Вводый курс цифровой электроники (К.Фрике, 2003)
.pdf160 Дополнение
|
Вых |
|
=г=С„ |
Рис . д . 6 . 7 . Схема, реализующая |
Рис . Д.6.8. Модель ступенчатой за- |
ступенчатую зарядку нагрузочной |
рядки. |
емкости. |
|
Сопротивления каналов Ri транзисторов прямо пропорциональ но ширине затвора, поэтому для уменьшения времени заряда Сп на каждой ступени необходимо увеличивать ширину затворов. Но при этом будет возрастать входная емкость Ci и возрастать время, необхо димое для отпирания транзисторов. Поэтому при заданном Т суш;ествует оптимальное число ступеней Nonm^ определяемое выражением:
•^^ опт. — |
(Д.6.12) |
|
4шт,ср |
где m = 3, Т — заданное время зарядки, Тср — среднее значение постоянной времени входной цепи транзисторов.
Величина Тср определяется выражением:
^ср — 2iV1 |
N N-1 |
|
Е-^ + Е |
(Д.6.13) |
|
|
а = 1 |
|
Общее количество энергии, диссипированной при разряде и за ряде Сп, будет определяться по формуле:
W = W' + WP={j^+ |
2N'm-^ |
] CnEl |
(Д.6.14) |
При оптимальном количестве ступеней Л^опт (Д'6.12) значение количества энергии, диссипированной при заряде и разряде Сп^ бу дет определяться выражением:
ш |
- ^ з/4ттср |
СпЕ^. |
(Д.6.15) |
^опт |
"" 2 V Т |
|
|
д. 7. Вентили с нетрадиционной организацией энергопитания
Приведенные примеры не исчерпывают частично диссипативные цифровые схемы. Известны, например, варианты динамических схем и другие. Общим недостатком известных адиабатических ло гических схем является низкое быстродействие и сложная органи зация. Первый недостаток носит фундаментальный характер. Вто рой — вытекает из необходимости использования источника пере менного напряжения.
Д.7. Вентили с нетрадиционной организацией энергопитания
Идея использования фундаментального свойства полупроводников — спо собности непосредственного преобразования энергии ионизирующего из лучения в электрическую энергию для питания цифровых схем была впервые реализована в интегральной инжекционнои логике. Однако, такой способ организации питания по ряду технических причин оказался не эффективным и не нашел широкого практического применения.
Вторая попытка была предпринята в работе. В цифровых схемах инжекционно — полевой логики впервые удалось обеспечить работу от солнечного света, так сказать дарового источника энергии.
Но и эта логика по ряду причин, которые будут обсуждаться ниже, также не получила пока широкого развития. Предполагалось также использовать для питания цифровых интегральных схем и радиоактивное излучение и другие нетрадиционные источникиэнергопитания, но и они не находили применения в цифровых схемах.
Однако с развитием технологии «умной пыли» — автономных коллективных систем интеллектуальных датчиков интерес к нетра диционным способам энергоснабжения возрастает. Появились сооб- ш;ения об использовании для энергопитания интегральных схем фо нового светового и радиоизлучения, вибрации стен зданий, перепа дов атмосферного давления и других даровых источников энергии. Более того, одной из основных тенденций развития элементной базы цифровых СБИС является постоянное из года в год снижение на пряжения питания. Напряжение питания асимптотически прибли жается к напряжению фото-ЭДС {^ 0,4 В), которое может быть получено с помощью солнечной батареи. Эти факты дают основа ние полагать, что идеи нетрадиционной организации энергопитания будут востребованы и поэтому достойны рассмотрения.
Д.7.1. Питание ионизирующим излучением
Для реализации простейшего логического элемента необходимо и достаточно трех элементов: переключательного прибора, генерато ра тока и источника энергии.
62Дополнение
Всхемах с нетрадиционной цепью питания источником энергии являются некие внешние по отношению к ним естественные или ис кусственные источники. При этом каждый вентиль должен в сво ем составе иметь преобразователь энергии, который может быть совмещен конструктивно с генератором тока и с элементами пере ключательного прибора.
Широко известно, что освещенный диод (р-п-переход или диод Шоттки) является хорошим преобразователем энергии и генерато ром тока. В обычном р-п-переходе с шириной запрещенной зоны Едпри его освещении каждый фотон с энергией, большей Ед^ дает в выходную мощность вклад, равный Eg. Остальная часть энергии фотона термолизуется. Для определения эффективности преобразо вания (или к.п.д.) рассмотрим диаграмму энергетических зон осве щаемого р-п-перехода (рис. Д.7.1 а)). Соответствующая эквивалент ная цепь показана на рис. Д.7.1 б), где параллельно переходу введен источник постоянного тока /^, описывающий возбуждение неравно весных носителей излучением.
