Семестровый план / 5 курс / современные проблемы проектирования и технологии ИТС-54

Адамов Ю.Ф., Грушевский А.М., Тимошенков С.П. Проектирование систем на печатных платах на САПР Mentor Graphics: В 5-ти частях. Часть 1: Современные проблемы проектирования и технологии микроэлектронных систем: Уч. Пособие / Под ред. Тимошенкова С.П. - М.: МИЭТ, 2008.

Немудров В., Мартин Г. Мир электроники. Системы-на-кристалле. - М.: Техносфера, 2004 г.

Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Часть 1. - М.: Техносфера, 2002 г.

Заводян А.В., А.М. Грушевский А.М. Поверхностный монтаж для производства высокоплотных электронных средств. Уч. пособие с грифом УМО. – М.: МИЭТ, 2006.

Дополнительная литература:

1. Грушевский А.М. Сборка и монтаж многокристальных микромодулей. http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/srs.shtml– М.: МИЭТ, 2003.

2. Заводян А.В., А.М. Грушевский А.М. Поверхностный монтаж для производства высокоплотных электронных средств. Уч. пособие с грифом УМО. http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/srs.shtml – М.: МИЭТ, 2006.

3. Зи. С. Технология СБИС. М.: Мир, 1986 г.

4.Коледов А.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. – 3-е изд. – СПб.: Лань, 2009.

Периодические издания:

1. Проектирование и технология электронных средств.

2. Нано и микросистемная техника.

3. Известия высших учебных заведений. Электроника.

Грушевский А.М. Сборка и монтаж многокристальных микромодулей. http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/srs.shtml– М.: МИЭТ, 2003.

Заводян А.В., А.М. Грушевский А.М. Поверхностный монтаж для производства высокоплотных электронных средств. Уч. пособие с грифом УМО. http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/srs.shtml – М.: МИЭТ, 2006.

Симонов Б.М., Заводян А.В. Технология, конструирование ИС. – Электронное учебное пособие, 2000 г.

Коледов А.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. – 3-е изд. – http://e.lanbook.com

№ лекции

Содержание

Лекция 1

Технология микроэлектроники и микроэлектронные полупроводниковые приборы. Развитие полупроводниковой технологии. Принципы планарной технологии. Полупроводниковые материалы.

Лекция 2

Монокристаллы и пластины. Основные технологические процессы производства микросхем.

Прогноз развития элементной базы микроэлектроники. Единство интегральной технологии и схемотехники. Интегральная схемотехника – продукт развития технологии. Принципы интегральной схемотехники.

Лекция 3

Литография – процесс переноса изображения.

Фотолитография – ключевой процесс планарной технологии.

Электронно-лучевая литография. Резисты – полимеры чувствительные к облучению.

Эпитаксия полупроводниковых слоев. Эпитаксиальное выращивание слоев кремния из парогазовой фазы. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

Процессы нанесения диэлектрических покрытий. Назначение диэлектрических слоев и требования к ним. Методы получения диэлектрических покрытий.

Термическое окисление кремния. Осаждение диэлектрических пленок.

Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок.

Лекция 4

Легирование полупроводников (назначение процесса легирования и основные определения).

Ионная имплантация. Оборудование для ионного легирования.

Процессы плазмохимического травления полупроводников, диэлектриков и металлов. Классификация процессов плазмохимического травления.

Металлизированные соединения и омические контакты. Требования к металлизации. Материалы для электрических соединений. Оборудование для нанесения металлических пленок. Методы осаждения металлов. Интеграция процессов металлизации.

Лекция 5

Интеграция технологических процессов в производственный маршрут изготовления микросхем. Взаимосвязь технологических процессов. Спецификация производственного маршрута.

Структуры и процессы формирования пассивных элементов микросхем. Требования к пассивным элементам и их состав. Интегральные резисторы.

Интегральные конденсаторы. Интегральные индукторы.

Пассивные элементы на основе волноводов. Варакторы.

Диоды Шоттки.

Лекция 6

Физические структуры микросхем на основе гетеропереходов соединений A₃B₅ и кремний-германий. Свойства гетеропереходов. Технология гетероструктурных микросхем.

Функциональные приборы и устройства: оптоэлектронные и акустоэлектронные приборы.Микроэлектронные электромеханические устройства. Магниточувствительные устройства.

Лекция 7

Процессы сборки и герметизации микросхем.

Заключительный этап производства микросхем.

Лекция 8

Корпуса для интегральных микросхем.

Монтаж кристаллов в корпуса, герметизация, защита от альфа-частиц. Многокристальные модули, бескорпусные и гибридные микросхемы. Тенденции и перспективы развития сборочной технологии.

№ п/п

Содержание лабораторных работ

1

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию типовых структур и характеристик кремниевых биполярных и МОП транзисторов. Промежуточный контроль.

2

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию размерных эффектов в МОП транзисторах, прогноз предельных параметров МОП транзисторов. Промежуточный контроль.

3

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию особенностей процесса литографии. Рассмотрение прибора, сформированного в эпитаксиальной подлжке. Промежуточный контроль.

4

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию модели диффузии в твердом теле. Построение профилей легирования в заданных структурах. Промежуточный контроль.

5

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию процесса интеграции приборов в структуре микросхем. Промежуточный контроль.

6

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию структур и основных характеристик активных элементов на гетероструктурных подложках. Промежуточный контроль.

7

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию процесса сборки и герметизации микросхем. Промежуточный контроль.

8

Выполнение небольшими коллективами заданий по исследованию основных типов корпусов. Промежуточный контроль.

№

Темы ЭМИРС

Используемый ПП

1. 1

Современные проблемы проектирования и технологии электронных средств

MS Word