Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
16
Добавлен:
07.02.2016
Размер:
875.52 Кб
Скачать

Обробка результатів

  1. За результатами досліджень вправи 1 побудувати сімейство вхідних характеристик (таблиця 1).

  2. В робочій точці (,) визначити значення вхідного опору транзистора(див. формулу (3А)).

  3. За результатами досліджень вправи 2 побудувати сімейство вихідних характеристик (таблиця 2).

  4. В робочій точці (,) визначити значення коефіцієнта передачі за струмом(див. формулу (3Б)).

  5. Визначити значення коефіцієнта передачі за струмом , якщо цей транзистор буде включено за схемою зЗЕ.

Контрольні питання

  1. Назвіть принципи класифікації транзисторів.

  2. Характеризуйте три системи параметрів транзисторів.

  3. Пояснити принцип роботи біполярного транзистора, який:

  • який включено за схемою з ЗБ,

  • який включено за схемою з ЗЕ.

  • Дайте означення коефіцієнта передачі струму в схемі:

    • з загальною базою,

    • з загальним емітером.

  • Дайте означення і запишіть вираз для коефіцієнта інжекції.

  • Чим визначається ефективність колектора.

  • Нарисувати схему підключення джерел живлення біполярного транзистора.

    • типу , якщо він буде включений за схемою з ЗЕ,

    • типу , якщо він буде включений за схемою з ЗБ.

  • При яких умовах в транзисторах відбувається підсилення електричних коливань за потужністю?

  • Які фізичні процеси відбуваються в транзисторі при його пробої, якщо він включений за схемою:

    • з загальною базою,

    • з загальним емітером.

    Література

    1. Евсеев Ю.А., Дерменжи П.Г. Силовые полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1981. – 472 с.

    2. Городецкий А.Ф., Кравченко А.Ф. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая шк., 1967. – 348 с.

    3. Уродов В.И., Стрижнев В.С. Практикум по физике. – Минск: Выш. шк., 1973.–384с.

    4. Дыкин А.В., Овечкин Ю.А. Электронные и полупроводниковые приборы. – М.: Энергия, 1971. – 376 с.

    5. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Изд-во «Лань», 2002. – 480 с.

    6. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, - 1978. – 616 с.

    7. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.–М.:Наука,1990.–688с.

    8. К.В. Шалимова. Фізика полупроводников. М. :Энергия, 1976.-413 с.

    9. Жеребцов И.П. Основы электроники. Л.: «Энергоатомиздат»,1990, -352 с.

    10. Электроника. /энциклопедический словарь/, под ред.В.Г. Колесникова. М.: «Советская энциклопедия»,1991,-688 с.

    стор. 6з6

  • Соседние файлы в папке ФТТ