electronics
.pdf11
Диоды
Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами, в которых используются свойства перехода.
Плоскостные диоды
|
Ni |
|
|
Плоскостные диоды имеют плоский p-n |
|
In |
переход с большой площадью перехода, величина |
||
InGe |
|
|
которой определяет максимальный прямой ток |
|
|
|
|
|
|
Ge |
|
|
|
(от 10 мА до 100А). В зависимости от площади |
|
|
p -n |
перехода плоскостные диоды обладают емкостью |
|
|
|
|
(см. барьерная емкость) в десятки пикофарад. По- |
nэтому их применяют на частотах не выше кГц. Обратное напряжение достичь 1000В.
Ni |
При прямом напряжении диод обладает |
|
диффузионной емкостью (см. диффузионная ем- |
|
кость), которая характеризует накапливание под- |
|
вижных носителей заряда в n- и p- областях. |
Для изготовления используют сплавной и диффузионный методы.
Точечные диоды
p -n p - Ge переход
n - Ge
Точечный диод имеет p-n переход в виде полусферы (очень маленькая площадь p-n перехода). Имеет малую емкость p-n перехода (менее 1 пФ), следовательно, применяются на любых частотах (вплоть до СВЧ). Могут пропускать токи не больше единиц или десятков мА. Дешевы в изготовлении.
Стабилитроны – полупроводниковые диоды, у которых в области пробоя (на
|
|
Ia |
обратной ветви ВАХ) напряжение на диоде почти |
|
|
|
не изменяется при изменении тока пробоя. Причи- |
||
|
|
|
|
на заключается в том, что в p-n-переходе происхо- |
Uпроб. |
|
|
Ua |
дит только электрический пробой (туннельный или |
|
|
лавинный), который не приводит к повреждению |
||
|
|
|
||
|
|
Iст. min |
p-n-перехода. |
|
|
|
|
|
Стабилитроны используются для стабили- |
U стаб. |
|
|
|
зации напряжения или для ограничения напряже- |
|
|
Iст. max |
ния (либо постоянного, либо переменного), а так- |
|
|
|
же в качестве эталонного напряжения. |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кремниевые стабилитроны – стабилитро- |
|
|
|
|
ны, выполненные из кремния сплавным методом. |
|
|
|
|
Параметры: |
Uст. = 5÷200 В (номинальное напряжение стабилизации);
∆I = Imin ÷ Imax = 10 ÷100 мА (номинальный ток стабилизации); Pmax = 100 мВт ÷1 Вт;
Rg =∆U/∆I = 100÷200 Ом (дифференциальное сопротивление. Чем больше Rg, тем лучше стабилизация. При Rg = 0 происходит идеальная стабилизация.).
|
|
|
|
|
|
12 |
Туннельный диод |
|
|
|
|
|
|
Основой туннельного диода |
является p - n переход. Действие диода основано на |
|||||
туннельном эффекте («просачивание» электронов сквозь тонкий потенциальный барьер). |
||||||
I a , А |
|
|
По назначению туннельные диоды делятся на |
|||
|
|
усилительные, |
генераторные |
и |
||
А |
|
С |
переключательные. |
|
|
|
|
P - n переход в туннельном диоде образован |
|||||
IA |
|
|
между двумя вырожденными областями p – и |
|||
|
|
|
n – типа. ϕ0 ≈ ϕMAX, h0 очень мала. Следова- |
|||
|
|
|
тельно, Ei достигнет критической отметки, |
|||
|
|
|
поэтому возможен туннельный эффект. Но- |
|||
|
В |
|
ситель могут переходить из одной области в |
|||
I |
|
другую при этом не преодолевая ϕ0, а «проса- |
||||
B |
|
Ua, B чиваясь» сквозь него (из-за волновых свойств |
||||
|
|
|||||
UA |
U B |
U C |
электрона). |
|
|
|
ВАХ туннельного диода показана на |
||||||
пик |
впадина |
|
рисунке. Обратная ветвь и прямая до точки В |
|||
|
|
|
||||
щениях (Uпр. и |
|
|
свидетельствуют о том, что при малых сме- |
|||
U об.) токи резко возрастают. На прямой ветви достигается пиковое значе- |
||||||
ние I А, затем ток падает (так как уменьшается электрическое поле в переходе и уменьша- |
||||||
ется поток носителей). Точка В называется впадиной, |
Условно - графическое |
