Порядок виконання роботи

1. Ознайомитись з лабораторною установкою і приладами, якими вона обладнана. Привести установку в робочий стан (рис. 8.6.9).

Виділені пунктиром частини лабораторної схеми вмонтовані в корпусі джерела живлення ВИП-010.

Рис. 8.6. Рис. 8.6.

Рис. 8.6.

2. Зняти вхідну характеристику транзистора I=f(U_) при U_K=const. Подавати напругу на колектор (між колектором і емітером) можна лише після наявності напруги на базі (між базою і емітером).

Для одержання вхідних характеристик транзистора необхідно установити постійну напругу на колекторі U_K; за допомогою потенціометраR₁змінювати напругу на базі U_ і записати відповідні значення сили струму бази. Вимірювання виконати для двох різних значень напруги на колекторі. Всі виміряні величини занести до таблиці.

	U, B
UK= B	IK, A
UK= B	IK, A

3. Зняти сім'ю вихідних характеристик транзистора І_K=f(U_K) при I_=const.

Подавати напругу на колектор можна лише при наявності напруги на базі.

Установити постійний струм I_. Потенціометром R₂ змінювати напругу на колекторі U_K і записати відповідні значення струму в колі колектора І_K. Вимірювання провести для двох значень струму бази. Всі виміряні величини занести до таблиці.

	Uк, B
I= A	IK, A
I= A	IK, A

4. За даними таблиць на міліметровому папері побудувати вхідні і вихідні характеристики транзистора. Зробити необхідні висновки.

Контрольні запитання

1. Власна і домішкова провідності відносно зонної теорії.

2. Контакт електронного і діркового напівпровідників. Як працює р-n-перехід?

3. Як працює транзистор n - р - n типу в активному режимі?

4. Принцип роботи транзистора при різних схемах включення.

Лабораторна робота № 8.7 дослдження зміни провідності напівпровідникових діодів залежно від температури

Мета роботи: встановити закон зміни опору діодів у зворотному напрямі в залежності від зміни температури.

Прилади та матеріали: електронагрівальна піч; термоелектричний термометр; германієвий діод типу Д7А, Д7Ж і шайба селенового вимірювального діода; мікроамперметри до 300 мкА — 2 шт.; вольтметр постійного струму до 3 В; амперметр змінного струму до 0,5 А; реостати R₁ і R₂; джерело е.р.с. Е=5 В.

Теоретичні відомості

Напівпровідникові діоди — прилади, які мають односторонню провідність. Вона зумовлюється властивостями запірного шару на межі двох напівпровідників, один з яких має електронну провідність, а другий — діркову. Виготовляють германієві, селенові, купроксні та кремнієві діоди. Германієвий діод типу Д302 в одному (прямому) напрямі при спаді напруги на ньому 0,25 В пропускає струм до 1 А, а в другому (зворотному) при напрузі 200 В — не більше 1 мА. Інакше кажучи, опір цього діода в прямому напрямі становить 0,25 Ом, а зворотному — 200 к0м.

Однак виявляється, що напівпровідникові діоди зберігають свої властивості односторонньої провідності лише у вузькому інтервалі температур (порядку — 60°С...+125°С). З підвищенням температури опір діода зменшується, а струм у зворотному напрямі швидко зростає.

Рис. 8.7.

Для встановлення закону зміни опору діодів у зворотному напрямі залежно від зміни температури на рис. 8.7.1 подано електричну схему. Селеновий S і германієвий G діоди закріплюють в електричній печі Р разом з термопарою Т, яка в поєднанні з гальванометром G₀, проградуйованим в термометричній шкалі, служитиме вимірювачем температури.

Піч Р виготовлена з фарфорової трубки, на яку намотана нікелінова спіраль, вкрита шаром глини, розмішаної з азбестовою ватою. Кінці фарфорової трубки закриті слюдяними заслінками. Струм розжарення спіралі регулюють реостатом R₂ від 0,2 до 0,5 А.

Потенціометром R₁ підбирають струми І₁ і І₂ так, щоб вони не перевищували струми, допустимі для приладів А₁ і А₂.

Опір діода визначають із співвідношення:

.

де U – напруга, що відповідає показам вольтметра V;

І – струм через даний діод;

r_a — внутрішній опір відповідного мікроамперметра.