
- •Обозначение резисторов на схемах
- •Классификация резисторов
- •2.Разновидности резисторов. Свойства резисторов.
- •3. Конденсаторы. Маркировка. Обозначение конденсаторов.
- •Свойства конденсатора
- •Обозначение конденсаторов на схемах
- •4. Разновидности конденсаторов. Свойства конденсаторов.
- •5. Катушки индуктивности. Разновидность обозначения на схемах.
- •Разновидности катушек индуктивности
- •6. Свойства катушки индуктивности.
- •7. Реле. Виды реле. Обозначения на смехах.
- •Обозначение на схемах
- •8. Электропроводность полупроводников. Примесные и безпримесные полупроводники.
- •9. Электропроводность классов кристаллических тел
- •10.Электронная и дырочная проводимость полупроводников
- •11.Носители заряда в примесных полупроводниках.
- •12. Полупроводниковый диоды. Виды диодов. Свойства диодов. Обозначения на схемах.
- •13. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в прямом направлении. Прямая ветвь вах диода.
- •14. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в обратном направлении. Обратная ветвь вах диода.
- •15. Параллельное соединение диодов
- •16.Последовательное соединение диодов
- •17. Кремниевые стабилитроны. Назначение. Вах стабилитроны.
- •18.Биполярные транзисторы. Типы транзисторов. Обозначения на схемах.
- •19.Принцип действия транзистора в отсутстивие внешних напрежений и при наличии внешних напрежений.
- •20.Основные параметры транзисторов.
- •21.Статические вольт-амперные характеристики транзистора при включении вместе с базой и с общим эмитором.
10.Электронная и дырочная проводимость полупроводников
Электронная проводимость.Одни полупроводники, например окислы алюминия, цинка, титана и др., обладают подобно металлам электронной проводимостью и называются полупроводниками типа n (от слова negative — отрицательный), так как в них ток представляет собой перемещение электронов, т. е. отрицательно заряженных частиц. В этих полупроводниках имеется большое количество полусвободных электронов, которые очень слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение между атомами кристаллической решетки.
Дырочная проводимость.Полупроводники второго типа, к которым относятся закись меди, селен и другие вещества, обладают так называемой дырочной проводимостью и называются полупроводниками тина р (от слова positive — положительный). Электрический ток в них следует рассматривать как перемещение положительных зарядов. В полупроводниках типа р полусвободных электронов нет. Поэтому в них электроны не могут двигаться так, как в полупроводниках типа n. Атом полупроводника типа р под влиянием тепловых или других воздействий может потерять один из более удаленных от ядра электронов. Тогда атом будет иметь положительный заряд, численно равный заряду электрона.
11.Носители заряда в примесных полупроводниках.
Примесь, атомы которой отдают электроны, называют донорной, При введении донорной примеси концентрация электронов в кристалле резко возрастает. Она определяется в основном концентрацией атомов примеси. Одновременно происходит генерация пар «электрон – дырка», но количество электронов, возникающих при этом, значительно меньше, чем количество электронов, отдаваемых донорами. Поэтому концентрация электронов становится значительно выше концентрации дырок:
nn >> pn.
Электрический ток в таком полупроводнике создается в основном электронами, т.е. преобладает электронная составляющая тока. Полупроводник, обладающий преимущественно электронной электропроводностью, называют полупроводником n-типа. В таком полупроводнике электроны являются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда.
12. Полупроводниковый диоды. Виды диодов. Свойства диодов. Обозначения на схемах.
Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.
Обозначения диодов на схеме.
Выпрямительный
Диод Шотки
Стабилитрон
Стабистор
Варикап
Туннельный диод
Обращенный диод
13. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в прямом направлении. Прямая ветвь вах диода.
ВАХ – это вольт амперная характеристика. Ну а нас в этом разделе интересует вольт амперная характеристика полупроводникового диода.
График ВАХ диода показан на рис. 6.
Рис.
6. ВАХ полупроводникового диода.
На графике изображены ВАХ для прямого и обратного включения диода. Ещё говорят, прямая и обратная ветвь вольт-амперной характеристики. Прямая ветвь (Iпр и Uпр) отображает характеристики диода при прямом включении (то есть когда на анод подаётся «плюс»). Обратная ветвь (Iобр и Uобр) отображает характеристики диода при обратном включении (то есть когда на анод подаётся «минус»).
На рис. 6 синяя толстая линия – это характеристика германиевого диода (Ge), а чёрная тонкая линия – характеристика кремниевого (Si) диода. На рисунке не указаны единицы измерения для осей тока и напряжения, так как они зависят от конкретной марки диода.
Что же мы видим на графике? Ну для начала определим, как и для любой плоской системы координат, четыре координатных угла (квадранта). Напомню, что первым считается квадрант, который находится справа вверху (то есть там, где у нас буквы Ge и Si). Далее квадранты отсчитываются против часовой стрелки.
Итак, II-й и IV-й квадранты у нас пустые. Это потому, что мы можем включить диод только двумя способами – в прямом или в обратном направлении. Невозможна ситуация, когда, например, через диод протекает обратный ток и одновременно он включен в прямом направлении, или, иными словами, невозможно на один вывод одновременно подать и «плюс» и «минус». Точнее, это возможно, но тогда это будет короткое замыкание))).