Применение плазменных технологий в производстве УБИС

Линии шириной 22 нм протравленные в кремнии через электронно-лучевой резист. Аспектное отношение 7:1

SF6/O2 крио процесс с использованием наноимпринт литографии. Суб-20 нм область.

26 нм элемент поликремния, протравленный с высокой селективностью по отношению к подзатворному окислу. 3 стадии травления: «пробивание окисла», анизотропная стадия, высокоселективный дотрав. 50нм/мин.

27 нм линии в кремнии глубиной 450 нм.

1 мкм переходные контактные отверстия в окисле кремния

110 нм линии хрома.

100 нм линии. Аспектное отношение 10:1.

50 мкм элемент кремния.

50 мкм травление кремния с использованием Bosch Process при изготовлении микромеханических устройств