19.Принцип действия транзистора в отсутстивие внешних напрежений и при наличии внешних напрежений.

20.Основные параметры транзисторов.

• Коэффициент передачи по току

• Входное сопротивление

• Выходная проводимость

• Обратный ток коллектор-эмиттер

• Время включения

• Предельная частота коэффициента передачи тока базы

• Обратный ток коллектора

• Максимально допустимый ток

• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, не зависимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;

• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:

  • r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;

  • r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;

  • r_б — поперечное сопротивление базы.

21.Статические вольт-амперные характеристики транзистора при включении вместе с базой и с общим эмитором.

При включении транзистора в различных схемах представляют практический интерес графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт -амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора.

Наибольшее распространение получили входные и выходные статические характеристики для двух схем включения транзистора: с общей базой и общим эмиттером. Поскольку на практике схемы включения транзистора с ОЭ имеют преимущественное применение, дальнейшие рассуждения проведем только для этой схемы включения транзистора.

Статической входной характеристикой транзистора для схемы с ОЭ является график зависимости тока базы  от напряжения база–эмиттер  входной цепи при постоянном значении напряжения  выходной цепи

 

при  .

 

Выходные (коллекторные) характеристики транзистора в схеме с ОЭ представляют собой зависимости тока коллектора  от напряжения коллектор–эмиттер  выходной цепи при постоянном токе базы  во входной цепи

 

при .

 

Типичные входные и выходные характеристики транзистора см. на рис. 3.8.

 

 

Рис. 3.8. Вольт-амперная характеристика транзистора:

а – входная характеристика; б – выходная характеристика

 

 

При  = 0 входная характеристика транзистора соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного p–n-перехода (рис. 3.8, а). С увеличением  ток базы  уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении  растет напряжение, приложенное к коллекторному p–n-переходу в обратном направлении. Из-за этого уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как большинство носителей быстро втягиваются в коллектор

Характер выходных характеристик тран­зистора (рис. 3.8, б) определяется величиной напряжения , прикладываемого к коллекторному переходу . В схеме с ОЭ это напряжение определяется разностью напряжений выходной  и входной  цепи транзистора (рис. 3.9)   .           (3.26)   При этом входное напряжение  (см. рис. 3.3, б) прикладывается к коллекторному переходу  в прямом, а напряжение выходной цепи  – в обратном направлении. Поэтому при  напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от  до  велика.

При дальнейшем увеличении напряжения  крутизна выходных характеристик уменьшается, они располагаются почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит главным образом от величины тока базы .

Если эмиттерный переход транзистора перевести в непроводящее состояние, т. е. подать на эмиттерный переход  напряжение отрицательной полярности , то ток коллектора снизится до величины  и будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающего по цепи база–коллек­тор. Область коллекторных характеристик, лежащих ниже характеристики, соответствующей , называют областью отсечки.