а)
hv
qv. hv
±.
- у ^
б)
V IJRL
Р и с . д . 7 . 1 . Энергетическая диаграмма р-п-перехода при освещении (а) и идеализированная эквивалентная схема солнечного элемен та (б). (i?L-нагрузочное сопротивление).
ДЛ. Вентили |
с нетрадиционной организацией |
энергопитания |
|
Вольт-амперная характеристика такого прибора определяется |
|||
выражениями |
|
|
|
|
|
|
(Д.7.1) |
Js = Is/S = |
qn |
-Ед/кТ |
(Д-7.2) |
где: S — площадь, Ig — удельное значение тока насыщения, NA — концентрация акцепторной примеси. No — концентрация допорной примеси, щ — собственная концентрация носителей заряда, Dn — коэффициент диффузии электронов, Dp — коэффициент диффузии дырок, Тп — время жизни электронов, Тр — время жизни дырок.
График вольт-амперной характеристики приведен на рис. Д.7.2. Поскольку вольт-амперная характеристика проходит через четвер тый квадрант, это означает, что прибор служит источником энер гии. При соответствующем подборе нагрузочного сопротивления R^ вырабатываемая энергия может достигать 80% произведения /кз • Vxx {1кэ — ток короткого замыкания, Vxx — напряжение холо стого хода элементов).
1 и
Рис. Д.7.2. Вольт-ампернал характеристикар-п-перехода: 1—неосвещен ного; 2 — освещенного.
Из уравнения (Д.7.1) получаем, что напряжение холостого хода при RL = ОС равно
(Д.7.3)
q \is
Следовательно, при заданном токе II напряжения холостого хо да возрастает логарифмически при уменьшении тока насыщения Ig- Выходная мощность равна
= IV = IsV (е"^/^^ - l ) - hV |
(Д.7.4) |
Дополнение
Максимальная выходная мощность определяется выражением
-^ m — ^т ^т — ^L Vxx - |
(^т In ( 1 + — ) - |
^т |
II |
(Em/q), |
|
|
|
|
(Д.7.5) |
где |
|
|
|
|
Vxx |
- v^T In 1 + — ) |
-^T |
|
(Д.7.6) |
Величина Em соответствует максимальной энергии, которая вы деляется на нагрузке при поглощении одного фотона и при опти мальном согласовании элемента с внешней цепью.
Минимальное значение Ig А^ля Si при 300 К составляет приблизи тельно 10~^^А/см^.
Идеальная эффективность преобразования равна отношению мак симальной выходной мощности к мощности падающего излучения
Ро и может быть определена графически из рисунка: |
|
Г1 = ^ = ^J^^^^ = М / , (д/кТ) е'^-/^^1 /Ро |
(Д.7.7) |
Максимальная эффективность оказывается равной 30% и дости гается при Eg = 1,35эВ, если использовать параметры материала, характерные для полупроводников типа А^^^В^.
Кривая зависимости эффективности преобразования от шири ны запрещенной зоны имеет широкий диапазон, в пределах которо го она слабо зависит от Eg, Поэтому все полупроводники, которые имеют ширину запрещенной зоны от 1 до 2 эВ пригодны для созда ния интегральных цифровых схем с питанием от излучения.
Значение мощности падающего излучения определяется мощно стью источника света, состоянием окружающей среды, взаимным расположением приемника (поверхности интегральной схемы) и ис точника (искусственного или естественного).
При использовании солнечного света характерными значениями интенсивности излучения являются интенсивность в свободном про странстве, равная 1353 Вт/м^, на поверхности Земли — 925Вт/м^ (когда Солнце стоит в зените), на поверхности Земли — 691 Вт/м^ (при угле 60° к горизонту).
Для эффективного использования света д^ля непосредственного питания интегральных цифровых схем можно использовать оптиче ски сконцентрированное излучение. Солнечный свет можно сфоку сировать до 844кВт/см^ (интенсивность 1000 Солнц).
ДЛ. Вентили с нетрадиционной организацией энергопитания
Из изложенного выше ясно, что р-п-переход (или диод Шоттки), являясь преобразователем энергии излучения, может служить генератором тока в цепях питания цифровых вентилей. При этом такой источник питания может обеспечить приемлемую скорость поставки энергии для производства информации.
Вых Вых Вых Вых
Вх |
i |
Вх |
Вх |
|
Вх |
^ |
> ^ |
^ |
|
^ |
|
|
|
|
\ |
i . |
|
|
а) |
|
б) |
в) |
г) |
Р и с . д . 7 . 3 . Электрические схемы инверторов с питанием от излучения: а) И^Л типа, б) ИПЛ типа, в) ИПС вариант; г) п-МОП типа.
