Получение нанопроволочных структур
Зависимости скоростей травления Si*, SiO2 и Si3N4 от операционных параметров процесса: а) - от ВЧ- мощности; б) – от давления; в) – от расхода SF6.
Получение нанопроволочных структур
Зависимости селективностей травления Si*/SiO2 и Si*/Si3N4 от операционных параметров процесса: а) от ВЧ-мощности; б) – от давления; в) – от расхода SF6.
Микрофотографии изотропных профилей травления
Si*: а) - W = 90 Вт, P = 45 Па, QSF6 = 3 л/ч, t = 40 с; б) - W = 90 Вт, P = 45 Па, QSF6 = 3 л/ч, t = 55 с.
Микрофотографии нанопроволочной кремниевой структуры (а) и чувствительного виброрезонансного наноэлемента для атомных весов (б).
Изготовление кремневого штампа: a) профили резистов, сформированные с помощью проекционной и электронно-лучевой литографий, б) металлизация, использующая Cr и Аl, в) взрыв, г) реактивное ионное травление в кремнии, д) профиль травления первой стадии, е) удаление Аl, сопровождаемое реактивным ионным травлением и ж) вторая стадия профиля травления после удаления Cr
10 nm |
Lg = 5 nm |
|
Transmission electron microscopy cross-sections of nanowire structure. (Reprinted from
Yang, F.-L., Lee, D.-H., Chen, H.-Y., Chang, C.-Y., Liu, S.-D., Huang, C.-C., Chung, T.-X. et al., IEEE
Symposium on VLSI Technology, 196, 2004. With permission. Copyright 2004 IEEE.)
Фотография кремниевого штампа, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа. Из рисунка видно, что ширина линии составляет ~ 75 нм.