|
||||
здесь туннельный эффект почти исчезает и начинает |
|
|||||
преобладать диффузионный механизм протекания тока. |
изображение |
|
||||
Участок ВС похож на прямую ветвь обычного диода. |
туннельного диода |
|
||||
Туннельные диоды обладают высоким быст- |
|
|
|
|||
родействием и используются в широком диапазоне |
|
|
|
|||
температур. |
|
|
|
|
|
|
Варикапы – это плоскостные диоды, которые работают при обратном напряже- |
||||||
нии, от которого зависит барьерная емкость. Варикапы – конденсаторы переменной емко- |
||||||
сти, управляемые не механически, а электрически (электронная на- |
УГО варикана |
|
||||
стройка осуществляется изменением обратного напряжения). |
|
|
||||
Применяются для настройки колебательных контуров. В |
|
|
||||
качестве варикапов могут быть использованы кремниевые стабили- |
|
|
||||
троны (U < Uстаб.). |
|
|
|
|
|
|
Основные параметры: |
при обратном напряжении от 2 до 5 В. |
|
|
|||
1. общая емкость СВ |
|
|
||||
2. коэффициент перекрытия емкости КС = СMAX/ СMIN |
|
|
||||
Варикапы применяются в системах дистанционного управления и автоматиче- |
||||||
ской подстройки частоты, а также в параметрических усилителях. |
|
|
Диоды Шоттки (контакт металл – полупроводник)
Процессы в переходе металл - полупроводник зависят от той энергии, которую должен затратить электрон, чтобы выйти из металла или полупроводника. Чем меньше эта
энергия, тем больше электронов может выйти из дан- |
|
|
|
|
|
|
|
||
ного тела (энергия – работа выхода А). |
- |
- |
|
n |
|||||
1. Металл – полупроводник n – типа |
Ме - |
- |
|
|
|||||
АМЕ < АN будет преобладать выход элек- |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
- |
|
|
|||
тронов из металла в полупроводник. В области а на- |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
капливаются основные носители заряда и этот слой |
|
|
|
а |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
13 |
становится обогащенным (то есть имеющим увеличенную концентрацию электронов). |
||||||
Сопротивление слоя а мало при любой полярности напряжения контакт невыпрям- |
||||||
ляющий. |
|
|
|
|
|
|
2. Металл – полупроводник p – типа |
|
|
|
|||
Подобный контакт и при переходе металл – полупро- |
|
+ |
|
|||
водник p – типа, если АМЕ > АP. Большое количество |
|
|
||||
электронов из p – области уходят в металл. В пригра- |
Ме |
+ |
p |
|||
ничном слое образуется область, обогащенная дыр- |
|
+ |
|
|||
ками, имеющая малое сопротивление. |
|
|
|
|||
3. Металл – полупроводник n – типа |
|
|
|
|||
АМЕ > АN электроны будут переходить из полупроводника в металл и образу- |
||||||
ется область, обедненная основными носителями и поэтому с большим сопротивлением. |
||||||
создается большой потенциальный барьер, высо- |
|
- |
|
|||
та которого будет меняться в зависимости от по- |
Ме |
n |
||||
лярности приложенного напряжения. Такой переход |
- |
|||||
обладает выпрямляющим свойствами. Потенциаль- |
|
- |
|
|||
ный барьер |
в этом контакте называется барьером |
|
|
|
||
Шоттки, а диоды (полупроводниковые диоды, вы- |
|
|
|
|||
прямительные свойства которых основаны на ис- |
|
|
|
|||
пользовании выпрямляющего электрического контакта между металлом и полупроводни- |
||||||
ком) – диодами Шоттки. |
|
|
|
|
||
Отличие диодов Шоттки от p-n перехода заключается в том, что в них отсутству- |
||||||
ет инжекция неосновных носителей. Они работают на основных носителях у диодов |
||||||
отсутствует диффузионная ёмкость, связанная с накоплением и рассасыванием неоснов- |
||||||
ных носителей. Это повышает быстродействие диодов (при переключении UПР. – UОБР.). |