Д.7.2. Схемотехнические и структурно-топологические решения базовых логических вентилей, питающихся излучением
На рис. Д.7.3 приведены электрические схемы простейших логиче ских вентилей с нетрадиционной организацией цепи питания. В от личии от классических вариантов И^Л в этих вентилях функцию ге нератора тока выполняет не р-п-р-биполярный транзистор, а облу чаемый диод. Все эти вентили имеют общий принцип действия, ко торый заключается в следующем. Ионизирующее изучение, напри мер, солнечный свет, через поверхность интегральной схемы про никает в объем полупроводника и поглощается в нем. При этом квантами света генерируются электронно-дырочные пары. Часть носителей заряда, сгенерированных на расстоянии, не превышаю щем диффузионную длину, достигает р-п-переходов (эмиттер-база и коллектор-база для ВТ, и затвор-сток и затвор-исток для ПТУП). В электронно-дырочных переходах происходит их разделение и под хваченные полем дырки переходят в р-область, а электроны оста ются в п-области. Вместе с ростом концентрации носителей заряда возрастает создаваемое ими электрическое поле, направленное про тив встроенного поля перехода. Возникшее поле будет препятство вать переходу дырок в р-область. Вместе с тем по мере возрастания этого поля возникнет обратное движение дырок в п-область, а элек-
166 Дополнение
тронов — в р-область. Как известно, генерированные светом дыр ки являются неосновными для п-области, а в р-области неосновными носителями заряда являются электроны. Следовательно, встроенное поле перехода способствует перемещению неосновных носителей в противоположные области, а возникшее поле способствует переме щению основных носителей.
Состояние равновесия наступит тогда, когда потоки носителей заряда, проходящие через переход в обоих направлениях, не ста нут равными. В это время между электродами р-п-перехода устана вливается некоторая разность потенциалов, называемая фото-ЭДС. Таким образом, р-п-переход непосредственно преобразует энергию света в электрическую энергию.
И^Л с питанием от излучения. Приведенная на рис. Д.7.3 а) схема инвертора воплощается в интегральную структуру на рис. Д.7.4. Особенностью интегрального воплощения данного варианта логиче ской схемы является совмещение диода — преобразователя энергии излучения в электрическую энергию с j9-п-переходом 1 эмиттер-база переключательного биполярного транзистора п-р-п-типа. Такое ис полнение цепи питания не требует дополнительной площади на по верхности кристалла и позволяет достигнуть высокой плотности компоновки еще и потому, что на поверхности нет традиционных шин питания и общей шины (роль которой выполняет п+ подлож ка). Простота конструкции обеспечивает и малооперационную тех нологию изготовления интегральных схем данного типа. Как видно из рис. Д.7.4, в структуре имеются также р-п-переходы 2, которые могут в принципе выполнять функции диодов — преобразователей энергии. Однако их вклад в в ток питания незначителен из-за вы соких уровней легирования коллекторов и базы. Сгенерированные квантами света электронно-дырочные пары в областях базы и кол лектора в большинстве своем не достигают области объемного за ряда р-п-перехода, где происходит их разделение и не вносят вклада в фототок, поскольку эта диффузионная область является нерекомпрессированной, и носители заряда имеют в ней малую диффузион ную длину.
Основной вклад в фототок дает нижняя область р-п-перехода, находящаяся в нескомпенисрованной эпитаксиальной пленке. При этом в верхней диффузионной области поглощается значительное количество квантов света.
В интегральной структуре используется, так называемый, ин версный транзистор (эмиттером служит подложка 3, а коллекто-
ДЛ. Вентили с нетрадиционной организацией энергопитания
ром — верхние п+ диффузионные области). Инверсный транзистор имеет существенные недостатки: коэффициент усиления составляет несколько единиц, его быстродействие сравнительно невелико изза эффекта накопления избыточного заряда в базовой и эмиттерной областях в режиме насыщения. Первый недостаток определяет особенности структуры и схемотехники логических схем. Для логи ческих схем данного класса является характерным использование многоколлекторных структур (см. рис. Д.7.4) и минимальная нагру зочная способность. Каждый коллектор-выход соединяется только с одной базой-входом последующего каскада. Типичная схемная кон фигурация приведена на рис. Д.7.5. В схемах широко используется простейший логический элемент «монтажное И». Второй недостаток И^Л схем — сравнительно низкое быстродействие (время задержки переключения составляет сотни наносекунд).
|
Излучение |
|
|
||
V V V V V V V V V V ' V V |
"Х |
||||
Вых1 |
Вых2 |
ВыхЗ |
|Вх |
||
|
Рис. д . 7 . 4 . Разрез структуры многоколлекторного И^Л-элeмeнтa: 1 — пе реход бс1за-эмиттер; 2 — коллектор; 3 — эмиттер.
