- •Учебная дисциплина
- •Учебная дисциплина «Материалы электронной техники»
- •1.Информационное обеспечение дисциплины
- •1.1. Литература
- •2.Электронные ресурсы
- •2.1.Лекционные занятия
- •2.2.Лабораторные занятия
- •Учебная дисциплина «физико-химические основы технологии микроэлектроники»
- •1.Информационное обеспечение дисциплины
- •1.1. Литература
- •1.2. Электронные ресурсы
- •2.Содержание дисциплины
- •2.1.Лекционные занятия
- •2.2.Практические занятия
- •2.3.Лабораторные занятия
- •2.4.Тематика курсовых работ
- •Учебная дисциплина «экономические основы предпринимательства»
- •1.Информационное обеспечение дисциплины
- •1.1Литература
- •1.2.Электронные ресурсы
- •2.Содержание дисциплины
- •2.1.Лекционные занятия
- •2.2.Практические занятия
- •2.Содержание дисциплины
- •Учебная дисциплина «Безопасность жизнедеятельности»
- •1.Информационное обеспечение дисциплины
- •1.1Литература
- •1.2.Электронные ресурсы
- •2.Содержание дисциплины
- •2.1.Лекционные занятия
- •2.2.Лабораторные занятия
- •Учебная дисциплина «Физика и химия полупроводников»
- •1.Информационное обеспечение дисциплины
- •1.1 Литература
- •1.2.Электронные ресурсы
- •2.Содержание дисциплины
- •2.1Лекционные занятия
- •2.2.Практические занятия
- •2.3.Лабораторные занятия
- •2.4.Тематика курсовых работ, рефератов, расчетно-графических работ
2.2.Лабораторные занятия
|
№ |
Содержание |
|
Определение удельного сопротивления полупроводников четырехзондовым методом (4 час). Л.6 |
|
Исследование температурной зависимости проводимости полупроводниковых материалов (4 час). Л.6 |
|
Температурная зависимость темновой проводимости в пленках а-Si:H (4 час). Л.5 |
|
Температурная зависимость фотопроводимости в пленках a-Si:H (4 час). Л.7 |
|
Исследование температурной зависимости подвижности электронов и дырок в легированных полупроводниках (4 час). Л.6 |
|
Измерение коэффициента оптического поглощения тонких пленок аморфных полупроводников методом постоянного фототока. Определение плотности состояний в запрещенной зоне по оптическим спектрам (4 час). Л.5 |
|
Определение глубины залегания p-n перехода в полупроводниковых структурах. Определение толщины непрозрачных пленок (4 час). Л.6 |
|
Изучение морфологии поверхности полупроводниковых пленок методом атомной силовой микроскопии (4 час). Л.7 |
|
|
Защита лабораторных работ (2 час). |
ДОМАШНИЕ ЗАДАНИЯ
|
№ |
Содержание |
|
Полупроводниковые материалы. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках. Поведение примесей в полупроводниках. |
|
Эпитаксия в микроэлектронике. |
|
Диэлектрические материалы. Основнык характеристики диэлектрических материалов. Функции диэлектриков в микроэлектронике. Диэлектрические материалы с низким значением диэлектрической проницаемости. |
САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА
(адрес: http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/srs.shtml - кафедра МФХ - логин: u<номер студенческого билета>, пароль: <дата рождения> в формате ДД.ММ.ГГГГ)
|
№ |
Темы ЭМИРС |
Используемый ПП |
|
|
Полярные диэлектрики. Свойства и получение. Применение в функциональной электронике. Л.3 |
|
Учебная дисциплина «физико-химические основы технологии микроэлектроники»
1.Информационное обеспечение дисциплины
1.1. Литература
|
1. |
И.Н.Сорокин, М.В.Акуленок. Технология электронных компонентов (Учебное пособие). М.: МИЭТ, 1999. |
|
2. |
М.В.Акуленок. Сборник задач и упражнений по курсу «Технология электронных компонентов». М.: МИЭТ, 1998. |
|
3. |
Лабораторный практикум по курсу «Технология электронных компонентов». М.: МИЭТ, 1999. |
|
4. |
Ю.Д.Чистяков, Ю.П.Райнова. Физико-химические основы технологии микроэлектроники (Учебное пособие). М.: Металлургия, 1979. |
|
5. |
Технология СБИС под ред. С.Зи. М.: Мир, 1986. Том 1. |
1.2. Электронные ресурсы
|
1. |
Учебно-методическая разработка для самостоятельной работы студентов по курсу «Технологические процессы микроэлектроники» |
|
|
Лабораторный практикум по курсу «Технологические процессы микроэлектроники» |