5.2. Типы озу.

В PentiumприменялиEDO DRAM (Extended Data Output),но в них линии ввода/вывода остаются подключёнными до окончания ввода нового адреса, т.е. до начала вывода следующего бита. Происходит одновременное считывание данных и задание адреса следующих данных. На 10 – 15% быстрее FPM DRAM, но на запись это преимущество не распространяется [10].

Микросхема BEDO DRAM (Burst EDO)отличается от EDO наличием генератора номера столбца. Здесь после первого поступления на вход микросхем адреса ячейки и сигналов RAS и CAS, для последующих 4 столбцов сигнал CAS генерируется внутри микросхем.

Микросхемы СDRAM и EDRAM (Cashe DRAM и Enhanced DRAM)содержат немного ячеек быстрой памяти SRAM со временем доступа 10 – 15 нс: на одном кристалле могут находиться 4 Мбайт DRAM и 16 Кбайт SRAM, который можно рассматривать как встроенную кэш-память.

В 1997 году для синхронизации работы памяти и системной шины использовалась микросхема синхронной динамической памяти SDRAM (Sythronous DRAM).Метод доступа к строкам и столбцам данных – как в DRAM. Отличие в том, что память и CPU работают синхронно, без циклов ожидания. Современные микросхемы работают на тактовых частотах CPU 66, 75, 83, 100, 125 и 133 МГц. Есть чередование адресов и пакетный режим, а также 3-ступенчатая конвейерная адресация, позволяющая запрашивать данные до завершения обработки предыдущих. Здесь 2 и более банков. СейчасSDRAMзаменила память типа FPM и DRAM. Модули памятиPC100/133SDRAMвыпущены в корпусеTSOP. Количество их выводов зависит от глубины адресного пространства микросхем.

ESDRAMявляется расширением микросхемы SDRAM. Работает на частоте системной шины 66, 100 и 166 МГц, время рабочего цикла – 8 нс, совместима с PC 100 SDRAM.

DDR SDRAM (SDRAM II) – Double DateRate – удвоенная скорость передачи данных. Состоит из 4 независимых банков, в которых команды обрабатываются параллельно. В маркировке у них не частота, а пропускная способность: PC 1 600 для 100 МГц и PC 2 100 для 133 МГц. Их поддерживает чипсет корпорации VIA – VIA Apollo KX-266, AMD – Chipset AMD 760.

В микросхеме RDRAM фирмы RAMBUSорганизация банков выборки данных из памяти построена по-другому. Шина данных 16-разрядная и 8-разрядная шина управления. Тактовая частота 400 МГц, но данные пересылаются по переднему и заднему фронту синхроимпульса:

16 бит * 400 МГц * 2 = 1,6 Гбайт/с.

Здесь по одной шине передаётся адрес строки, а по другой – адрес столбца. Передача адресов осуществляется последовательными пакетами.

В процессе работы выполняется конвейерная выборка из памяти, причём адрес может передаваться одновременно с данными.

Ёмкость микросхем 16, 32, 64, 128 и 256 Мбайт. Планируется 512 и 1 Гбайт.

Для этой памяти разработаны чипсеты Intel810, Intel810E, Intel820, Intel840 иIntel845.

В SLDRAM (Sync Linc DRAM) используется классическое ядроDRAM. Для этой памяти в стандарте предусмотрен протокол пакетной передачи адреса.

Характеристики различных типов памяти приведены в табл. 6.

В первом поколении были 16-разрядные шины данных на частоте 400 МГц. Передача идёт по фронту и спаду тактового сигнала, а потому пропускная способность: 16 бит * 400 МГц * 2 = 1,6 Гбайт/с.

Таблица 6

Основные типы памяти и их параметры

Тип памяти	Год выпуска	Разрядность шины, бит	Пиковая пропускная способность, Мбайт/с	Тактовая частота системной шины, МГц
FPM DRAM	1987	32	132	33
EDO DRAM	1995	32	200	50
SDRAM	1997	64	528	66
SDRAM	1998	64	800	100
SDRAM	2000	64	1024	133
DRDRAM, 1канал	1999	16	1200	600
DRDRAM, 1канал	2000	16	1600	800
DRDRAM, 2 канала	2001	16	2400	600
DRDRAM, 2 канала	2001	16	3200	800
DRDRAM, 2 канала	2002	16	4300	2066
DDR SDRAM	2001	64	1600	100
DDR SDRAM	2001	64	2400	150
DDR SDRAM II	2002	64	3200	100
DDR SDRAM II	2003	64	6400	200
DDR SDRAM II	2004	64	8533	266
DDR SDRAM II	2005	64	12800	400