Карякин методичка для лб

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модель полевого транзистора технологии MOSFET в

инструментальной среде AWR MWO

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

HEMT - транзистор с высокой подвижностью электронов (другие названия: транзистор на селективно легированной гетероструктуре или транзистор с двумерным электронным газом) относится к типу полевых.

Отличие от последних заключается в том, что проводящий канал в HEMT транзисторе целенаправленно создается нелегированным (в полевом транзисторе канал n- или p-типа) для увеличения подвижности носителей заряда в канале, и, следовательно, быстродействия прибора.

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модель полевого транзистора технологии HEMT в

инструментальной среде AWR MWO

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

HFET - полевой транзистор на гетероструктурах.

Из рассмотренных выше полевых транзисторов технология HFET является в настоящее время наиболее перспективной по мощности, частотному диапазону, КПД и надежности.

На сайте компании Excelics Semiconuctor представлены технические характеристики высокоэффективных мощных арсенид галлиевых транзисторов на гетероструктурах (High Efficiency Heterojunction Power FETs).

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модель полевого транзистора технологии HFET в

инструментальной среде AWR MWO

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

SPICE–параметры, являющиеся составной частью математической модели транзистора в AWR MWO, определяются типом выбранного транзистора.

В инструментальной среде AWR MWO имеется библиотека

SPICE-параметров для транзисторов JFET, MESFET, MOSFET, HEMT, HFET. Кроме того, в сети Internet существуют сайты производителей радиоэлектронных компонентов (Excelics Semiconuctor, NEC, Philips, Motorola и др.), содержащие SPICE-

параметры полевых транзисторов.

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Если параметры выбранного транзистора отсутствуют в библиотеке AWR MWO, то их численные значения можно ввести, воспользовавшись специальным диалоговым окном.

Диалоговое окно ввода SPICE-параметров полевого транзистора технологии HFET

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Методика построения статических характеристик транзисторов

Алгоритм ГВВ1 подготовки MWO к проведению исследований

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

А1 Пуск программы MWO

А2 Открытие нового проекта - New Project А3 Подготовка к созданию новой схемы А4 Активизация окна просмотра элементов А5 Размещение элементов схемы

А6 Открытие окна для ввода SPICE – параметров транзистора

А7 Ввод SPICE – параметров выбранного транзистора А8 Составление эквивалентной схемы транзистора,

учитывающей паразитные элементы корпуса А9 Преобразование модели транзистора с учетом

паразитных элементов корпуса А10 Составление компьютерной модели транзистора,

описываемой SPISE-параметрами и учитывающей паразитные элементы корпуса.

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

В результате последовательного выполнения действий в соответствии с алгоритмом созданы программы ГБТ1 и ГПТ1 с компьютерными моделями выбранных биполярных и полевых транзисторов, описываемыми SPISE-параметрами в среде визуального моделирования Microwave Office.

Здесь ГБТ1 – программа для биполярных транзисторов; ГПТ1программа для полевых транзисторов.

Компьютерную модель условно обозначают символом выбранного биполярного или полевого транзистора.