||||||
время переключения определяется барьерной емкостью. У диодов Шоттки значительно |
||||||
меньше U ПРЯМОЕ (по сравнению с напряжением p-n перехода). ВАХ диодов Шоттки опи- |
||||||
сывается формулой: |
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
I |
|
ϕ Т |
|
|
|
|
= I 0 e |
|
− 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(как и у p-n перехода), но I0 много больше. |
|
|
|
|||
U |
=ϕ ln I |
|
|
|
||
ПРЯМОЕ |
Т |
I |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
U ПРЯМОЕ будет меньше (0,3 ÷ 0,4 В). также особенно и то, что прямая ветвь ВАХ |
||||||
диода Шоттки подчиняется экспоненциальному закону в широком диапазоне токов. |
||||||
Аналогичные выпрямительные свойства имеет контакт металл – полупроводник p |
||||||
– типа при АМЕ < АP. |
|
|
|
|
|
14
Транзисторы
Биполярные транзисторы
Транзистор – это полупроводниковый прибор, основу которого составляют два взаимодействующих p - n перехода, образованные в едином кристалле полупроводника и разделенные очень узкой областью взаимодействия, называемой базой.
Он широко используется и как усилительный элемент, и как переключающий
элемент.
Э |
n |
p |
n |
|
|
|
Б
Э |
p |
n |
p |
|
Б
К |
К |
Б |
|
|
Э |
К Б К
Э
Конструктивно транзистор состоит из эмиттера (левая p - область), эмиттерного p - n перехода, коллектора (левая p - область), коллекторного p - n перехода и узкой базы (n
–область между переходами). Эмиттерная область имеет внешний вывод Э, коллекторная
–вывод К, а база – базовый вывод Б.
Реализация
Дискретная |
Интегральная |
Э Б К
Э |
К |
p
n
p
Б
Основные требования к реализации
1.Площадь эмиттерного перехода должна быть немного больше коллекторного перехода (для увеличения коэффициента собирания носителей заряда);
2.Для того, чтобы в транзисторе двигались носители одного заряда (p-n-p – дырки, n-p- n - электроны), концентрация примесей в эмиттере должна быть много больше, чем концентрация примесей в базе;
15
3. Ширина базы должна быть много меньше длины диффузионно- |
n |
p |
го пробега носителей в базе (для исключения рекомбинации в |
||
базе). |
- |
l |
|
|
Физика работы транзистора
Каждый из p - n переходов может быть смещен в прямом или в обратном направлении. В зависимости от полярности смещений двух переходов возможны четыре режима работы транзистора. Основным является активный (усилительный) режим, при котором эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Рассмотрим подробно активный режим работы транзистора. На рисунке показано распределение потоков подвижных носителей в транзисторе в активном режиме и распределение потенциалов в кристалле в направлении эмиттер – коллектор.
|
|
Ei |
|
|
Ei |
|
|
|
p |
- |
+ |
|
+ |
- |
|
p |
|
Э |
- |
+ |
n |
+ |
- |
+ |
К |
|
+ |
- |
+ |
+ |
- |
|
|
||
- |
+ |
|
+ |
- |
|
|
+ |
|
I э |
- |
+ |
|
+ |
- |
|
I к |
R |
|
|
|
|
|
|
- |
||
|
|
d |
|
|
d |
|
|
к |
|
|
I Б |
|
|
|
|
||
|
Eэ |
|
|
|
Eк |
|
|
|
|
|
Б |
|
|
|
|
||
+ |
- |
|
|
- |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Втранзисторе p-n переходы выполняют несимметричными, односторонними
(pp >> nn) . Поэтому можно принять, что через эмиттерный переход, смещенный в прямом направлении, имеет место только поток дырок из эмиттера в базу (диффузия дырок через пониженный потенциальный барьер эмиттерного перехода) – инжекция дырок в базу. Ве-
личина тока эмиттера (IЭ) определяется величиной смещения Еэ и прямой ветвью ВАХ диода, то есть при малом смещении (десятые доли вольта) ток эмиттера достигает величины в десятки и сотни миллиампер.
