3.2.1. Подготовка к работе:

1. Задать отношение площадей Q2 и Q1 М=10.

2. Задать напряжение питания Vcc = 3.3В.

3. Задать значение тока источника I₀ в соответствии с вариантом (0,1 – 1 мА) и токов эмиттера транзисторов Q1 и Q2 I_eQ1=I_eQ2=I₀/2.

4. Рассчитать .

5. Выбрать из существующей библиотеки транзисторы. (В соответствии с токами и плотностью тока j_e.)

3.2.2. Работа в лаборатории:

1. Провести DC анализ схемы источника опорного напряжения рис. 5 в заданном диапазоне температур от T^- до T⁺. Температуры выбрать в соответствии с вариантом.

2. Отобразить и подкорректировать величину I_eQ1 при комнатной температуре, изменяя R₃.

3. Повторить расчет и получить зависимость V_nref(T) (рис 7). Если кривая растущая, то уменьшить R₁=R₂. Если кривая убывающая, то увеличить R₁=R₂. Получить выпуклую кривую с одинаковыми значениями напряжения при крайних температурах.

4. Измерить величину температурного разброса напряжения V_nref.

5. Рассчитать величину температурного разброса напряжения V_nref для шести значений тока I₀ (при помощи схемы рис.6): 0/0,2/0,4/0,6/0,8/1,0 мА. Построить график вида рис. 7..

2. Оформление отчета

Отчет в тетради должен содержать:

• название работы;

• краткий конспект теоретической части;

• аналитические расчеты схем;

• распечатки результатов моделирования;

• выводы по работе.

4. Литература.

А.Б.Гребен. Проектирование аналоговых интегральных схем. М., Энергия, 1976г.

рис.6 Схема для исследований зависимости выходного напряжения от уровня тока.

рис.7 Зависимость выходного напряжения от температуры.