- •В.И. Лалетин
- •1 Транзисторные ключи
- •1.1 Теоретические сведения и расчетные соотношения
- •1.2 Контрольные задания № 1 /Транзисторы и диоды
- •2 Контрольные задания № 2/ Ключи
- •Методика выполнения задания для схемы на бт
- •3 Усилители электрических сигналов
- •3.1 Теоретические сведения и расчетные соотношения
- •3 Контрольные задания № 3
- •4 Контрольные задания №4
- •Федеральное агентство по образованию вятский государственный университет
- •Кафедра электропривода и автоматизации промышленных установок
- •Расчетно-графическая
- •(Контрольная) работа по курсу
- •«Физические основы электроники»
- •Вариант 32
- •Основные источники учебно-методической и научно-технической информации
- •Содержание
4 Контрольные задания №4
Задание 4.1. Изобразить схему транзисторного усилителя низкой частоты (УНЧ) на биполярной полупроводниковой структуре ОЭ с узлом термостабилизации тока покоя и с заданным, согласно варианту, типом проводимости транзистора (таблица 4.1). Каскад питается от одного источника ЕК (значение в таблице 4.1). Смещение в цепи базы организовано посредством резистивного делителя RБ1/ RБ2. Известна амплитуда переменной составляющей входного напряжения U ВХ.m, диапазон частот усиливаемого сигнала fН – fВ (все значения в таблице 4.1).
Требуется выбрать из справочника согласно данных задания транзистор и определить с использованием основных его параметров и ВАХ графоаналитическим методом (считая усилитель работающим в области средних частот):
- постоянную составляющую тока базы ;
- постоянную составляющую входного напряжения покоя ;
- амплитуду переменной составляющей тока базы ;
- значения сопротивлений резисторов RБ1, RБ2;
- построить линию РК МАХ;
- постоянную составляющую тока коллектора ;
- постоянную составляющую выходного напряжения покоя ;
- амплитуду переменной составляющей тока коллектора ;
- амплитуду переменной составляющей выходного напряжения = ;
- статические коэффициенты усиления (передачи) напряжения, тока, мощностив безразмерном и логарифмическом формате;
- выходную мощность РВЫХ;
- мощность, рассеиваемую на нагрузке постоянной составляющей тока коллектора РК0;
- полную потребляемую мощность в коллекторной цепи Р0;
- КПД коллекторной цепи η;
- выяснить, работоспособен ли транзистор в схеме по условию допустимого нагрева?
- входную мощность РВХ;
- входное и выходное сопротивления RВХ, RВЫХ;
- мощность рассеяния резисторов RБ1, RБ2 и их тип;
- коэффициент температурной нестабильности;
- значение сопротивления резистора RЭ, емкости конденсатора ;
- емкость разделительных конденсаторов .
Показать в масштабе на графике входной и семействе выходных ВАХ зависимости iВХ (t), uВХ (t), iВЫХ (t), uВЫХ (t).
Для рабочей точки усилителя найти h-параметры и аналитически рассчитать величины ,,, RВХ, RВЫХ. Проверить сходимость результатов расчета h-параметров с полученными ранее результатами. Сделать вывод.
Рекомендации по выполнению задания
Предварительно подсчитать примерное значение тока коллектора. Значение сопротивления нагрузки транзистора выбрать самостоятельно. Выбрать тип транзистора из справочника или с использованием Интернет - ресурсов (учесть, что кроме параметров транзистора необходимы его ВАХ) с учетом задания. Возможен итерационный подход при выборе транзистора и значения нагрузки при анализе размещения линии нагрузки на семействе выходных ВАХ. После окончательного выбора транзистора надо выписать его параметры и перенести ВАХ на миллиметровую бумагу (или посредством машинной графики на электронную страницу). Необходимо определить напряжения, токи и мощности рассеяния на элементах схемы и параметры транзистора относительно рабочей точки, соответствующей режиму покоя усилителя. Показать с учетом масштаба графики входных и выходных сигналов по току и напряжению в функции времени. Критерий правильности расчета максимально возможное для данного класса усилителя значение КПД.
