- •Лекция 6 Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе»
- •6.2. Преимущества кни мопт
- •6.3. Различные конфигурации кни мопт
- •6.4. Частично обедненные кни мопт
- •6.5. Полностью обедненные кни мопт
- •6.6. Ультратонкие кни мопт
- •6.7. Сравнение полностью и частично обедненных кни мопт
- •6.8. Масштабирование кни мопт
- •6.9. Технологии многозатворных мопт
- •Литература:
- •Задание для срс
- •Вопросы для самопроверки
Литература:
Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектрники, М.: БИНОМ, 2011, с. 159-186.
Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 6.
Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p. 148-201.
Sze S.M., Ng К.К., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, p. 293-343.
Taur Y., Buchanan D.A., Wei Chen, Frank D.J. at al. CMOS Scaling into the Nanometer Regime, Proceedings of the IEEE, 2001, v.85, №4, pp.486-504.
Liu T.-J.K. and Chang L. Transistor Scaling to the Limit, in «Into the Nano Era: Moore’s Law Beyond Planar Silicon CMOS», Ed. H. R. Huff, Springer, 2009, pp.191-223.
Marc Van Rossum MOS Device and Interconnects Scaling Physics, in «Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: 15 Fundamentals and Applications», Y. Shacham-Diamand et al. (eds.), Springer Science+Business Media, pp. 15-38.
Helms D., Schmidt E., Nebel W. Leakage in CMOS Circuits – An Introduction. E. Macii et al. (Eds.): PATMOS 2004, LNCS 3254, pp. 17–35, 2004, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2004.
Задание для срс
1.Изучить материал лекции №6 по конспекту и по литературным источникам.
2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №7.
Вопросы для самопроверки
В чем состоят преимущества КНИ МОПТ?
Чем отличаются друг от друга частично и полностью обедненные КНИ МОПТ?
В чем заключается главное отличие КНИ МОПТ от объемных МОПТ?
Что такое эффект плавающей базы и как он возникает?
Что является следствием эффекта плавающей базы?
Почему эффект плавающей базы слабее проявляется в полностью обедненных КНИ МОПТ?
Опишите механизм управления пороговым напряжением в полностью обедненных КНИ МОПТ напряжением на нижнем затворе (подложке).
Почему подвижность носителей в канале ультратонких КНИ МОПТ уменьшается с уменьшением толщины тела?
Опишите преимущества и недостатки частично и полностью обедненных КНИ МОПТ.
В чем заключается главный короткоканальный эффект в КНИ МОПТ?
Что такое объемная инверсия?