dsd1-10 / dsd-01=Компоненты ИС / Staroselskiy OLD / 03.bipolary / 10
.doc
10. Диодное включение транзисторов
10.1. Способы реализации диодов в ИМС
Для реализации полупроводниковых диодов в ИМС используются транзисторные структуры. Возможны 6 конструктивных вариантов:
1) Диод В-С 2) Диод В-С (без эмиттера)
3) Диод В-Е 4) Диод В-(Е+С)
5) Диод (В+Е)-С 6) Диод (В+С)-Е
10.2. Сравнительные характеристики диодов
|
№ |
Тип диода |
Тепловой ток |
Барьерная емкость |
Диффузион-ная емкость |
Сопротивление базы |
Площадь |
|
1 |
В-С |
Малый |
СЕ |
Большая |
|
Макс. |
|
2 |
В-С (без Е) |
Малый |
СС min |
Малая |
|
Мин. |
|
3 |
В-Е |
Мин. |
СС |
Макс. |
|
Мин. |
|
4 |
В-(Е+С) |
Большой |
СЕ + СС |
Большая |
|
Макс. |
|
5 |
(В+Е)-С |
Большой |
СС |
Большая |
|
Макс. |
|
6 |
(В+С)-Е |
Макс. |
СЕ |
Мин. |
|
Макс. |
