Дипломная работа / Без назв 34

включенные транзисторы.

15 Or,j ОЗх IIII-._--f)j. .. _ _-_ -- .. _ .. __ .--_ .. .j

~~

I 15 Ом I хОР

...... / .

,

I

5 Ом ~

~

I

I

SSOx

х

I СОМ, 'JS

Рис. 3.3.2 Схема управления нагрузкой.

1 Icпользование СУТК с плавающим потенциалом не предполагает

использовация отрицательного напряжения смещения на затворе для запирания силового транзистора. Многие же производители MOSFET и IGBT гарантируют надежную работу своих приборов только при наличии такого смещения, особенно в случае высокочастотных (свыше 1 О кГц) и мощных

коммутируемый ток свыше 20 А) транзисторов. Поэтому в рекомендациях по применению мощных высокочастотных транзисторов большинство rтроизводителей выставляет наличие отрицательного напряжения на затворе в качестве обязательного требования. Компания Intemational Rectifier, развивая

илеологию высоковольтных схем с плавающим потенциалом, выпускает

силовые транзисторы MOSFET и IGBT, пригодные для работы с подобными СУТК, дЛЯ надежной работы в электронных преобразователях.

08.210106.010. ПЗ

~-------====----------

34