2.2.Практические занятия

№

Содержание

7. 1

Определение плотности электронных состояний в полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

8. 2

Зонные диаграммы. Топология энергетических зон кремния и германия. Л.1-3, консп. лек.

9. 3

Уровень Ферми в полупроводниках. Статистика электронов в полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

10. 4

Уравнение электронейтральности. Определение распределения электронов и дырок по примесным состояниям. Л.1-3, консп. лек.

11. 5

Определение взаимосвязи с температурой и концентрацией положения уровня Ферми в легированных полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

12. 6

Сложнолегированные полупроводники. Определение положения уровня Ферми в сложнолегированных полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

13. 7

Исследование межпримесного и междефектного взаимодействия в полупроводниковых твердых растворах. Л.1-3, консп. лек.

14. 8

Выявление природы точечных дефектов в полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

15. 9

Влияние электронно-дырочного равновесия в легированных полупроводниках на растворимость основных легирующих примесей. Л.1-3, консп. лек.

16. 10

Метод определения константы равновесия процесса образования нейтральных пар. Л.1-3, консп. лек.

17. 11

Равновесие в легированных полупроводниках и его влияние на растворимость основных легирующих примесей в Si и Ge. Л.1-3, консп. лек.

18. 12

Принципы легирования полупроводниковых соединений. Л.1-3, консп. лек.

19. 13

Фазовые равновесия в полупроводниковых соединениях типа A^IIIB^V. Л.1-3, консп. лек.

20. 14

Особенности структуры и свойств в неупорядоченных полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

21. 15

Транспорт носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

22. 16

Квазихимические равновесия и процессы дефектообразования в некристаллических полупроводниках. Л.1-3, консп. лек.

23. 17

Особенности процесса легирования. полупроводниковых материалов. Л.1-3, консп. лек.

№

Содержание

9. 1

Исследование температурной зависимости коэффициента термо-эдс полупроводников (4 час). Л.5

10. 2

Исследование температурной зависимости коэффициента теплопроводности полупроводников (4 час). Л.5

11. 3

Исследование теплоемкости методом дифференциально-сканирующей калориметрии (4 час). Л.4

12. 4

Исследование микроструктуры пленок методом ИК спектроскопии (4 час). Л.4

13. 5

Защита лабораторных работ (1 час).

1.

Методы получения и исследование свойств гетероструктур на основе аморфного кремния для солнечных батарей.

2.

Разработка методики и исследование вольт-фарадных характеристик гетерострукту из аморфного кремния.

3.

Разработка методики и исследование вольт-амперных характеристик гетероструктур из аморфного кремния.

4.

Исследование электронных состояний на границе раздела p-i-n структур для солнечных батарей.

5.

Исследование механизмов роста аморфных пленок в плазме низкочастотного тлеющего разряда.

6.

Фотоэлектрические свойства p- и n-слоев аморфного кремния для солнечных батарей.

7.

Разработка метода получения и исследование свойств солнечных батарей на основе p-i-n структур из аморфного кремния.

8.

Разработка метода получения и исследование структуры сплавов аморфного кремния с углеродом.

9.

Разработка метода получения и исследование структуры сплавов аморфного кремния с германием.

10.

Фотоэлектрические свойства и стабильность сплавов a-SiC:H для солнечных батарей.

11.

Фотоэлектрические свойства и стабильность сплавов a-SiGe:H для солнечных батарей.

12.

Исследование эффекта Стеблера-Вронского и природы метастабильных состояний в микрокристаллическом кремнии.

13.

Разработка и исследование термоэлектрических модулей с повышенной холодопроизводительностью.

14.

Получение и исследование омических контактов к термоэлектрическим материалам.

15.

Компьютерное моделирование и расчет систем теплосьема для термоэлектрических модулей.

16.

Разработка и исследование термоэлектрических систем кондиционирования воздуха.

17.

Оптимизация конструкции и исследование каскадных термоэлектрических устройств.

18.

Разработка измерительного комплекса для исследования и испытания термоэлектрических модулей и устройств.

19.

Создание термоэлектрической системы для охлаждения навигационного оборудования.

20.

Разработка методик для исследования электрофизических параметров термоэлектрических материалов и тестирования термоэлементов.

21.

Разработка электронных приборов для контактного измерения температуры.

22.

Разработка измерительного комплекса для исследования датчиков температуры и поверки электронных термометров.

23.

Разработка программируемых блоков управления термическим оборудованием, сопряженным с компьютером.

24.

Разработка технологии сборки термоэлектрических модулей.

25.

Разработка технологии сборки каскадных термоэлектрических устройств.

№

Содержание

6. 1

Зонные диаграммы. Топология энергетических зон кремния и германия.

7. 2

Статистика электронов в полупроводниках. Концентрация электронов и дырок. Собственные полупроводники.

№

Темы ЭМИРС

Используемый ПП

Контактные явления в полупроводниках