Низкотемпературный отжиг

В тех случаях, когда для постимплантационного отжига нет возможности использовать быстрый термический отжиг, в целях предотвращения расплывания профиля легирования применяется отжиг при пониженной температуре (600 - 900 С). Однако и в этих случаях наблюдается радиационно-ускоренная диффузия примеси, хотя параметры этого процесса отличаются от наблюдаемых при быстром отжиге. Особенно заметно это явление при легировании кремния бором при его концентрации меньше 2n_i(при температуре отжига). Предполагалось, что при низкой температуре ускорение диффузии объясняется взаимодействием примеси с нейтральными точечными дефектами.

Рассмотренные выше процессы в той или иной степени используются для создания высоколегированных областей биполярных в биполярных и МОП транзисторах, скрытых слоях, эпитаксиальных слоях*, поликремниевых затворах**.

*Эпитаксия - процесс ориентированного наращивания, в результате которого новая фаза продолжает кристаллическую решетку подложки с образованием переходного эпитаксиального слоя. Этот слой способствует когерентному срастанию двух решеток по плоскостям и направлениям со сходной плотностью упаковки атомов.

** Для создания поликремниевых слоев в отличие от эпитаксиального наращивания используются более низкие температуры и осуществляют рост пленок как на монокристаллической кремниевой подложке так и на подложке, с расположенными на ней диэлектрическими слоями.

6