Вопрос 1: Какова величина порогового напряжения варикапа? Ответ: ......................

Вопрос 2: Как ведет себя емкость запорного слоя при увеличении обратного напряжения? Ответ: ......................

и

двумя

Проделайте этот с остальными р-

Поочередно устанавливая значения токов I

(эмиттер

слоями

крайними

n

ПР

(рис.

5.1.1)

собой

• •

•

•

ПР

(U

ПР

)

•

•

1 N

5. Биполярные транзисторы

5.1. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзи- сторов

5.1.1. Общие сведения

Транзистор

представляет

условное обозначение

Б - база

К - коллектор Э - эмиттер

полупроводниковый триод, у которого тонкий р- проводящий слой помещен между двумя n-прово-

дящими слоями (n-p-n транзистор) или n-проводящий слой помещен между двумя р-проводящими слоями (p-

n-р транзистор).

р-n переходы между средним слоем (база) и

коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно

исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Рис.5.1.1

5.1.2. Экспериментальная часть

Задание

Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного р-n переходов транзисторов типа p-n-р и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном

направлении токи через эти р-n переходы ничтожно малы.

Порядок выполнения эксперимента

Соберите цепь согласно схеме (рис. 5.1.2а).

регулятором напряжения источника,

измерьте соответствующие значения напряжения на р-n переходе UБЭ И занесите их в табл. 5.1.1.

Измените схему в соответствии сначала с рис. 5.1.2б, затем 5.1.2в и 5.1.2г и повторите все измерения.

На рис. 5.1.3 постройте графики I

для каждого случая и убедитесь, что вольт-

амперные характеристики всех р-n переходов практически совпадают.

Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность

(зажим + на —) и увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в р-n переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 µА).

переходами согласно схеме на рис. 5.1.2 при об- ратной полярности источника питания.

1

БЭ

БК

ЭБ

IПР, мА	Транзистор n-р-n						Транзистор р-n-р
	U	, B	U		, В	U		, B	UKБ, В
0
1
2
4
8
14

мА I

12

10

8

•

•

-

•

1

Рис. 5.1.2

Таблица 5.1.1

1

0,2 0,4 0,6

0,8

Рис. 5.1.3