Вравновесии база нейтральна p-область всей ширине и электрического поля в базе нет. Потенциал по всей ширине базы одинаков, поэтому транзистор называют бездрейфовым. Инжектированные дырки, являясь неосновными носителями в базе, значительно увеличивают концентрацию неосновных носителей на границе с эмиттерным переходом. Поле запорного слоя эмиттерного p-n-перехода втягивает дырки в коллектор и возникает
ток коллектора (IК), величина которого определяется концентрацией продиффундировавших через базу инжектированных дырок, или током эмиттера. Таким образом, величина тока коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, определяется величиной тока близко расположенного эмиттерного перехода, то есть ток коллектора управляется током эмиттера.
Однако часть инжектированных дырок в процессе диффузии рекомбинирует в базе, встречаясь с электронами. Рекомбинирующие дырки не достигают коллекторного перехода и не участвуют в управлении коллекторным током. Вместо рекомбинированных электронов в базу втекают электроны из внешней цепи по базовому выводу, образуя ток
базы (I Б), величина которого определяется интенсивностью рекомбинации в базе.
Из рассмотренного выше принципа работы транзистора следует, что ток коллектора составляет всего лишь часть тока эмиттера (IЭ разветвляется на два тока: IК и IБ):
I Э = I К + I Б.
16
Отношение тока коллектора коллектор току эмиттера называют коэффициентом передачи тока:
α = I К / I Э.
Этот коэффициент отражает эффективность взаимодействия p-n переходов в транзисторе и количественно равен доле инжектированных эмиттером дырок, достигших коллекторного перехода.
Усилительные свойства транзистора
Процесс управления током коллектора током эмиттера лежит в основе усиления. На возможность усиления указывает тот факт, что в цепи эмиттера ток протекает при очень малом напряжении (десятые доли вольта), а в коллекторной цепи напряжение на порядок больше и мощность коллекторной цепи может значительно превышать мощность эмиттерной цепи.
Активность элемента определяется условием:
К P - коэффициент усиления по мощности, если он больше единицы, то элемент цепи является активным.
КP = |
PН |
>1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
PВХ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
PН = ∆UК∆IК = ∆IК∆IКRН |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
PВХ = ∆IЭ∆UЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
RВХ = |
∆UЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
∆IЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
К |
|
= |
P |
= |
∆I |
|
∆I |
|
R |
= |
∆I 2 К R |
= |
∆I 2 К |
|
R |
=α2 |
R |
К |
|
=α2 |
R |
>>1 |
|||||||
P |
|
Н |
|
К |
|
|
К |
|
Н |
|
|
|
Н |
∆I 2 |
|
Н |
Н |
P |
Н |
||||||||||
P |
|
|
|
|
∆I |
|
∆I |
R |
|
R |
R |
R |
|||||||||||||||||
|
|
|
∆I |
Э |
∆U |
Э |
|
Э |
|
Э |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
ВХ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Э ВХ |
|
|
|
|
ВХ |
|
ВХ |
|
|
|
ВХ |
|
IЭ = IК + IБ dIЭ = dIК + dIБ
Схемы включения транзистора
Общая база
Iэ Iк Uвх Iб
+ |
- |
|
+ |
- |
||
|
|
|
|
|
|
|
н R = к R
IЭ = IК + IБ
IК = α IЭ
IБ = IЭ − IК = (1− α) IЭ
R К |
≈ R об.вх. |
|
|
|
|
|
|
|||||||
R об.вх. >> R вх. |
|
|
|
|
|
|||||||||
К |
U |
= |
|
|
∆UК |
= |
|
IКR К |
= α |
R К |
>>1 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
∆UЭ |
|
IЭR об.вх. |
R об.вх. |
|||||||
КI |
= |
Iвых. |
= |
IК |
= α <1 |
|
|
|||||||
|
IЭ |
|
|
|||||||||||
|
|
|
Iвх. |
|
|
|
|
|||||||
КP |
= |
|
Pвых. |
= КI КU >>1 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
Pвх. |
|
|
|
|
|
|
Усиление по току отсутствует.
