Рис. 9.4. Механическая часть автомата выдачи корма:

1 — втягивающий магнит; 2 — сердечник магнита; 3 — проволока диаметром около 2 мм; 4

— баллон от аэрозольного распылителя; 5 — вентель баллона

Приложение

Полупроводниковые приборы ГДР и их замена приборами производства СССР Система условных обозначений полупроводниковых приборов ГДР

Согласно действующей в ГДР системе условных обозначений все полупроводниковые приборы — транзисторы, диоды и тиристоры, а также терморезисторы и фоторезисторы имеют основное пятизначное буквенно-цифровое обозначение. Первых два или три буквенных знака означают исходный материал полупроводникового материала, тип и назначение прибора, а также область применения. Следующие две или три цифры указывают порядковый регистрационный номер прибора. При этом характерной особенностью данной системы является то, что все приборы, предназначенные для использования только в бытовой аппаратуре (радиовещательные приемники, магнитофоны, электрофоны и т. п), имеют двух-буквенное обозначение и три цифры. Приборы, предназначенные для использования в промышленной или специальной аппаратуре, — трехбуквенные и две цифры. Причем третья буква обязательно относится к последним буквам латинского алфавита — х, у, z, w... Следующие за цифрами другие буквы и цифры указывают разновидности основного прибора или отличительные особенности его корпуса, подбора парных приборов и т. п.

Основными полупроводниковыми материалами, используемыми для изготовления транзисторов широкого применения, являются германий и кремний. Для их обозначения используются первые буквы названий этих материалов:

G — германий,

S — кремний (силициум), V — арсенид галлия.

Вторая буква обозначает тип и основное назначение прибора в соответствии со следующим перечислением: А — детекторный быстродействующий или смесительный диод; В — варикап;

С — транзистор низкочастотный или универсальный малой мощности; D — транзистор низкочастотный большой мощности;

Е — туннельный диод;

F — транзистор высокочастотный малой мощности;

G — сложные транзисторы (несколько приборов в одном корпусе);

Н — измеритель напряженности магнитного поля; К — датчик эффекта Холла;

L — транзистор высокочастотный большой мощности; М — модулятор и умножитель на эффекте Холла;

Р — светочувствительный прибор (фотодиод или фототранзистор); Q — излучающий прибор (светодиод);

R— прибор, работающий в области пробоя;

S— транзистор высокочастотный, переключающий малой мощности; Т — тиристор;

X— умножительный диод;

Y— диод выпрямительный большой мощности;

Z— стабилитрон.

Для стабилитронов дополнительный суффикс указывает возможный разброс стабилизированного напряжения относительно номинального значения и само номинальное значение. Первая буква указывает максимальную величину разброса в соответствии с последовательностью:

А — 1%, В — 2%, С — 5%, D — 10%. E — 15%. Далее цифрами указывается номинальное напряжение в вольтах, причем запятая, отделяющая целую часть от дробной, может обозначаться буквой V.

Рассмотрим на нескольких примерах возможные варианты условных обозначений диодов, транзисторов и стабилитронов, упомянутых на страницах книги.

GC301 — германиевый низкочастотный транзистор малой мощности.

GF136 — германиевый высокочастотный транзистор малой мощности. ВС177 — кремниевый низкочастотный транзистор малой мощности.

SS216 — кремниевый высокочастотный переключающий транзистор малой мощности. GD160 — германиевый низкочастотный транзистор большой мощности.

BSX34 — кремниевый высокочастотный переключающий транзистор малой мощности, предназначенный для промышленных целей.

SAY30 — кремниевый детекторный диод, предназначенный для промышленных целей.

YQA12 — светоизлучающий диод на основе арсенида галлия, предназначенный для промышленных целей. SZY21 /68 — кремниевый стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 6,8 В с

неконтролируемым разбросом, допускает ток до 21 мА.

SZ600/6.2 — кремниевый стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 6,2 В с неконтролируемым разбросом, допускает ток до 600 мА.

ST103/4 — кремниевый тиристор.

Таблица П1

Взаимно заменяемые транзисторы иностранные и СССР

предназначенные для усиления сигналов и переключения токов (SF и SS соответственно), различаются между собой только величиной напряжения насыщения полностью открытого транзистора, что позволяет в большинстве случаев любительской практики заменять их друг другом. Это хорошо просматривается в таблице взаимнозаменяемости.

