Учебная дисциплина «Материалы электронной техники»

1.

В.В.Пасынков, В.С.Сорокин. Материалы электронной техники. учебник, СПб.:Лань, 2003

2.

С.С.Горелик, М.Я.Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Металлургия, М.:1988.

3.

Б.Г.Будагян, Ю.И.Штерн, А.А.Шерченков. Материалы электронной техники. Учебное пособие, М.:МИЭТ, 1997.

4.

Б.Г.Будагян, А.А.Шерченков. Материалы твердотельной электроники. Учебное пособие. М.:МИЭТ(ТУ). 1999.

Б.Г.Будагян, В.В.Жаров, Т.Н. Коледова, Н.И.Попенко, А.А.Шерченков, Ю.И.Штерн. Материалы электронной техники. Часть 2 // Лабораторный практикум. М.:МИЭТ(ТУ). 2001.

А.А.Шерченков, Ю.И.Штерн. Материалы электронной техники. Часть 3 // Лабораторный практикум. М.:МИЭТ(ТУ). 2004.

Б.Г.Будагян, А.А.Шерченков. Материалы электронной техники. Часть 1 // Лабораторный практикум. М.:МИЭТ(ТУ). 2001.

Шерченков А.А., Штерн Ю.И. Материалы электронной техники. Учебно-методические разработки для самостоятельной работы студентов. Электронный модуль, М.:МИЭТ, 2007, ОРОКС

№

Содержание

16. 1

Предмет и задачи курса. Классификация и особенности материалов электронной техники. Л.1-3

17. 2,3

Полупроводниковые материалы. Понятие о полупроводниковой чистоте веществ. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках. Классификация и назначение легирующих примесей. Л.1-3

18. 4,5

Кремний, его свойства. Монокристаллический кремний. Бездислокационный кремний. Примеси кислорода и углерода в Si – источники и поведение. Пути повышения структурного совершенства. Л.1-3

19. 6

Эпитаксиальные структуры Si. Структуры кремния на диэлектрике. Л.1-3 Контрольная работа.

20. 7

Поликристаллический кремний – свойства, получение, применение. Л.1-3

21. 8

Аморфный кремний. Особенности структуры и свойств. Методы получения. Применение в микроэлектронике. Л.3

22. 9

Микрокристаллический кремний – свойства, получение и применение. Консп. лек.

23. 10,11

Материалы кремниевой оптоэлектроники. Светоизлучающие структуры на основе кремния, легированного эрбием. Консп. лек. Контрольная работа.

24. 12

Пористый кремний. Перспективные материалы кремниевой оптоэлектроники на основе элементов IV группы. Гетероструктуры на основе сплавов элементов IV группы. Консп. лек.

25. 13

Полупроводниковый карбид кремния – свойства, получение, особенности технологии, применение. Л.4

26. 14

Полупроводниковые соединения А^IIIВ^V и твердые растворы на их основе. GaAs – свойства, получение монокристаллов. Особенности технологии получения соединений А^IIIВ^V. Эпитаксиальные слои соединений А^IIIВ^V. Л.1-3

27. 15

GaN и родственные материалы. Применение соединений А^IIIВ^V. Л.4

28. 16

Полупроводниковые соединения типа А^IIВ^VI. Свойства, получение, применение. Л.1-3

29. 17,18

Термоэлектрические явления. Термоэлектрические материалы – требования, свойства, получение и применение. Л.3.

30. 19,20

Диэлектрические материалы. Стекловидные диэлектрики. Получение тонких пленок стекловидных диэлектриков. Керамические материалы. Функции диэлектриков в микроэлектронике. Диэлектрические материалы с низким значением диэлектрической проницаемости. Л.1-3

31. 21,22

Высокотемпературная сверхпроводящая керамика. Получение, перспективы применения. Л.3 Контрольная работа.

32. 23,24

Жидкие кристаллы – свойства, применение в качестве индикаторов. Л.3

33. 25,26

Органические и полимерные материалы в микроэлектронике. Консп. лек.