Общий эмиттер
Uвых
|
Iк |
|
Iб |
R к |
|
Iэ |
||
U |
||
вх |
|
|
- + |
+ - |
|
ЕБ |
ЕК |
17
К = |
IК |
= |
|
α IЭ |
= |
|
α |
= β |
|||||||
|
I |
|
IБ (1− α) IЭ |
|
|
(1− α) |
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||
β >1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
К |
U |
= |
|
∆UК |
= |
|
∆IКR К |
= β |
R К |
>>1 |
|||||
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
∆UБ |
|
∆IБR оэвх. |
R оэвх. |
|||||||||
КP |
= КI КU |
>>1 |
|
|
|
|
|
|
β - коэффициент усиления тока базы. Усиления по току и напряжению. Коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером максимальный.
Общий коллектор
Uвых
|
|
Iэ |
R |
|
I |
б |
|
= э |
|
Iк |
нR |
|||
U |
|
|||
вх |
|
|
|
|
+ |
- |
- |
+ |
|
ЕБ |
ЕЭ |
КI |
= |
IЭ |
= γ = |
|
IЭ |
= |
|
1 |
|
=1+β >1 |
|||
|
|
(1− α)IЭ |
(1 |
− α) |
|||||||||
|
|
|
IБ |
|
|
|
|
||||||
К |
U |
= |
∆UЭ = |
|
∆IЭR Э |
= (1 |
+β) |
|
R Э |
>>1 |
|||
|
|
|
|
||||||||||
|
|
∆UБ |
∆IБR оквх. |
|
|
|
R оквх. |
R оквх. > (1+β)R Э КU < (0,5 ÷0,9)
КP = КI КU ≥1
Всхеме выполняется усиление по току, но отсутствует усиление по напряжению. Схема с общим коллектором используется как согласующий кас-
кад, так как R ВХ очень велико, а R ВЫХ мало.
18
Статические характеристики транзистора
Взаимозависимость токов и напряжений на входе и выходе транзистора может быть выражена семействами статических характеристик. Из всех возможных характеристик наибольшее распространение получили входные и выходные характеристики. Из них могут быть получены все, необходимые для практического использования транзистора.
Статические характеристики в схеме ОБ
Выходные (или коллекторные) характеристики представляют зависимость тока коллектора от напряжения коллектора при постоянном токе эмиттера:
Iк = f (U к) |
|
Iэ = 0 |
|
||
При Iэ=0 выходная |
|
характеристика будет иметь вид обратной ветви ВАХ p-n-перехода |
Iк = Iк 0 ( e
I к
U к
ϕ т
− 1) . Будет течь тепловой ток не основных носителей заряда I КО. При
Uк<0 (переход база – коллектор (БК) включен I'''э в обратном направле-
ния).
