Опис експериментальної установки

Лабораторна установка складається з двох блоків, з’єднаних поміж собою кабелем. У першому блоці розташовані органи управління та вимірювальні прилади для зняття прямої гілки вольт-амперної характеристики діодів, а другий блок призначений для зняття зворотної гілки ВАХ. Напівпровідникові діоди, що вивчаються в роботі, розташовані у середині муфельної печі, яка може нагріватися, а температура в печі реєструється зовнішнім термометром. В цій роботі досліджуються:

Кремнієвий площинний діод Д214

Германієвий площинний діод Д7Г

Спрощена електрична схема установки наведена на рис. 7.

Проведення експерименту

1. Вивчити схему лабораторної установки, розібратися в призначенні елементів управління та вимірювальних приладів.

2. Встановити елементи управління у вихідний стан, для чого:

• потенціометри ,(регулятори) виставити в крайні ліві положення;

• перемикач – у режим зняття прямої гілки ВАХ;

• перемикач – у положення для дослідження германієвого діоду.

3. Увімкнути установку в мережу і подати на неї живлення перемикачем , причому повинна засвітитися лампка індикатора живлення.

4. Зняти пряму гілку ВАХ германієвого діоду , для чого плавно збільшуючи напругу потенціометромвідчерез кожні, виміряти відповідні значення прямого струму до.

5. Провести аналогічні виміри для кремнієвого діоду , для чого перемикнути перемикач.

6. Зняти зворотні гілки ВАХ, плавно збільшуючи обернену напругу від дочерез кожні, спершу для кремнієвого, а потім германієвого діодів, для чого перемикнути у відповідні положення перемикачі,.

7. Увімкнути муфельну піч і нагріти її до .

8. Зняти прямі та зворотні гілки ВАХ обох діодів нагрітих до вказаної температури. Слідкуйте, аби для германієвого діоду зворотній струм не перевищив !

9. Результати вимірювань занести в таблицю 1 і таблицю 2.

10. Виставити органи управління у початкове становище. Вимкнути установку.

Обробка результатів

1. Побудувати графічно на одній координатній осі прямі та зворотні ВАХ германієвого діоду при різних температурах.

2. Зробити аналогічні п.1. побудови для кремнієвого діоду.

3. Користуючись графіками прямих гілок ВАХ знайти контактну різницю потенціалів кожного з діодів при різних температурах.

4. Обчислити температурні коефіцієнти прямого та оберненого падіння напруги на діодах за формулою (1) при значенні прямого струму за формулою (1).

5. Знайти відношення зворотних струмів нагрітого та не нагрітого діоду для обох структур при значенні оберненої напруги .

6. Сформулювати висновки з роботи.

Таблиця № 1

Тип діоду -
____ (кімнатна)				____
Пряма ВАХ		Обернена ВАХ		Пряма ВАХ		Обернена ВАХ
0		0		0		0
0,1		20		0,1		20
0,2		40		0,2		40
0,3		60		0,3		60
0,4		80		0,4		80
0,5		100		0,5		100
0,6		120		0,6		120
0,7		140		0,7		140