
- •Часть 11 Приборы с отрицательным сопротивлением (негатроны)
- •1. Определение и разновидности негатронов
- •2. Общие свойства негатронов
- •3. Устойчивость систем с одс
- •4. Применения негатронов
- •4.1. Генерация электрических колебаний
- •4.2. Усиление электрических колебаний
- •4.3. Обострение перепада напряжения
- •4.4. Элементы хранения информации
- •4.5. Негатрон как нагрузочный элемент
- •5. Искусственные негатроны
4.5. Негатрон как нагрузочный элемент
Негатроны можно использовать в транзисторных логических вентилях в качестве нагрузочного элемента. На рис. 4.3 показаны два варианта логического инвертора на п-канальном полевом транзисторе, в которых нагрузочными элементами являются резистор (рис. 4.3а) и негатроны N-типа (рис. 4.3б). Вольтамперные диаграммы этих вентилей представлены на рис. 4.3в.
Из рисунка видно, что применение негатрона позволяет значительно снизить ток, потребляемый вентилем от источника питания в состоянии логического нуля на выходе, и, следовательно, потребляемую мощность. Такой вентиль близок по свойствам к логическому вентилю на комплементарных МДП транзисторах. Если негатроны обладают достаточно высоким быстродействием, их целесообразно применять в сверхскоростных логических вентилях на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки или гетеропереходных полевых транзисторах. В этих элементах р-канальные транзисторы обладают низким быстродействием.
5. Искусственные негатроны
Негатрон может быть синтезирован на основе любых приборов, обладающих активными свойствами, т.е. способных усиливать электрические сигналы. В качестве примера приведем триггер на биполярных транзисторах (рис. 5.1а). Негатроном может считаться часть триггера, обведенная пунктирной линией и включающая все элементы триггера, кроме нагрузочного резистора R1. Анодом негатрона А является точка подключения резистора R1, а катодом — объединенные эмиттеры транзисторов Т1 и Т2.
Вольтамперная диаграмма такого искусственного негатрона при отключенном резисторе R1 представлена на рис. 5.1б.
Ток
негатрона
складывается из коллекторного тока
транзистора Т1
и тока базы
транзистора Т2.
При малом напряжении
ток
близок к нулю, транзистор Т2
закрыт, а транзистор Т1
открыт, причем в его базу течет ток
от источника питанияЕ
через резистор R2.
Этому
состоянию соответствует вольтамперная
характеристика 1, которой и следует ток
негатрона
(выходная характеристика транзистора
Т1 при включении ОЭ). При повышении
напряжения
возрастает ток базы
.
Пока этот ток остается малым, он не
вносит существенного вклада в ток
,
однако усиливается в цепи коллектора
транзистора Т2
(
),
ток коллектора транзистора Т2
растет, что приводит к снижению токов
и
.
В результате с ростом напряжения
снижается ток негатрона
(участок ОДС на рис. 5.1б). При дальнейшем
повышении напряжения
транзистор Т2
переходит в режим насыщения, напряжение
на его коллекторе снижается практически
до нуля, ток
также снижается до нуля, и транзистор
Т1
запирается. При этом ток негатрона
определяется током базы транзистора
Т2
(
,
пунктир на рис. 5.1б), который резко
возрастает при
В.
Сопротивление R1 триггера играет роль нагрузочного сопротивления негатрона. Пересечение ВАХ негатрона с нагрузочной прямой (R1 на рис. 5.1б) соответствует неустойчивому состоянию равновесия (точка а на рис. 5.1б) и двум устойчивым состояниям равновесия (точки b1,2 на рис. 5.1б) — состояниям логического нуля и логической единицы триггера.
Другим примером искусственного негатрона является -диод, который может быть выполнен на биполярных или полевых транзисторах. Устройство -диода на комплементарных МДП-транзисторах показано на рис. 5.2а.
Транзисторы
Тп
и Тр
имеют встроенные каналы п-
и р-типа
соответственно (нормально открытые
транзисторы, пороговые напряжения
,
).
Анодом А и катодом С негатрона являются
стокир-
и п-канальных
транзисторов, соответственно, а электроды
истоков обоих транзисторов объединены
(точка S
на рис. 5.2а). Положим для простоты, что
модули пороговых напряжений обоих
транзисторов одинаковы (
),
а ВАХ транзисторов симметричны (при
равных по модулю напряжениях затвор-исток
и сток-исток
токи стоков
одинаковы). При
оба транзистора открыты, поэтому ток
возрастает с ростом напряжения
.
Ввиду симметрии транзисторов потенциал
стока составляет
.
Как видно из рис. 5.2а, при этом напряжения
затвор-исток
обоих транзисторов равны по абсолютной
величине. При повышении напряжения
оба напряжения
приближаются к пороговым значениям,
поэтому вначале рост тока замедляется,
а затем ток негатрона снижается. При
оба транзистора запираются (точкаа
на рис. 5.2б), и ток остается равным нулю
при
.
Отметим, что хотя -диод и является составным негатроном, для получения ОДС не требуется источник питания (в отличие от рассмотренного выше триггера).