2.2.Лабораторные занятия

№

Содержание

1. 1

Исследование параметров микроклимата в производственном помещении.

2. 2

Определение аэродинамических параметров вентиляционных систем.

3. 3

Исследование производственного освещения. Естественное освещение

4. 4

Исследование производственного освещения. Искусственное освещение.

5. 5

Исследование средств шумоизоляции.

6. 6

Исследование вибрации.

7. 7

Защита от теплового излучения.

8. 8

Анализ безопасности трёхфазных сетей.

№

Содержание

4. 1

Производственная безопасность.

5. 2

Экологическая безопасность.

№

Темы ЭМИРС

Используемый ПП

ЭМИРС1

ЭМИРС2

БЖД. Энергетические воздействия (задачи, контрольные вопросы, тесты)

БЖД в микроэлектронике (тесты)

Microsoft Word

1.

Фистуль. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984 г.

2.

Ю.П. Кардона основы физики полупроводников. перевод с англ. И.И. Решиной, под ред Б.П. Захарчени, М.:Физматлит, 2002

3.

К.В.Шалимова. Физика полупроводников. М.:Энерго-атомиздат, 1985 г.

4.

Ю.А.Парменов. Физика полупроводников. М.:МИЭТ, 2002 г.

5.

А.А. Шерченков, Ю.И. Штерн. Физика и технология полупроводниковых пре-образователей энергии. Часть1.Учебное пособие.- М.: МИЭТ.- 2006

6.

А.А.Шерченков, Б.Г. Будагян Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии. Часть 2 Учебное пособие.- М.:МИЭТ.- 2007

7.

Б.Г.Будагян, А.А.Шерченков. Материалы электронной техники. Лабораторный практикум, Часть 1, М.:МИЭТ, 2001 г.

А.А.Шерченков, Ю.И.Штерн. Материалы электронной техники. Часть 3 // Лабораторный практикум. М.:МИЭТ(ТУ). 2004.

1.

Шерченков А.А. Физика и химия полупроводников. Электронный модуль, М.:МИЭТ, 2007, ОРОКС

№

Содержание

62. 1,2

Предмет курса. Теория свободных электронов. Плотность электронных состояний. Распределение электронов по состояниям. Функция Ферми-Дирака. Энергетические зоны в кристаллах. Топология энергетических зон в кремнии и германии. Л.1-3, консп. лек.

63. 3,4

Статистика электронов в полупроводниках. Концентрация электронов и дырок. Собственные полупроводники. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Закон действующих масс. Л.1-3, консп. лек.

64. 5

Состояние легирующих элементов в решетке полупроводника. Акцепторы и доноры. Уравнение электронейтральности. Распределение электронов и дырок по примесным состояниям. Л.1-3, консп. лек.

65. 6

Статистика носителей заряда в легированных полупроводниках. Положение уровня Ферми в донорном и акцепторном полупроводниках и его взаимосвязь с температурой и концентрацией легирующих примесей. Вырожденный полупроводник. Л.1-3, консп. лек.

66. 7,8

Уравнение электронейтральности для сложнолегированного полупроводника. Особенности поведения уровня Ферми в полупроводнике, содержащем доноры и акцепторы. Компенсация. Л.1-3, консп. лек. Контрольная работа.

67. 9

Природа точечных дефектов в полупроводниковых твердых растворах. Электрон и дырка - как “химические” единицы, элементарные участники квазихимических реакций. Термодинамика межпримесного и междефектного взаимодействия в полупроводниковых твердых растворах. Л.1-3, консп. лек.

68. 10,11

Твердые растворы на основе полупроводников и растворы сильных электролитов в воде. Модель Райса-Морина. Электронно-дырочное равновесие в легированных полупроводниках и его влияние на растворимость основных легирующих примесей в Si и Ge. Л.1-3, консп. лек.

69. 12

Модель заряженного ионного комплекса. Модель нейтрального ионного комплекса. Метод определения константы равновесия процесса образования нейтральных пар. Л.1-3, консп. лек.

70. 13,14

Влияние элементов III и V групп на процессы дефектообразования в Si. Основные фоновые примеси в Si. Кислород в кремнии равновесие в легированных полупроводниках и его влияние на растворимость основных легирующих примесей в Si и Ge. Л.1-3, консп. лек.

71. 15

Принципы легирования полупроводниковых соединений. Фазовые равновесия в системах с образованием полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V, отклонение от стехиометрии в них и равновесие точечных дефектов. Л.1-3, консп. лек.

72. 16

Неупорядоченные полупроводники. Особенности структуры и свойств. Л.1-3, консп. лек. Контрольная работа.

73. 17

Квазихимические равновесия и про цессы дефектообразования в некристаллических полупроводниках. Особенности процесса легирования. полупроводниковых материалов. Л.1-3, консп. лек.