Конечно, замена транзисторов одного типа транзисторами других типов будет эквивалентной, если те и другие транзисторы имеют примерно одинаковые параметры не только на высокой частоте, что достичь относительно просто, но и характеристики постоянного тока, главным образом примерным равенством коэффициентов передачи тока базы при включении по схеме с общим эмиттером, h21э. Анализ статических характеристик транзисторов ГДР показывает, что это условие вполне выполнимо, если применяемые транзисторы имеют h21э= 40...50 и более.

Втех случаях, когда нет возможности применить транзисторы, указанные в табл. П1, то необходимо по одному из отечественных справочников по полупроводниковым приборам в указанной группе транзисторов найти транзисторы, по своим параметрам близкие к тем, которые указаны в правой колонке табл. П1.

При выборе возможной замены диодов (силовых, детекторных, светоизлу-чающих), а также фотодиодов и фототранзисторов можно воспользоваться данными табл. П2, составленной аналогично табл. Ш.

Система условных обозначений интегральных микросхем ГДР

Вконструкциях, описанных на страницах данной книги, в основном используются интегральные микросхемы производства ГДР и СССР, но в ряде случаев — ЧССР и США. Условное обозначение интегральных микросхем содержит трехзначное число, указывающее регистрационный номер, а также однобуквенные преффикс и суффикс, или другими словами — буквенные приставку и окончание. Причем первая буква указывает основное применение и структуру применяемых в схеме транзисторов в соответствии со следующими признаками:

А, В, С — линейные (усилительные) интегральные микросхемы, выполненные на кремниевых биполярных транзисторах;

D, Е, F — цифровые (логические) интегральные микросхемы, выполненные на биполярных кремниевых транзисторах;

U, W, Z — интегральные микросхемы, выполненные на кремниевых полевых транзисторах.

Всвою очередь первые буквы указывают также допустимый диапазон рабочей температуры корпуса интегральных микросхем:

A, D, U — 0°С... + 70°С; B, Е, W — 25°С...+85°С; C, F, Z — 55°С...+ 125°С.

Как правило, в бытовой, радиолюбительской аппаратуре находят применения интегральные микросхемы широкого применения, то есть имеющие первой буквой A, D, U. .

Например, интегральные микросхемы D100 представляют собой стандартные приборы широкого применения ТТЛ. Интегральные микросхемы А109 — дифференциальный усилитель и т. д.

Буквенное окончание условного обозначения интегральных микросхем производства ГДР указывает тип корпуса в соответствии со следующими признаками:

В— металло-стеклянный корпус (то есть корпус металлический, а выводы изолируются от корпуса стеклянными вставками);

С — керамический плоский корпус с выводами, расположенными линейно, в два ряда; D — пластмассовый корпус с выводами, расположенными линейно, в два ряда;

Е — плоский корпус квадратной формы; F — плоский корпус;

К — корпус с дополнительным теплоотводом.

Например, линейная интегральная микросхема А210К представляет собой усилитель мощности низкой частоты (до 5 Вт), корпус которой снабжен дополнительным теплоотводом.

Интегральные микросхемы производства фирмы «Tesla» (ЧССР) и «Тексас инструменте» (США) имеют во многом одинаковые цифровые индексы, но различные буквенные префиксы (приставки) — SN для США и МН

—для ЧССР. При подборе замены для интегральных микросхем следует иметь в виду, что для большинства цифровых приборов иностранного производства можно найти полностью эквивалентную замену среди отечественных микросхем серий КОЗ, К155, К176 и ряда других. Примерно такое же положение для значительной части аналоговых микросхем, представляющих собой дифференциальные (операционные) усилители. Здесь применимы серии К140, К153, К553 и другие. Но для линейных интегральных микросхем, являющихся усилителями напряжения и мощности низкой частоты, промежуточной и высокой частоты, — аналогов нет. Можно подобрать близкую замену, но, как правило, с иным размещением выводов или другой конструкцией корпуса.

Рис. П1. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН4Б

Рис. П2. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН5Б

Рис. ПЗ. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН7Б

Рис. П4. Конструкция и расположение выводов для микросхем серии К174

Таблица ПЗ Взаимно заменяемые интегральные микросхемы ГДР, СССР, ЧССР и США