26
Энергонезависимая память
ROM - NVRAM
Nonvolatile RAM
Твердотельная память
Быстродействие |
|
Энергонезависимость |
|
|
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ
Оперативная память Random Access Memory (RAM)
Static RAM (SRAM)
Dynamic RAM (DRAM)
Постоянная память |
Read Only Memory (ROM) |
Mask ROM |
One Time Programmable |
ROM (OTP ROM) |
EPROM |
EEPROM |
FLASH |
Mask ROM
Ячейка памяти 
Memory Cell
Mask ROM
Diode ROM |
|
n-MOS ROM |
|
p-MOS ROM |
|
|
|
|
|
OTP ROM
Однократно программируемая память One Time Programmable ROM
Ячейка
Технология плавких перемычек FUSE
«Чистая» Запрограммированная
В технологии Antifuse все в точности наоборот
OTP ROM
Antifuse
1 |
2 |
|
|
Диэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide)
Floating -gate transistor (FAMOS)
Floating gate
Source
n+ |
p |
Substrate
“0”-state “1”-state
“ON” DVT
“OFF ”
VWL VGS
Gate
Drain
tox tox
n+_
D
G 
S
Digital Integrated Circuits
A Design Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje Nikolic
Floating -gate transistor (FAMOS)
UV-erasable EPROM
1971 Frohman’s UV-erasable EPROM
EEPROM
Floating gate |
Gate |
Source |
Drain |
|
20–30 nm |
n1 |
Substrate |
n1 |
|
|
|
|
p |
|
|
10 nm |
|
|
FLOTOX transistor |
|
I
-10 V |
VGD |
|
10 V |
Digital Integrated Circuits
A Design Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje Nikolic
EEPROM Cell
12,5V
Внешние |
|
Внутренние |
|
|
|
|
|
|
|
In System Programming |
|
В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки
Flash
|
Control gate |
|
|
|
Floating gate |
erasure |
|
Thin tunneling oxide |
n1source |
programming |
n1 drain |
|
|
|
|
psubstrate- |
|