Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

20-03-2013_10-45-00 / 10Полевой транзистор

.doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
10.06.2015
Размер:
27.65 Кб
Скачать

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

Электрод, из которого выходят носители заряда под действием напряжения на ЗАТВОРе, называется ИСТОКом, принимающий носители электрод называется – СТОКом. Схема усиления как по току, так и по напряжению – с ОИ.

Выделяют два основных типа полевых транзисторов:

полевые транзисторы с управляющим переходом (рис.19-22), в качестве перехода может быть p–n–переход, гетеропереход или переход Шоттки);

полевые транзисторы с изолированным затвором Их делят на МДП – транзисторы с индуцированным каналом (рис.1-4) и МДП–транзисторы со встроенным каналом (рис.10-13). У них затвор выполнен в виде металлической пленки, изолирован от канала тонким слоем диэлектрика (SiO2), поэтому их называют МДП–транзисторами.

Кроме этого, все полевые транзисторы могут быть как с каналом n-типа (рис. 1, 3, 10,12, 19, 21) так и с каналом p-типа (рис. 2, 4, 11, 13, 20, 22).

На карточке изображены условные обозначения шести транзисторов (три n-канальных и три р–канальных) (рис.1,2,10,11,19,20), их разрезы (схематические устройства) (рис. 3,4,12,13,21,22), их стоко–затворные (управляющие, передаточные) характеристики (рис.5,6,14,15,23,24), их выходные (стоковые) характеристики (рис. 8, 9, 17, 18, 26, 27) и краткие описания принципа работы (7, 16, 25).

Для каждого транзистора можно определить свой набор рисунков:

1. МДП–транзистор с индуцированным n-каналом (рис.1, 3, 6, 8, 7);

2. МДП–транзистор с индуцированным р-каналом (рис.2, 4, 5, 9, 7);

3. МДП–транзистор со встроенным n-каналом (рис.10, 12, 15, 17, 16);

4. МДП–транзистор со встроенным р-каналом (рис.11, 13, 14, 18, 16);

5. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом n-каналом (19,21, 23, 26, 25);

5. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом р-каналом (20,22, 24, 27, 25).

Основными параметрами полевых транзисторов являются: входное и выходное (внутреннее) сопротивление (рис.28), крутизна стоко-затворной характеристики S (рис.29) и коэффициент усиления по напряжению (рис.30).

Крутизну можно определить как по стокозатворной характеристике (треугольник характеристический на рис.5, 6, 14, 15, 23, 24), так и по выходной (взяв 2 точки на 2 характеристиках при постоянном Uси).

Выходное сопротивление можно определить по выходной характеристике (характеристический треугольник на рис.8, 9, 17, 18, 26, 27).