1.8 Факультативное задание: Расчёт реальной вах, зависящей от Vbs

Расчет реальной ВАХ при U_BS=-2В проводится аналогично разделу 1.5.

Для крутой области ВАХ:

Ток насыщения I_DS определяется из выражения (1.4) при V_DS=V_DSS

Для пологой области ВАХ:

Т.к. ,то

Результаты расчета выходной ВАХ рассматриваемого МДП-транзистора

при U_GS=4B, U_DS=0-5В, U_BS=-2 в рамках модели вместе с данными рисунка 1.5 показаны на рисунке 1.7.

Рисунок 1.7 - ВАХ транзистора, рассчитанные при Ugs=4В с учетом различных приближений

• а – идеальная модель, U_BS=0

• б – реальная модель, U_BS=0B

• в – реальная модель, U_BS=-2B

1.9 Факультативное задание: Расчёт параметров эквивалентной схемы Рассчитаем малосигнальные параметры эквивалентной схемы, показанной на рисунке по рис.1.6:

Крутизна ВАХ:

Выходная проводимость:

Собственный коэффициент усиления по напряжению:

18