Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Praktikum_Kontr_rab_RGR_FOE_2011.doc
Скачиваний:
41
Добавлен:
02.06.2015
Размер:
17.43 Mб
Скачать

4 Контрольные задания №4

Задание 4.1. Изобразить схему транзисторного усилителя низкой частоты (УНЧ) на биполярной полупроводниковой структуре ОЭ с узлом термостабилизации тока покоя и с заданным, согласно варианту, типом проводимости транзистора (таблица 4.1). Каскад питается от одного источника ЕК (значение в таблице 4.1). Смещение в цепи базы организовано посредством резистивного делителя RБ1/ RБ2. Известна амплитуда переменной составляющей входного напряжения U ВХ.m, диапазон частот усиливаемого сигнала fНfВ (все значения в таблице 4.1).

Требуется выбрать из справочника согласно данных задания транзистор и определить с использованием основных его параметров и ВАХ графоаналитическим методом (считая усилитель работающим в области средних частот):

- постоянную составляющую тока базы ;

- постоянную составляющую входного напряжения покоя ;

- амплитуду переменной составляющей тока базы ;

- значения сопротивлений резисторов RБ1, RБ2;

- построить линию РК МАХ;

- постоянную составляющую тока коллектора ;

- постоянную составляющую выходного напряжения покоя ;

- амплитуду переменной составляющей тока коллектора ;

- амплитуду переменной составляющей выходного напряжения = ;

- статические коэффициенты усиления (передачи) напряжения, тока, мощностив безразмерном и логарифмическом формате;

- выходную мощность РВЫХ;

- мощность, рассеиваемую на нагрузке постоянной составляющей тока коллектора РК0;

- полную потребляемую мощность в коллекторной цепи Р0;

- КПД коллекторной цепи η;

- выяснить, работоспособен ли транзистор в схеме по условию допустимого нагрева?

- входную мощность РВХ;

- входное и выходное сопротивления RВХ, RВЫХ;

- мощность рассеяния резисторов RБ1, RБ2 и их тип;

- коэффициент температурной нестабильности;

- значение сопротивления резистора RЭ, емкости конденсатора ;

- емкость разделительных конденсаторов .

Показать в масштабе на графике входной и семействе выходных ВАХ зависимости iВХ (t), uВХ (t), iВЫХ (t), uВЫХ (t).

Для рабочей точки усилителя найти h-параметры и аналитически рассчитать величины ,,, RВХ, RВЫХ. Проверить сходимость результатов расчета h-параметров с полученными ранее результатами. Сделать вывод.

Рекомендации по выполнению задания

  • Предварительно подсчитать примерное значение тока коллектора. Значение сопротивления нагрузки транзистора выбрать самостоятельно. Выбрать тип транзистора из справочника или с использованием Интернет - ресурсов (учесть, что кроме параметров транзистора необходимы его ВАХ) с учетом задания. Возможен итерационный подход при выборе транзистора и значения нагрузки при анализе размещения линии нагрузки на семействе выходных ВАХ. После окончательного выбора транзистора надо выписать его параметры и перенести ВАХ на миллиметровую бумагу (или посредством машинной графики на электронную страницу). Необходимо определить напряжения, токи и мощности рассеяния на элементах схемы и параметры транзистора относительно рабочей точки, соответствующей режиму покоя усилителя. Показать с учетом масштаба графики входных и выходных сигналов по току и напряжению в функции времени. Критерий правильности расчета максимально возможное для данного класса усилителя значение КПД.

Таблица 4.1 - Варианты и исходные данные для задач по п. 4.1

Номер варианта

Тип

транзистора

ЕК

U ВХ.m, мВ

fН – fВ, Гц

Примечание

(значение RH)

1

n-p-n

42

20

100-3000

2

p-n-p

40

19

95-3200

3

n-p-n

38

18

90-3400

4

p-n-p

36

17

85-3600

5

n-p-n

34

16

80-3800

6

p-n-p

32

15

75-4000

7

n-p-n

30

14

70-4200

8

p-n-p

28

13

65-4600

9

n-p-n

26

12

60-4800

10

p-n-p

24

11

55-5000

11

n-p-n

22

10

50-5200

12

p-n-p

20

9

45-5400

13

n-p-n

18

8

40-5600

14

p-n-p

16

7

35-5800

15

n-p-n

14

6

30-6000

16

p-n-p

12

5

25-6200

17

n-p-n

10

4

20-6400

18

p-n-p

42

18

80-3800

19

n-p-n

40

17

75-4000

20

p-n-p

38

16

70-4200

21

n-p-n

36

15

65-4600

22

p-n-p

34

14

60-4800

23

n-p-n

32

13

55-5000

Таблица 4.1/Продолжение - Варианты и исходные данные для задач по п. 4.1


Продолжение таблицы 4.1

Номер варианта

Тип

транзистора

ЕК

Uвх.m, мВ

fН – fВ, Гц

Примечание

(значение RH)

24

p-n-p

32

12

55-5000

25

n-p-n

30

11

50-5200

26

p-n-p

28

10

45-5400

27

n-p-n

26

9

40-5600

28

p-n-p

24

8

35-5800

29

n-p-n

22

7

30-6000

30

p-n-p

20

6

25-6200

31

n-p-n

18

5

20-6400

32

p-n-p

16

4

100-3400

33

n-p-n

14

3

95-3600

34

p-n-p

12

2,5

90-3800

35

n-p-n

10

2

85-4000

36

p-n-p

42

15

80-4200

37

n-p-n

40

14

75-4600

38

p-n-p

38

13

70-4800

39

n-p-n

36

12

65-5000

40

p-n-p

34

11

60-5200

41

n-p-n

32

10

55-5400

42

p-n-p

30

9

50-5600

43

n-p-n

28

8

45-5800

44

p-n-p

26

7

40-6000

45

n-p-n

24

6

35-6200

46

p-n-p

22

5

30-6400

47

n-p-n

20

4

25-6600

48

p-n-p

18

3,5

50-6800

49

n-p-n

16

3

40-7000

50

p-n-p

14

2,5

30-7200

ПРИЛОЖЕНИЕ А

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]