2.Содержание дисциплины

№

Содержание

Лекция 1

Предмет, цель и задачи курса. Пути развития технологии микроэлектроники. Терминология. Общая классификация физико-химических процессов технологии микроэлектроники. Л.1. стр.3-4, Л.4, стр.5-15, - 2 часа

Лекция 2

Физико-химические основы процессов нанесения вещества на поверхность твердой фазы-подложки. Классификация процессов нанесения. Существующие представления о механизмах зародышеобразования и роста новой фазы. Л.1, стр.3-6, 16-22, Л.4, стр.15-35, - 2 часа

Лекция 3

Ориентированное и неориентированное нарастание. Феноменологические гипотезы эпитаксии. Прогнозирование вероятности и характера протекания процессов эпитаксии с использованием критериев физико-химического взаимодействия веществ. Л.4, стр.25-53, - 2 часа

Лекция 4

Прогнозирование вероятности и характера протекания процессов эпитаксии с использованием диаграмм фазовых равновесий срастающихся веществ. Л.4, стр.41-53. - 2 часа.

Лекция 5

Физико-химические основы автоэпитаксии кремния. Хлоридный процесс эпитаксии, Кинетика и механизм кристаллизации эпитаксиальных слоев кремния в хлоридном процессе. Л.1, стр.22-34, Л.4, стр.58-80, - 2 часа.

Лекция 6

Гидридный процесс автоэпитаксии кремния. Дефекты, возникающие в эпитаксиальных структурах. Л.1, стр.22-27, Л.4, стр.81-96, - 2 часа.

Лекция 7

Локальная эпитаксия кремния, Л.4, стр. 82-84, Л3, стр.53-62, - 2 часа.

Лекция 8

Явление автолегирования, составляющие автолегирования. Источники и пути подавления автолегирования, Л.1, стр 27-34, Л.2, стр.24-33, - 2 часа.

Лекция 9

Гетероэпитаксия кремния. Формирование структур кремний на сапфире. Л.4, стр.96-108, - 2 часа.

Лекция 10

Эпитаксия полупроводниковых соединений на примере соединений А³В⁵. Л.4, стр.84-86, - 2 часа.

Лекция 11

Диэлектрические пленки в технологии микроэлектроники. Механизм и кинетика термического окисления кремния. Л.1, стр. 35-47, Л.4, стр.134-148, Л.2, стр. 34-48. –2 часа.

Лекция 12

Электрохимические методы получения диэлектрических пленок. Л.4, стр.153-171. –2 часа.

Лекция 13

Методы осаждения пленок диоксида кремния. Сравнительная характеристика пленок , полученных разными методами. Л.1, стр.47-64, Л.5, стр.60-90. –2 часа.

Лекция 14

Методы осаждения нитрида кремния, Сравнительный анализ пленок нитрида кремния, полученных разными методами, Л.1, стр.47-64, Л.5, стр.60-90. –2 часа.

Лекция 15

Физико-химические основы тонко- и толстопленочной технологии. Материалы для систем коммутации и межсоединений ИС. Л.1. стр.69-78, Л.4, стр. 110-118. –2 часа.

Лекция 16

Методы нанесения и тонких пленок металлов и сплавов. Вакуум-термическое нанесение. Катодное распыление. Ионно-плазменное нанесение. Л.1, стр.79-89, Л.4, стр.119-134, Л.2, стр.71-77. –2 часа.

Лекция 17

Методы формирования слоев силицидов. Поликремний в качестве токоведущих элементов. Методы формирования слоев поликремния. Л.1, стр.89-93, Л.4, стр.119-134. –2 часа.

Лекция 18

Теоретические основы и классификация процессов удаления вещества с поверхности твердой фазы. Критерии геометрического совершенства подложки. Л.4, стр.183-186. –2 часа.

Лекция 19

Механическое удаление вещества. Механизм процессов резания, шлифования, полирования кремния. основные закономерности процессов. Л.4, стр.186-197.–2 часа.

Лекция 20

Нарушенный слой и его структура. Кристаллографически ориентированные процессы удаления. Л.4, стр.198-215.–2 часа.

Лекция 21

Пути попадания загрязнений на поверхность подложки. Классификация основных видов загрязнений. Технологичес-кие процессы очистки поверхности подложки., Л.4, стр.227-241.–2 часа.

Лекция 22

Процессы травления монокристаллических полупроводников. Полирующее травление кремния и германия. Процессы анизотропного травления. Л.1, стр.95-111, Л.4, стр.230-251.–2 часа.

Лекция 23

Вакуум-термическое удаление вещества. Теоретические основы метода. Сублимация и испарение при низких давлениях. Л.1, стр.80-85, Л.4, стр.250-257. –2 часа.

Лекция 24

Процессы сухого травления. Ионно-плазменное , плазмо-химическое травление. Л.1, стр. 119-142, Л.4, стр. 257-266. –2 часа.

Лекция 25

Механизмы плазмохимического травления. Параметры процесса плазмохимического травления. Степень анизотропии, селективность процесса. травления. Л.1, стр.99-105, Л.2, стр.44-52. –2 часа.

Лекция 26

Теоретические основы процессов перераспределения вещества. Основные законы диффузии. Л.1, стр.144-159, Л.4, стр.266-277. –2 часа.

Лекция 27

Диффузия примесей в кремнии. Особенности термодиффузионных процессов. Выбор легирующей примеси и вещества-источника легирующей примеси. Л.1, стр.144-159, Л.4, стр.227-306, Л.2, стр. 13-23. –2 часа.

Лекция 28

Ионное легирование полупроводников. Пробеги ионов в аморфной и в монокристаллической мишенях. Профиль распределения внедренных ионов. Л.1, стр.159-164, Л.4, стр.306-316,Л.2, 63-70. –2 часа.

Лекция 29

Радиационные нарушения, возникающие в процессе ионной имплантации. Распределение радиационных нарушений. Доза аморфизации. Радиационно-стимулированная диффузия. Л.1,стр. 165-166, Л.4, стр.310-316. –2 часа.

Лекция 30

Физико-химические основы процессов переноса изображения в технологии микроэлектроники. Классификация процессов переноса изображения. Л.1, стр.168-175, Л..2,стр.343-349. –2 часа.

Лекция 31

Основы фотохимии. Характеристики фоторезистов. Позитивный и негативный фоторезисты. Л.1, стр.168-175, Л..2,стр.343-349. –2 часа.

Лекция 32

Влияние эффектов геометрической оптики, дифракционных и интерференционных явлений на результаты процесса фотолитографии. Л.1,стр.175-179, Л.2,стр.78-83. –2 часа.

Лекция 33

Основные операции фотолитографического процесса. Формирование слоя фоторезиста. Формирование защитного рельефа, передача изображения на подложку., Л.1, стр.179-184, Л.4, стр.348-362. –2 часа.

Лекция 34

Получение рисунка ИС методами рентгено- и электронолитографии.Л.1,стр.185-192, Л.4, стр.362-269, 2 часа. –2 часа.