ИПЛ вентили с питанием от излучения. Электрическая схема ИПЛ инвертора (рис. Д.7.3 б)) содержит нормально закрытый ПТУП, к истоку и затвору которого подключен р-п-переход, пре образующий энергию излучения в электрический ток (рис. Д.7.6 а)). Роль такого преобразователя может выполнять переход затвор-ис ток полевого транзистора. В отличие от большинства известных схем в ИПЛ схемах переключающие полевые транзисторы работа ют в режиме прямого смещения переход затвор-исток. При нуле вом смещении на затворе канал полевого транзистора должен быть перекрыт обедненными областями перехода затвор-исток, обусло вленными контактной разностью потенциалов между затвором и истоком. При положительном смещении на затворе ширина обеднен-
168 Дополнение
ных областей уменьшается, что вызывает уменьшение сопротивле ния канала. При этом имеет место инжекция неосновных носителей заряда из области затвора в исток.
ю(А+В)С
А о - |
А+В |
^ ' — "^ ' —
Р и с . Д.7.5. Типичная схемная конфигурация И Л с питанием от света.
Прямое смеш;ение на переходе затвор-исток полевого транзисто ра в ИПЛ инверторе создается при освеш;ении р-п-перехода — пре образователя энергии. Также как и в инжекционных схемах, питае мых излучением, каждый из ИПЛ инверторов снабжен источником тока — преобразуюш;им J9-n-пepexoдoм. Распределенный характер источника питания, функционально интегрированного с переключа- юищмж транзисторами, способствует повышению эффективности преобразования энергии излучения, а также повышению надежно сти ИПЛ схем.
Диод — преобразователь можно рассматривать как эквивалент ную нагрузку переключаюп];его полевого транзистора. Известно, что при освеп1;ении р-п-перехода его вольт-амперная характеристи ка (рис. Д.7.6б)) смеп],ается по оси токов на величину, равную фо тотоку Jp
JG = JGO exp |
UGS |
- 1 |
— J F , |
(Д.7.8) |
|
mcpj^ |
|||||
|
|
|
|
где JG — ток затвора, JGO — начальный ток перехода затвор-исток, UGS ~ смеш;ение на переходе затвор-исток, тфт — эффективный температурный потенциал {т = 1... 2).
Сопоставление вольт-амперных характеристик освеп];енного р- п-перехода и полевого транзистора (рис. Д.7.6) позволяет опреде лить логические уровни и область работоспособности ИПЛ схемы. Как видно из рис. Д.7.6 величина минимального фототока, обес-
д. 1. Вентили с нетрадиционной |
организацией энергопитания |
169 |
печивающая работоспособность ИПЛ инвертора, определяется на чальным током стока при нулевом смещении на затворе
-'^Fmin — JDO = |
JD\UGS=0' |
(Д.7.9) |
Вх |
Вых |
|
|
|
|
> ^ t |
J |
|
а) |
б) |
в) |
Рис . Д.7.6. ИПЛ элемент с питанием |
от света: а) электрическая схема; |
|
|
б) ВАХ освещенного р-п-перехода; в) ВАХ ПТУП. |
С увеличением фототока логический перепад возрастает и до стигает максимума, а затем начинает уменьшаться. Уменьшение ло гического перепада при больших значениях фототока объясняется увеличением крутизны нагрузочной характеристики. Анализ нагру зочной и выходной вольт-амперной характеристик ИПЛ инвертора показывает, что логические перепады не превышают напряжения холостого хода на освещенном р-п-переходе и составляют десятки и сотни милливольт.
Конструктивно интегральный ИПЛ инвертор выполняется в ви де ПТУП с вертикальным каналом. Роль преобразователя энергии вьшолняет переход затвор—исток (рис. Д.7.7а)). Описанную структу ру можно создать, например, путем диффузии бора и фосфора в мо нокристаллическую подложку п-типа. В отличие от инжекционных схем, питаемых излучением, для ИПЛ схем необходима не низкоомная, а высокоомная подложка. Удельное сопротивление подложки определяется шириной канала полевого транзистора. Действитель но, из условия перекрытия канала с шириной 2а при нулевом смеш;е- нии на затворе для модели транзистора с резкими р-п переходами получаем следующее выражение для расчета концентрации доноров в подложке:
ND = |
2eeQ(pk |
(Д.7.10) |
|
qa"^
где q — заряд электрона, s — диэлектричекая проницаемость полу-