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I''э |
Если сместить |
переход |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
БК в прямом направле- |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I к |
нии начнется инжекция |
|
III |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I'э |
дырок из К в Б. При |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uк=0 и прямом смеще- |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I э = 0 |
нии перехода эмиттер - |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
база (ЭБ) из Э в Б ин- |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
u к |
жектируются |
заряды, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
II |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
они достигают К и соз- |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I ко |
дают I К=αIэ. Этот ток |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
инж |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
добавляется к току I КО. Практически же ток коллектора немного увеличивается с ростом напряжения U КБ, и характеристики имеют незначительный наклон. Рост тока коллектора с ростом на-
пряжения обусловлен модуляцией толщины базы. Модуляция толщины базы – уменьше-
ние толщины базы при увеличении напряжения на коллекторном переходе из-за запорно- |
||||
го слоя коллекторного перехода I Б ↓ ↑ I К (т.к. больше зарядов долетит до К). Это |
||||
определяется дифференциальным сопротивлением К перехода r |
= ∆UКБ Iэ = const . |
|||
Получаем полный ток. |
IК = αIЭ + IК0 + |
U КБ |
К |
∆IКБ |
(1) |
|
|||
rК |
|
|||
|
|
|
|
Входные (или эмиттерные) характеристики представляют зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттера при постоянном напряжении на коллекторном переходе:
I Э = f ( U ЭБ )
UКБ = const
входная характеристика при UКБ=0 – это прямая ветвь ВАХ эмиттерного перехода. При увеличении напряжения UКБ входные характеристики смещаются в сторону оси тока эмиттера. Одной из причин этого смещения является также модуляция базы.
19
Iэ |
|
u к > 0 |
u к = 0 |
|
uэ
Режимы работы транзистора
I – Активный режим (эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном)
II – Режим отсечки (I Э = 0, I К = I КО, I Б = - I КО – оба перехода смещены в обратном направлении)
III – Режим насыщения (оба перехода смещены в прямом направлении, UК > 0, UЭ > 0).
Статические характеристики в схеме с ОЭ
Входные характеристики представляют собой зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы:
IК =f(UКЭ)
IБ = const
Тип характеристик такой же, как в схеме ОБ. Однако, т.к. входным является IБ то в выражении (1) заменим I К на I К + I Б получим:
I |
|
= βI |
|
+ I* К0 |
+ |
U К |
, где I |
*К0 = |
IК0 |
= |
IК0 |
(1 |
+β |
r*К = |
|
|
rК |
|
|
r* К |
|
|
|||||||||||||
|
|
1 |
+β |
||||||||||||||
|
К |
|
Б |
|
|
|
1−α |
|
) , |
|
I*КО- тепловой ток коллекторного перехода в схеме ОЭ; β I Б - ток, собираемый коллектором;
r *К- сопротивление коллекторного перехода в схеме ОЭ; r*К = ∆∆UКЭ
IК
Модуляция толщины базы в схеме ОЭ обуславливает большой наклон выходных характеристик, чем в схеме ОБ, по причине взаимодействия с эмиттерным переходом: приращения тока коллектора проходят через эмиттерный переход, вызывают понижение потенциального барьера, инжекцию дырок из эмиттера в базу, диффузию и экстракцию.
При U К =0 напряжение Е Б одинаково приложено и к коллектору и к эмиттеруоба перехода смещены в прямом направлении транзистор в насыщении. Для перевода в активный режим нужно подать U К. При I Б =0 транзистор находится в активном режиме I К = IЭ =I*К0. Для перехода в режим отсечки нужно эмиттерный переход сместить в обратном направлении при этом I Э = 0, I Б= - I КО, I К = I К0.
20
Входные характеристики ОЭ представляют собой зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером при постоянном выходном напряжении:
IБ = f (UБЭ )
UКЭ = const
Входная характеристика имеет вид ВАХ p-n перехода, в которой I Б будет в
(1+β) меньше. I Б |
= |
|
|
I Э |
|
|||||
1 |
+ β |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
IЭ0 |
|
UБ |
|
|
|
|
|
|
|
IБ = |
(e ϕТ |
−1) |
|
|
|
|
||||
1+β |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При подаче UК < 0 в цепи базы будет течь ток – I КО, таким образом, входная характеристика смещается вниз на величину
I КО.
I б
0 |
0 |
= |
< |
к |
к |
u |
u |
I |
uб |
1+β |
I ко |
При увеличении I Б будет возрастать I К и при больших U К будет пробой. Статические характеристики определяются при постоянных токе и напряжении.
Обычно усиливают переменные сигналы (изменяются быстро и на малую величину (∆I, U∆) относительно большого постоянного значения (I, U)).