
- •1.Введение
- •2.Структурная схема проектируемого аг
- •3.Проектирование усилителя мощности
- •3.1.Выбор транзистора
- •3.2.Составление модели транзистора
- •Формирование компьютерной модели транзистора.
- •3.3.Выбор режима работы транзистора
- •3.4.Синтез согласующих цепей усилителя мощности
- •3.5.Расчет цепей питания транзистора
- •4.Проектирование фильтра
- •Проектирование направленного ответвителя
- •Анализ и настройка схемы аг с разомкнутой ос
- •Составление схемы аг с замкнутой ос и анализ его характеристик
- •Приложения Создание модели транзистора
- •Приложение а. Параметры нелинейной электрической модели полевых транзисторов без учета корпусов.
3.4.Синтез согласующих цепей усилителя мощности
Входная
согласующая цепь должна выполнять
согласование волнового сопротивления
тракта (50 Ом) с входным сопротивлением
транзистора (3.84 + j8.37), а
выходная согласующая цепь – обеспечивать
оптимальное сопротивление нагрузки
транзистора=
20.7 –j13.5.
В качестве схем согласующих цепей можно использовать Г, П и Т –образные ФНЧ структуры (рис. z).
Рис. z
Можно использовать аналогичные ФВЧ структуры, но они менее удобны при физической реализации на высоких частотах на основе отрезков длинных линий.
Рис. a
При проектировании Г-образных структур следует использовать формулы, связывающие их параметры с согласуемыми между собой сопротивлениями генератора RГи нагрузкиRН. Для обеспечения согласования должно выполняться следующее соотношение:
,
при
,
где Х1, Х2реактивные
сопротивления соответствующих элементов.
Сопротивление
генератора выбирается равным сопротивлению
тракта. В случае входной согласующей
цепи
,
а
должно включать в себя мнимую компоненту
входного сопротивления транзистора
(
):
.
Аналогично
для выходной цепи
,
а
должно включать в себя (
):
.
При реализации данной схемы на основе распределенных линий конденсатор заменяется параллельным шлейфом, разомкнутым на конце, а катушка индуктивности – последовательно включенным отрезком линии (рис.).
РИС.b
Исходя из метода эквивалентных схем параметры линий можно определить следующим образом:
РИС.c
где
- волновое сопротивление линии, а
- электрическая
длина линии. Волновое сопротивление
линии обычно выбирают в 1.5÷3 раза ниже
сопротивления тракта, а электрическую
длину определяют из выражения
.
Рис.d
Волновое
сопротивление линии в этом случае
выбирают величиной 0.5-2 сопротивления
тракта, а электрическую длину определяют
из выражения
Перевод волнового сопротивления и электрической длины линии в их геометрические размеры можно выполнить с помощью калькулятора линии TXLine, встроенного в программу MWO. Калькулятор запускается командой из меню Tools → TXLine….
Пример:
Расчет входной согласующей цепи.
Исходные данные для расчета входной согласующей цепи:
.
Схема согласующей цепи на сосредоточенных элементах для нашего случая представлена на рисунке.
Рис. Схема входной согласующей цепи на сосредоточенных элементах.
Определяем величину сопротивлений X1,2:
.
В соответствии с методом эквивалентных схем заменяем схему на сосредоточенных элементах схемой на распределенных элементах (рис. ).
Рис. Входная согласующая цепь на распределенных элементах.
Определяем
,
:
Задаемся
Ом,
определяем
град.
Определяем
,
:
Задаемся
Ом,
определяем
град.
Воспользовавшись калькулятором линий TXLINEопределяем геометрические размеры микрополосковых линий:W1=2 мм,L1=4 мм,W2=0,21 мм,L2=0,35 мм (размеры линий определены для подложки толщиной 0.5мм и диэлектрической проницаемостью 10).
Расчет выходной согласующей цепи.
Исходные данные для расчета выходной согласующей цепи:
.
Схема выходной согласующей цепи на сосредоточенных элементах представлена на рисунке.
Рис. Схема выходной согласующей цепи на сосредоточенных элементах.
Определяем величину сопротивлений X1,2:
.
В соответствии с методом эквивалентных схем заменяем схему на сосредоточенных элементах схемой на распределенных элементах (рис. ).
Рис. Входная согласующая цепь на распределенных элементах.
Определяем
,
:
Задаемся
Ом,
определяем
град.
Определяем
,
:
Задаемся
Ом,
определяем
град.
Воспользовавшись калькулятором линий TXLINEопределяем геометрические размеры микрополосковых линий:W1=2 мм,L1=2,43 мм,W2=0,21 мм,L2=1,23 мм.