
- •Глава III посвящена конструкции процессора, глава IV устройству материнской платы, а глава V – озу эвм. В VI главе приведено описание нмжд эвм.
- •1.2. Определение и классификация пк.
- •Глава 2. Конструкция пк.
- •2.1. Основные характеристики пк.
- •2.2. Конструкция пк.
- •2.3. Архитектура пк.
- •2.4. Шины.
- •2.5. Bios.
- •Глава 3. Процессор.
- •3.1. Процессоры шестого поколения.
- •3.2. Питание и охлаждение процессора.
- •3.3. Структура процессора.
- •3.4. Основные этапы выполнения команды.
- •3.5. Реальный режим работы.
- •3.6. Защищенный режим.
- •Глава 4. Материнская плата.
- •Глава 5. Озу.
- •5.1. Принципы работы озу.
- •5.2. Типы озу.
- •5.3. Модули для размещения озу.
- •5.4. Статическая память.
- •5.5. Стек.
- •5.6. Виртуальная память.
- •Глава 6. Накопители на жестких магнитных дисках.
- •Глава 7. Внешние запоминающие устройства.
- •7.1. Память на гибких магнитных дисках.
- •7.2. Оптические накопители.
- •7.3. Флеш-память.
- •Глава 8. Периферийные устройства, устройства ввода/вывода.
- •8.1. Элт-монитор.
- •8.2. Жк-монитор.
- •8.3. Звуковые карты.
- •8.4. Видеокарты.
- •8.1. Клавиатура и мышь.
- •8.5. Принтер.
- •8.6. Сканер.
- •Глава 9. Многопроцессорные и многомашинные вс.
- •Список литературы:
- •Содержание
- •Глава 1. История и классификация эвм......................................6
- •Глава 2. Конструкция пк................................................................15
- •Глава 3. Процессор.............................................................................19
- •Глава 4. Материнская плата............................................................34
- •Глава 5. Озу........................................................................................36
- •Глава 6. Нжнд...................................................................................44
- •Глава 7. Внешние запоминающие устройства.............................47
- •Глава 8. Периферийные устройства, мультимедиа,
- •Глава 9. Многопроцессорные и многомашинные вс................60
5.3. Модули для размещения озу.
Первые микросхемы памяти размещали в DIP-корпусах (Dual In-line Package).У таких микросхем 24 вывода – расположены по бокам корпуса. Кристалл, на котором находятся ячейки памяти, значительно меньше корпуса.SIP-модулиSingleIn-linePackageбыли с 30 выводами в один ряд. Состояли из 9 микросхемDRAMи имели длину 8 см, высоту 1,7 см и использовались в процессорахI80386. Время доступа 70 нс. Типы модулей даны в[1].
В настоящее время на модули памяти устанавливаются микросхемы в корпусах SOJ (Small Outline J-shaped) иTSOP(Thin Small Outline Package). КорпусSOJпохож наDIP, но выводы изогнуты в виде буквы J. Их устанавливают на SIMM-модули и применяют для расширения памяти на видеокартах.SIMM–SingleIn-linePackageвыпускали с 30, а сейчас с 72 контактами. ВPentium4 они используются с микросхемамиEDODRAM. Время доступа 60 нс. Кроме микросхемDRAMна них тесть ещё миниатюрные конденсаторы. СCPU80486 использовалисьSIMM-модули с микросхемамиFPMDRAM, а вPentium– сEDODRAM.
Корпус TSOP плоский и имеет горизонтально расположенные выводы, пригодные только для пайки. Такие микросхемы устанавливают на DIMM-модули с питанием 3,3 В. DIMM–DualIn-lineMemoryModule– с двухсторонними независимыми контактами в количестве 168 и 64-разрядные.
Для устойчивой работы системы с тактовой частотой 100 МГц Intel разработала спецификацию PC100 – все модули должны иметь скорость обмена не более 24 ГГц/c. В 1997 году корпорация NEC разработаламодули DIMMс тактовой частотой 100 и 133 МГц, которые получили названиеVCM(VirtualChannelModule). Они вставляются в стандартный слотDIMMсо 168 контактами, но на плате есть 16 виртуальных каналов памяти (для каждой программы свой). В нём происходит временное хранение данных.
Обмен данными между виртуальным каналом и ячейками памяти осуществляется блоками по 1 024 бита.
Есть ещё модули DIMM на микросхемах DDR SDRAM, но они не совместимы с предыдущими DIMM-модулями, так как имеют 184 контакта.
RDIMM-модули (Registred) используются в системах, требующих более 1 Гбайт ОП. Они 72-разрядные, но печатная плата большего размера, чем для предыдущих моделей. Они требуют микросхему, обеспечивающую страничную организацию памяти.
RIMM-модуль (Rambus In-line Memory Module)– это новый высокоскоростной модуль с 184 контактами (см. рис. 2).
Он с обеих сторон закрыт металлическим экраном от наводок и взаимного влияния модулей (см. рис. 3).
На материнской плате три слота для этих модулей, но чипсеты I810,I810EиI820 поддерживают только 2 модуля, а конструкция материнской платы не разрешает оставлять пустых слотов RIMM – вынуждены добавлять «пустышки»CRIMM(ContianityRIMM).
Модули RIMMустанавливаются на материнские платы с поддержкой каналаDirect Rambus,т.е. должен быть соответствующий контроллер и высокоскоростная 16-битная шина памяти, работающая на тактовой частоте 400 МГц. Пропускная способность в 3 раза выше, чем у PC 66 DIMM и в 2 раза выше, чем уPC100DIMM. Напряжение питания – 2,5 В.
Организация модулей и микросхем приведена в табл. 7. Как правило, в эти модули устанавливают микросхему DirectRDDRAM, но могут быть установлены иSDRAM, иEDO(но дляEDOставят специальный конвертер).
Появились новые модули ОП DDR2 400 (PC3200). Они обладают меньшим энергопотреблением, большей тактовой частотой и высокой пропускной способностью. КомпанииCorsairиOCZуже анонсировали модулиDDR2 667 (PC2-5300) иDDR2 800 (PC2-6400),т.к. уDDR2 400 мало преимуществ по сравнению сDDR1 400 – производительность практически не изменилась.
Таблица 7
Организация модулей и микросхем
Организация модуля |
Организация микросхемы памяти |
Коррекция ошибок |
16М * 18 (32 Мбайт) |
(4М * 18) * 4 |
ECC |
32М * 18 (64 Мбайт) |
(4М * 18) * 8 |
ECC |
48М * 18 (96 Мбайт) |
(4М * 18) * 12 |
ECC |
64М * 18 (128 Мбайт) |
(4М * 18) * 16 |
ECC |