
- •Часть 3
- •7.2. Вольт - амперная характеристикаp-n-перехода
- •7.3. Классификация и основные параметры полупроводниковых диодов
- •7.4. Диодные ограничители
- •Пример расчета диодного ограничителя
- •7.5. Выпрямители на диодах
- •7.6. Стабилизаторы напряжения на диодах
- •Пример расчета стабилизатора
- •Решение
- •Глава 8 биполярные транзисторы
- •8.1. Классификация и принцип действия биполярных транзисторов
- •8.2. Эквивалентные представления биполярных транзисторов для статического режима
- •8.3. Эквивалентные представления биполярных транзисторов для режима малого переменного сигнала
- •8.4. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •8.5. Статические характеристики, номинальные и предельные параметры биполярных транзисторов при различных схемах включения
- •8.6. Составной биполярный транзистор
- •Глава 9 тиристоры
- •9.1. Классификация тиристоров
- •9.2. Диодные тиристоры
- •9.3. Триодные тиристоры
- •Глава 10 полевые транзисторы
- •10.1. Классификация и основные особенности полевых транзисторов
- •10.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющимpn-переходом
- •10.3. Характеристики и параметры мдп-транзисторов
- •10.4. Типовые схемы включения полевых транзисторов и их параметры
- •10.5. Сравнение полевых и биполярных транзисторов
- •Глава 11 оптоэлектроника
- •11.1. Классификация оптоэлектронных приборов
- •11.2. Полупроводниковые излучатели
- •11.3. Полупроводниковые приемники излучения
- •11.3.1. Фоторезисторы
- •11.3.2. Фотодиоды
- •11.3.3. Фототранзисторы
- •11.3.4. Фототиристоры
- •11.4. Оптроны
8.4. Частотные свойства биполярных транзисторов
Одним из основных факторов, определяющих пригодность транзистора для использования в той или иной электронной схеме, является зависимость его параметров от частоты.
Частотные свойства транзисторов зависят от:
- материала;
- физической структуры;
- толщины базы;
- скорости процессов диффузии;
-
величины эквивалентных емкостей
переходов (барьерной и диффузионной),
которые начинают сказываться на частотах
от десятков килогерц, шунтируя
сопротивления
и
.
Особенно
большое значение имеют зависимости
усилительных свойств транзистора от
частоты. Коэффициенты передачи токов
и
зависят от частоты, что связано с
инерционностью процессов, протекающих
в транзисторе при прохождении носителей
заряда через базовый слой, и изменением
концентрации носителей в базе при
диффузии неосновных носителей к
коллектору. За счет инерционности этих
процессов приращения выходного тока
запаздывают по фазе относительно
приращений входного тока. При высокой
частоте следования входных импульсов
за время импульса выходной ток не
успевает достичь максимального значения
и с ростом частоты амплитуда выходных
импульсов убывает. Для описания этих
явлений коэффициенты передачи тока
и
представляются в виде комплексных
величин, зависящих от частоты:
,
(8.45)
где
- значение коэффициента передачи тока
для схемы с общим эмиттером в области
низких частот;
- предельная частота (частота среза). Из
выражения (8.45) можно получить
амплитудно-частотную (8.46) и фазочастотную
(8.47) характеристики коэффициента передачи
тока:
; (8.46)
. (8.47)
Физический
смысл предельной частоты коэффициента
передачи тока базы – частота, на которой
модуль коэффициента передачи тока базы
уменьшается в
раз по сравнению с низкочастотным
значением. В справочниках обычно
приводится значение граничной частоты
коэффициента передачи тока базы
.
Граничной частотой коэффициента передачи
тока базы называется частота, при которой
модуль коэффициента тока базы равен
единице. Значение граничной частоты
связано со значением предельной частоты
соотношением
. (8.48)
Графически АЧХ и ФЧХ коэффициента передачи тока при включении транзистора по схеме с общим эмиттером представлены на рис. 8.15. Аналогичные соотношения могут быть определены и для коэффициента передачи тока
|
|
Рис. 8.15 |
при включении транзистора по схеме с общей базой.
Учитывая,
что
,
можно получить соотношение между
предельными частотами при различных
схемах включения транзистора:
, (8.49)
где
- предельная частота (частота среза) для
схемы с общей базой.
Графически АЧХ и ФЧХ коэффициента передачи тока при включении транзистора по схеме с общей базой представлены на рис. 8.16. Коэффициенты передачи тока для обеих схем включения могут |
|
Рис. 8.16 |
быть представлены и в операторной форме:
, (8.50)
где
и
.
Таким
образом, транзистор представляет собой
усилитель тока в рабочем диапазоне
частот от
до
,
где
или
в зависимости от схемы включения. За
пределами рабочего диапазона частот
транзистор вносит фазовый сдвиг, равный
.
Из выражения (8.49) следует, что схема с общей базой имеет более широкий частотный диапазон по сравнению со схемой с общим эмиттером.
Биполярный транзистор для любой схемы включения представляет собой источник тока, управляемый током (ИТУТ).