Карякин методичка для лб

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модель VBIC транзистора технологии BJT в инструментальной среде AWR MWO

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Биполярный транзистор HBT на гетеропереходах, обладает рядом преимуществ по сравнению биполярным плоскостным транзистором BJT.

Модель Анхольта биполярного транзистора технологии HBT

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Комбинация широкозонного эмиттера и узкозонной базы, малая толщина базы и высокая подвижность электронов в транзисторах технологии HBT обуславливают хорошие высокочастотные характеристики.

В настоящее время область применения биполярных транзисторов разнообразна – мощные высокочастотные (ВЧ) усилители и автогенераторы в передающих устройствах, малошумящие усилители приемников, широкополосные усилители для мобильных беспроводных систем связи и т.д.

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модели полевых транзисторов

В базе данных инструментальной среды проектирования AWR MWO имеются сведения о моделях следующих полевых транзисторов:

-с управляющим переходом JFET (junction field-effect transistor);

-на основе перехода металл-полупроводник (полевой транзистор с затвором на основе барьера Шотки) MESFET (metal semiconductor field-effect transistor);

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

-на основе перехода металл-оксид-полупроводник, МОП-

транзистор MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor);

-с высокой подвижностью электронов HEMT (high electron mobility transistor);

-на гетероструктурах HFET (heterostructure field-effect transistor).

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

JFET - полевой транзистор с управляющим переходом является самым простым и дешевым прибором.

Транзисторы JFET находят применение на частотах до нескольких сотен МГц.

Подача смещения между затвором и стоком приводит к изменению размера области пространственного заряда перехода затвор-канал (управляющий p-n переход). При этом изменяется сечение проводящего канала для носителей заряда, соответственно, изменяется проводимость канала.

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модель полевого транзистора технологии JFET в инструментальной среде AWR MWO

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

MESFET - полевой транзистор на основе перехода металлполупроводник (полевой транзистор с затвором на основе барьера Шотки).

Технология изготовления барьера Шотки позволяет уменьшать межэлектродные расстояния вплоть до субмикронных размеров, что позволяет существенно повысить граничную частоту усиления.

Мощные полевые транзисторы с барьером Шотки превосходят биполярные транзисторы по уровню мощности и КПД на высоких частотах.

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

Модель полевого транзистора технологии MESFET в

инструментальной среде AWR MWO

(см. Help MWO)

Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ

MOSFET - полевой транзистор на основе перехода металл- оксид-полупроводник (МОП-транзистор).

МОП структура, наиболее широко используемая технология производства транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Вся современная цифровая техника основана на транзисторах, созданных по технологии МДП.

В передатчиках МДП-транзисторы находят применение при построении автогенераторов и усилителей мощности.