Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров. Материалы для микро- и наноэлектроники. Микросистемная техника. Твердотельная электроника

Исследована новая схемотехника на основе динамической КМОП-логики с восстановлением исходного состояния после прохождения волны обработки данных. В процессе исследований разработаны правила проектирования устройств микропроцессоров с применением новой схемотехники. (ИМВС РАН)

На основе метода молекулярно-лучевой эпитаксии GaAsна подложках с ориентацией {111}А решена проблема формирования планарныхp-nпереходов с использованием лишь одной легирующей примеси кремния (без использования второй электрически активной примеси). (ИСВЧПЭ РАН)

Исследованы фазовые переходы в системе кремний – имплантированный кислород. Предложен подход к решению задачи моделирования процесса ионного синтеза захороненных оксидных слоёв. Полученные результаты позволят оптимизировать технологические режимы SIMOX- процесса.

На основе открытых «сэндвич»-структур Si-SiO₂-W с толщиной оксида порядка десятков нанометров, изготовлены макеты элементов матрицы энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти на самоформирующихся проводящих наноструктурах. Выявлено принципиальное различие в форме вольт-амперных характеристик для приборных структур на кремнии различного типа проводимости Полученные данные позволяют улучшить конструкцию элементов памяти данного типа. (ИМИ РАН)

Разработаны новые методы диагностики многокомпонентных газовых сред. На примере спектроскопической диагностики выхлопов авиационных двигателей продемонстрировано, что широкодиапазонный CO-лазер обладает существенно лучшими возможностями.

Разработаны новые методы модификации пористых материалов с применением сверхкритических сред и формирования и очистки пористых минерал-полимерных композитов с целью создания материалов для направленной регенерации костных тканей и имплантантов нового поколения. (ИПЛИТ РАН)

Впервые в отечественной практике созданы полностью автоматизированные установки плазмо-иммерсионной имплантации бора и фосфора для формирования сверхмелких р-ппереходов с глубиной залегания от 100 до 10 нм и установка для плазмо-стимулированного осаждения сложных диэлектрических покрытий с эллипсометрическим контролем параметров осаждаемых слоевinsituи одновременным контролем состава плазмы методом оптической эмиссионной спектроскопии в диапазоне длин волн 400 – 820 нм.

Разработан томограф плазмы на основе эмиссионной спектроскопии, позволяющий проводить измерения 2D-распределения концентрации активных радикалов и ионов в плазмохимических реакторах микроэлектроники.

Впервые создан автономный источник ионов с радиально расходящимся пучком и распыляемой мишенью для осаждения пленок диэлектрических и композиционных материалов, включая магнитные. (ФТехнолИ РАН)

Опто-, радио- и акустоэлектроника, оптическая и свч-связь

Разработана модель эффективного решения задач энергетики с использованием беспроводной передачи энергии на основе современных инфотелекоммуникационных систем. Работа направлена на комплексное исследование инженерных проблем создания энергетических систем, основанных на передаче энергии с помощью сфокусированных пучков электромагнитного излучения. (ЦИТП РАН)

Для мощных СВЧ-транзисторов на двухбарьерных двусторонне легированных Р-НЕМТ гетероструктурах разработаны: новая технология селективного травления гетероструктуры, позволившая почти на порядок увеличить однородность характеристик; операции формирования двойного заглубления затвора, позволяющие достичь рекордно высоких пробивных напряжений транзистора (до 30 В), что обеспечило реализацию с применением этой технологии высоких удельных мощностей (более 1 Вт/мм). (ИСВЧПЭ РАН)

Исследованы возможности создания плазмонных структур для формирования межслойных связей в нейропроцессорах, что позволило начать разработку и изготовление специальной измерительной аппаратуры - автоматизированной установки для исследования спектров поверхностного плазмонного резонанса, поляризационных и эллипсометрических характеристик наноструктур. (ИОНТ РАН)

Разработаны тонкопленочные лазеры с распределенной обратной связью. Изготовлен брэгговский резонатор с решеткой первого порядка на гетероструктурах InP/InGaAsP и GaAs/GaAlAs. Собран и тестирован одночастотный лазер, излучающий в диапазоне 1,5 мкм. (ИПЛИТ РАН)

Показано, что в асимметричной двойной квантовой яме возникает взаимодействие опти­ческой и межподзонной ветвей 2D- плазменных колебаний, а также бесстолкновительное зату­хание оптических плазмонов при резонансе с межподзонным континуумом. При инверсии засе­ленностей подзон в области резонанса с межподзонным континуумом возможно усиление плазменных волн оптической ветви в диапазоне частот, определяемом плотностью 2D- элек­тронного газа. Оценки проведены для 2D- газа на основе структурыAlGaAs/GaAs. (ИФП СО РАН)