Таблица 4.1 - Варианты и исходные данные для задач по п. 4.1
Номер варианта |
Тип транзистора
|
ЕК,В |
U ВХ.m, мВ |
fН – fВ, Гц |
Примечание (значение RH) |
1 |
n-p-n |
42 |
20 |
100-3000 |
|
2 |
p-n-p |
40 |
19 |
95-3200 |
|
3 |
n-p-n |
38 |
18 |
90-3400 |
|
4 |
p-n-p |
36 |
17 |
85-3600 |
|
5 |
n-p-n |
34 |
16 |
80-3800 |
|
6 |
p-n-p |
32 |
15 |
75-4000 |
|
7 |
n-p-n |
30 |
14 |
70-4200 |
|
8 |
p-n-p |
28 |
13 |
65-4600 |
|
9 |
n-p-n |
26 |
12 |
60-4800 |
|
10 |
p-n-p |
24 |
11 |
55-5000 |
|
11 |
n-p-n |
22 |
10 |
50-5200 |
|
12 |
p-n-p |
20 |
9 |
45-5400 |
|
13 |
n-p-n |
18 |
8 |
40-5600 |
|
14 |
p-n-p |
16 |
7 |
35-5800 |
|
15 |
n-p-n |
14 |
6 |
30-6000 |
|
16 |
p-n-p |
12 |
5 |
25-6200 |
|
17 |
n-p-n |
10 |
4 |
20-6400 |
|
18 |
p-n-p |
42 |
18 |
80-3800 |
|
19 |
n-p-n |
40 |
17 |
75-4000 |
|
20 |
p-n-p |
38 |
16 |
70-4200 |
|
21 |
n-p-n |
36 |
15 |
65-4600 |
|
22 |
p-n-p |
34 |
14 |
60-4800 |
|
23 |
n-p-n |
32 |
13 |
55-5000 |
|
Таблица 4.1/Продолжение - Варианты и исходные данные для задач по п. 4.1
|
Продолжение таблицы 4.1 |
| ||||||
|
|
|
|
|
|
| |
Номер варианта |
Тип транзистора |
ЕК,В |
Uвх.m, мВ |
fН – fВ, Гц |
Примечание (значение RH) |
| |
|
|
|
|
|
|
| |
24 |
p-n-p |
32 |
12 |
55-5000 |
|
| |
25 |
n-p-n |
30 |
11 |
50-5200 |
|
| |
26 |
p-n-p |
28 |
10 |
45-5400 |
|
| |
27 |
n-p-n |
26 |
9 |
40-5600 |
|
| |
28 |
p-n-p |
24 |
8 |
35-5800 |
|
| |
29 |
n-p-n |
22 |
7 |
30-6000 |
|
| |
30 |
p-n-p |
20 |
6 |
25-6200 |
|
| |
31 |
n-p-n |
18 |
5 |
20-6400 |
|
| |
32 |
p-n-p |
16 |
4 |
100-3400 |
|
| |
33 |
n-p-n |
14 |
3 |
95-3600 |
|
| |
34 |
p-n-p |
12 |
2,5 |
90-3800 |
|
| |
35 |
n-p-n |
10 |
2 |
85-4000 |
|
| |
36 |
p-n-p |
42 |
15 |
80-4200 |
|
| |
37 |
n-p-n |
40 |
14 |
75-4600 |
|
| |
38 |
p-n-p |
38 |
13 |
70-4800 |
|
| |
39 |
n-p-n |
36 |
12 |
65-5000 |
|
| |
40 |
p-n-p |
34 |
11 |
60-5200 |
|
| |
41 |
n-p-n |
32 |
10 |
55-5400 |
|
| |
42 |
p-n-p |
30 |
9 |
50-5600 |
|
| |
43 |
n-p-n |
28 |
8 |
45-5800 |
|
| |
44 |
p-n-p |
26 |
7 |
40-6000 |
|
| |
45 |
n-p-n |
24 |
6 |
35-6200 |
|
| |
46 |
p-n-p |
22 |
5 |
30-6400 |
|
| |
47 |
n-p-n |
20 |
4 |
25-6600 |
|
| |
48 |
p-n-p |
18 |
3,5 |
50-6800 |
|
| |
49 |
n-p-n |
16 |
3 |
40-7000 |
|
| |
50 |
p-n-p |
14 |
2,5 |
30-7200 |
|
|
ПРИЛОЖЕНИЕ А