
20-03-2013_10-45-00 / 3Резисторы
.docРезисторы
Резисторы являются элементами РЭА и могут применяться как дискретные компоненты или как составные части ИС. Принцип действия резисторов основан на использовании свойства материалов оказывать R протекающему через них I. Особенностью резисторов является то, что электрическая энергия в них превращается в тепло, которое рассеивается в окружающую среду. Параметры резисторов характеризуют эксплуатационные возможности применения конкретного типа резистора в конкретной электрической схеме.
Номинальное сопротивление Rном и его допустимое отклонение от номинала ±∆R являются основными параметрами резисторов.
Номинальная мощность рассеивания Рном определяет допустимую электрическую нагрузку, которую способен выдержать резистор в течение длительного времени при заданной стабильности сопротивления.
Как
уже отмечалось, протекание тока через
резистор связано с выделением в нем
тепла, которое должно рассеиваться в
окружающую среду. Мощность, выделяемая
в резисторе в виде тепла, определяется
величиной приложенного к нему
напряжения U и
протекающего тока I и
равна PВЫД = UI .
Мощность, рассеиваемая
резистором в окружающую среду,
пропорциональна разности температур
резистора TR и
окружающей среды ТO
и зависит от условий
охлаждения резистора, определяемых
величиной теплового сопротивления Rт которое
тем меньше, чем больше поверхность
резистора и теплопроводность материала
резистора.
Предельное рабочее напряжение UПРЕД определяет величину допустимого напряжения, которое может быть приложено к резистору. Для резисторов с небольшой величиной сопротивления (сотни Ом) эта величина определяется конструкцией резистора и рассчитывается по формуле в 1 окне.
Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (6 окно) характеризует относительное изменение сопротивления при изменении температуры Он может быть как положительным, так и отрицательным. Если резистивная пленка толстая, то она ведет себя как объемное тело, сопротивление которого с ростом температуры возрастает.
В цепи переменного тока ток и напряжение на резисторе совпадают по фазе. Эквивалентное сопротивление последовательно соединенных резисторов определяется формулой 2 в окне 2
По назначению дискретные резисторы делятся на резисторы общего назначения, прецизионные (допуск от +/-0,001% до 1%), высокочастотные (f до ГГц), высоковольтные (U-кВ) и высокоомные (R ном до ТОм).
По постоянству значения сопротивления резисторы подразделяются на постоянные, переменные и специальные. Постоянные резисторы имеют фиксированную величину R, у переменных резисторов предусмотрена возможность изменения R в процессе эксплуатации, R специальных резисторов изменяется под действием внешних факторов: приложенного напряжения (варисторы), температуры (терморезисторы), освещения (фоторезисторы) , магнитного поля (магниторезисторы), механических воздействий (тензорорезисторы).
Варисторы R=f(U) изготавливаются путем спекания кристаллов карбида кремния (SiC) и связующих веществ. В готовой структуре варистора между кристаллами кремния существуют мельчайшие зазоры. При приложении к варистору внешнего напряжения происходит перекрытие этих зазоров, в результате чего сопротивление варистора уменьшается. Типичный вид вольт - амперной характеристики показан на рис в окне 3. Параметрами варистора являются: номинальные напряжение Uном и ток Iном: статическое сопротивление; дифференциальное сопротивление; коэффициент нелинейности.
Терморезисторы - это полупроводниковые R=f(t) Параметрами терморезистора являются: номинальное сопротивление Rи при T=20oC, TKC, Pmax; постоянная времени τ , численно равная времени, в течение которого температура резистора при перенесении его из воздушной среды с t=0o С в воздушную среду с t=100o С изменяется на 63%. Терморезисторы с положительным ТКС называются позисторами (окно 6) ВАХ- Б, темп. хар-ка 2.
Фоторезисторы - это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых меняется под воздействием светового потока Ф(лм). Фотоприемники характеризуются не только ВАХ, но и частотными и спектральными характеристиками. ФР используются в качестве датчиков освещенности в системах телеметрии (окно7) .
Тензорезисторы — это резисторы, сопротивление которых меняется под влиянием механических воздействий. Исп. для измерения деформаций.
Магииторезисторы - это R с резко выраженной зависимостью сопротивления от магнитного поля (B,Тл) или Н (А/м).
По виду токопроводящего элемента резисторы делятся на проволочные и непроволочные.
Основным элементом конструкции постоянного резистора является резистивный элемент, который может быть либо пленочным, либо объемным. Величина объемного сопротивления материала определяется количеством свободных носителей заряда в материале, температурой, напряженностью поля и т.д. и определяется известным соотношением R=ρl/S где ρ- удельное электрическое сопротивление материала, l - длина резистивного слоя, s - площадь поперечного сечения резистивного слоя.
В чистых металлах всегда имеется большое количество свободных электронов, поэтому они имеют малую величину ρ и для изготовления резисторов не применяются. Для изготовления проволочных резисторов применяют сплавы никеля, хрома и т.д., имеющие большую величину ρ.
Резисторы гибридных ИС изготавливаются в виде резистивных пленок, наносимых на поверхность подложки. Эти резисторы могут быть тонкопленочными (толщина порядка 1 мкм) и толстопленочными (толщина порядка 20 мкм).
Для расчета сопротивления тонких пленок пользуются понятием удельного поверхностного сопротивления ρs , под которым понимается сопротивление тонкой пленки, имеющей в плане форму квадрата, зависящее от толщины пленки d и имеющее размерность Ом/ (Ом/квадрат). Форма резистора (меандр или прямоуг) определяется коэффициентом формы Кф.
Переменные резисторы (окно 4) могут иметь разный закон изменения сопротивления в зависимости от угла поворота оси α. У линейных резисторов (типа А) сопротивление зависит от угла поворота линейно. У логарифмических резисторов (тип Б) сопротивление изменяется по логарифмическому закону, а у резисторов типа В - по обратнологарифмическому (экспоненциальному). Кроме того, существуют резисторы, у которых сопротивление изменяется по закону синуса (тип И) или косинуса (тип Б). Схемы включения переменного резистора для регулировки тока (реостат) и напряжения (потенциометр Uвых=UвхR2/(R1+R2)) приведены также в окне 4.