0,75 |
I, mA |
0,05 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
R, kOm |
9 |
1,14 |
0,61 |
0,325 |
0,14 |
0,075 |
R, kOm |
- |
0,26 |
0,08 |
0,04 |
0,016 |
0,01 |
U,B |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
I,mA |
0,9 |
1,4 |
1,9 |
2,3 |
2,7 |
3,1 |
R,kOm |
1,1 |
1.42 |
2,1 |
2,6 |
2,9 |
3,2 |
R,kOm |
- |
2,0 |
2,0 |
2,5 |
2,5 |
2,5 |
Точечный диод:
U, B |
0,05 |
0,088 |
0,1 |
0,12 |
0,16 |
0,19 |
0,22 |
0,276 |
0,332 |
I, mA |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
R, kOm |
2,5 |
1,6 |
1 |
0,6 |
0,32 |
0,19 |
0,11 |
0,06 |
0,03 |
R, kOm |
- |
1,3 |
0,4 |
0,2 |
0,13 |
0,06 |
0,03 |
0,02 |
0,1 |
U, B |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
I, mkA |
3,5 |
4,2 |
5 |
5,7 |
6,4 |
7,1 |
7,8 |
R, MOm |
0,14 |
0,24 |
0,40 |
0,70 |
0,93 |
1,13 |
1,28 |
R, MOm |
- |
0,71 |
1,25 |
2,86 |
2,86 |
2,86 |
2,86 |
Кремниевый стабилитрон:
U, B |
0,30 |
0,34 |
0,40 |
0,50 |
0,55 |
0,58 |
0,61 |
0,64 |
0,66 |
I, mA |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
10 |
R, kOm |
15 |
6,8 |
4,0 |
2,5 |
1,11 |
0,58 |
0,32 |
0,13 |
0,07 |
R, kOm |
- |
1,3 |
1,2 |
1,0 |
0,17 |
0,06 |
0,03 |
0,01 |
0,004 |
U, B |
1 |
2 |
2,3 |
2,5 |
2,6 |
2,76 |
2,89 |
I, mA |
0,12 |
0,89 |
1,94 |
3,14 |
4 |
6 |
8 |
R, kOm |
8,3 |
2,25 |
1,19 |
0,8 |
0,65 |
0,46 |
0,36 |
R, kOm |
- |
1,29 |
0,28 |
0,17 |
0,12 |
0,08 |
0,07 |
Вывод:
Плоскостной диод обладает большой площадью р-n перехода, следовательно, он может пропускать большие токи, но у него большая паразитная емкость, ограничивающая его способность работать на высоких частотах. Используются в источниках питания, где они выпрямляют переменное напряжение сети.
Точечный диод способен работать на высоких частотах из-за малой паразитной емкости. Используется в импульсных схемах.
Кремниевый стабилитрон отличается тем, что у него в обратной цепи имеется участок с электрическим пробоем. При незначительном изменении напряжения (0,4В) ток меняется значительно (5 mA). Используется для стабилизации постоянного напряжения.